首页> 中国专利> 包括面积增加的接触件的半导体器件

包括面积增加的接触件的半导体器件

摘要

本发明提供了包括面积增加的接触件的半导体器件。一种半导体器件包括多个有源图案,其从衬底突出并且在衬底上以第一距离和第二距离间隔开。多个选择性外延生长部分中的每一个生长在多个有源图案中的相应一个的上表面上。源极/漏极接触件延伸横跨多个选择性外延生长部分,以保持在多个有源图案中的第一有源图案的顶表面的上方,第一有源图案以多个有源图案中的第一有源图案之间的第一距离彼此间隔开,并且源极/漏极接触件包括延伸部分,该延伸部分朝着衬底延伸至多个有源图案中的两个有源图案的顶表面的下方,该两个有源图案以多个有源图案中的该两个有源图案之间的第二距离间隔开。

著录项

  • 公开/公告号CN106024888A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201610176766.4

  • 发明设计人 尹彰燮;赵纯;

    申请日2016-03-25

  • 分类号H01L29/78;H01L27/092;H01L27/11;H01L21/768;

  • 代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人张帆

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 00:39:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20160325

    实质审查的生效

  • 2016-10-12

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号