公开/公告号CN106099639A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉光迅科技股份有限公司;武汉电信器件有限公司;
申请/专利号CN201610740283.2
申请日2016-08-26
分类号H01S5/125(20060101);
代理机构深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人何婷
地址 430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
入库时间 2023-06-19 00:52:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-28
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S5/125 申请公布日:20161109 申请日:20160826
发明专利申请公布后的驳回
2016-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/125 申请日:20160826
实质审查的生效
2016-11-09
公开
公开
机译: 可以使来自上方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位与来自下方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位相匹配的大功率半导体激光器阵列装置,该半导体激光器阵列装置的制造方法以及使用该装置的多波长激光发射装置半导体激光器阵列装置
机译: 一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
机译: 输出波长和相位匹配的激光的高功率半导体激光器阵列设备,其制造方法以及使用这种高功率半导体激光器阵列设备的多波长激光发射设备