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KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法

摘要

本发明提供了一种KDP晶体磁流变抛光后的清洗方法,包括以下步骤:(1)对抛光后的KDP晶体进行射流冲洗;(2)对射流冲洗后的KDP晶体进行复合超声频率组合溶剂清洗;(3)在步骤(2)中,组合清洗剂包括胺类和醇类清洗剂;(4)在步骤(2)中,复合频率涵盖45-1500KHz。(5)清洗完成后,将KDP晶体干燥并存放于密封防潮盒内。本发明操作简便,可高效去除KDP晶体磁流变抛光产生的油膜和颗粒等各种污染,清洗后可获得较低的粗糙度,为激光倍频晶体的超精密抛光提供良好的技术支撑。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):B08B3/02 申请日:20150413

    实质审查的生效

  • 2016-11-23

    公开

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