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采用碳纳米材料增进堆肥基质高羊茅根系生长的方法

摘要

本发明公开了采用碳纳米材料增进堆肥基质高羊茅根系生长的方法,它是将组配的基质分别装入塑料盆中,高羊茅播种量为每盆5g,室内温度18~25℃,相对湿度为35%~65%,光照为透入室内的自然光6856LX‑27090LX,经常调换盆的位置以保证光照一致,栽种期间每天定量给水,以保证植物生长所需水分;共培养130d,第65d刈割一茬草,测量株高、生物量;第130d刈割,并测定相关指标。实验结果表明:采用碳纳米材料提高堆肥基质高羊茅一茬草根系的生长。

著录项

  • 公开/公告号CN106069245A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津师范大学;

    申请/专利号CN201610442824.3

  • 发明设计人 多立安;赵树兰;卢云峰;

    申请日2016-06-21

  • 分类号A01G7/00;A01G1/00;C05G3/00;

  • 代理机构天津市杰盈专利代理有限公司;

  • 代理人朱红星

  • 地址 300387 天津市西青区宾水西道393号

  • 入库时间 2023-06-19 00:45:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):A01G7/00 申请日:20160621

    实质审查的生效

  • 2016-11-09

    公开

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