一种生长可控AlN有序纳米阵列的方法

摘要

本发明公开了一种生长可控AlN有序纳米阵列的方法。包括下述步骤：a、在Si基片上制作Si基片孔阵列；b、在上述的Si基片孔阵列的孔中填充催化剂，形成催化剂点阵；c、利用气相沉积，使AlN在催化剂处优先成核，之后沿该核在空气中自组织生长形成一维锥状结构的AlN纳米线。本发明具有提高场发射显示器发射效率和发射均匀性的特点。