InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法

摘要

一种InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法，该红外探测器在表面吸收区形成光子晶体阵列，所述光子晶体阵列的排列间距小于所述红外探测器的截止波长；所述光子晶体阵列是在InAs/GaSb超晶格材料层的表面吸收区制备的圆锥形、金字塔形或柱形阵列。本发明利用在InAs/GaSb超晶格红外探测器的吸收区制备间距小于探测器截止波长的圆锥形、金字塔形或柱形光子晶体阵列，提高红外探测器在全波段范围内吸收率，扩展吸收光谱，可以实现小于InAs/GaSb超晶格探测器截止波长的全光谱范围的探测。