一种可调谐半导体激光器及其制造方法和使用方法

摘要

本发明涉及激光器技术领域，提供了一种可调谐半导体激光器及其制造方法和使用方法。其中激光器包括至少两个DBR激光器、一合波器，其中，每一个DBR激光器包括有源区结构和光栅区结构，DBR激光器的光栅区结构包括一个或者多个光栅区，各光栅区相隔指定长度；采用具有相同光栅周期的光栅构成各DBR激光器中的光栅区；由各自的一光栅区长度和相应光栅区相隔的一指定长度所构成的取样长度值，是根据该DBR激光器所要激射的波长所确定。本发明通过并联DBR激光器，利用合波器合波至单一波导，可以实现大范围可调谐的功能。通过发明中取样光栅设计及有源区设计，可以使得激光器阵列中各个激光器性能具备高度的一致性。