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用于调节薄膜中的残余应力的方法

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摘要

本发明涉及用于调节薄膜中的残余应力的方法。在半导体衬底上形成应力减小的介电膜的方法，其包括通过沉积具有厚度t

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-30

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/3105 申请公布日:20161130 申请日:20160509

发明专利申请公布后的视为撤回
2016-12-28

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3105 申请日:20160509

实质审查的生效
2016-11-30

公开

公开

1. 用于调节薄膜中的残余应力的方法 [P] . 中国专利： CN106169420A . 2016-11-30
2. 一种无残余应力薄膜及其制备方法和在纳米压痕法中应用 [P] . 中国专利： CN104729897A . 2015-06-24
3. METHODS FOR MODULATING RESIDUAL STRESS IN THIN FILMS [P] . SG10201603591TA . 2016-12-29

机译：薄膜中残余应力的调节方法
4. METHODS OF MODULATING RESIDUAL STRESS IN THIN FILMS [P] . 美国专利： US2016329206A1 . 2016-11-10

机译：薄膜中残余应力的调节方法
5. Method for measuring residual stresses in the technological surface layers and instrument for measuring residual stresses in the technological surface layers [P] . PL219841B1 . 2015-07-31

机译：用于测量工业表面层中残余应力的方法和用于测量工业表面层中残余应力的仪器