沟槽栅IGBT制作方法、沟槽栅IGBT及电子装置

摘要

本发明提供一种沟槽栅IGBT制作方法、沟槽栅IGBT及电子装置，所述制作方法包括提供正面形成有漂移区的半导体衬底，所述漂移区具有第一导电类型；在所述半导体衬底的正面形成沟槽；形成覆盖所述沟槽底部和侧壁的栅极氧化层；形成完全填充所述沟槽的栅电极层；在所述沟槽两侧的半导体衬底中形成位于所述漂移区内的基极区，所述基极区具有第二导电类型；在所述基极区内形成具有第一导电类型的源区；在所述半导体衬底背面形成具有第二导电类型的注入区，其中，所述第一导电类型和第二导电类型相反，所述沟槽的底部宽度大于顶部宽度。本发明提供的沟槽栅IGBT及制作方法，基极层和沟道掺杂浓度变高，IGBT阈值电压升高，饱和电流下降，进而使得抗短路时间更长。