公开/公告号CN106057240A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-10-26
原文格式PDF
申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;
申请/专利号CN201610005222.1
发明设计人 权永俊;
申请日2016-01-04
分类号G11C16/26(20060101);H01L27/115(20060101);
代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人俞波;许伟群
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 00:43:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/26 申请日:20160104
实质审查的生效
2016-10-26
公开
公开
机译: 包括重复的单位单元的非易失性存储单元的阵列,包括垂直方向和水平方向的存储单元的组合的非易失性存储单元的阵列以及非易失性存储单元的垂直堆叠的层的阵列
机译: 非易失性存储单元的阵列,每个单元至少具有五个存储单元,具有多个单元,每个单元分别包括三个可编程材料的高程区域,和/或具有连续体积的单元,该连续体积具有多个垂直取向的存储单元的组合多个水平取向的存储单元;非易失性存储单元的垂直堆叠层的阵列
机译: 具有浮体的堆叠式非易失性存储单元设备,以及使用该单元设备的非易失性存储单元堆栈,非易失性存储单元阵列,非易失性存储单元阵列及其制造方法