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一种磁控溅射制备纳米硅薄膜钛酸锂负极的方法

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一种磁控溅射制备纳米硅薄膜钛酸锂负极的方法，其特征由以下步骤组成：采用PECVD超高真空多功能磁控溅射镀膜设备；磁控溅射工作室内安装硅靶，与靶材相向的工作台平铺钛酸锂负极材料，溅射气体为纯度99.999％的Ar气，将溅射腔室的本底真空抽至6.6X10

著录项

公开/公告号CN106159212A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-23

原文格式PDF
申请/专利权人赵宽;邓昌沪;
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申请/专利号CN201510124747.2
发明设计人邓昌沪;
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申请日2015-03-23
分类号H01M4/36;H01M4/485;H01M4/38;B82Y30/00;C23C14/35;C23C14/18;
代理机构
代理人
地址 239300 安徽省天长市仁和南路20号
入库时间 2023-06-19 00:59:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-08

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01M4/36 申请公布日:20161123 申请日:20150323

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-05-17

实质审查的生效 IPC(主分类):H01M4/36 申请日:20150323

实质审查的生效
2016-11-23

公开

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