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公开/公告号CN106024888A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201610176766.4
发明设计人 尹彰燮;赵纯;
申请日2016-03-25
分类号H01L29/78;H01L27/092;H01L27/11;H01L21/768;
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人张帆
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 00:39:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20160325
实质审查的生效
2016-10-12
公开
机译: 用于增加位线接触面积的半导体器件以及包括该半导体器件的模块和系统
机译: 半导体器件,包括具有增加的接触面积的有源区
机译:开发用于评估具有接触压力的半导体器件的探测系统,该接触压力包括显微镜下的视野之外的接触点和接触点维护控制功能
机译:半导体器件增加92.9%,液晶器件脚太阳能电池模块随生产货件大幅增加
机译:具有接触压力和接触点维持控制功能的半导体器件评估探测系统的研制,包括额外的微观观测视野
机译:用于在低的半导体器件上学习半导体器件的软件和硬件复合物,包括低温,温度
机译:半导体器件的接触电阻:物理和建模
机译:接触印刷半导体纳米线的异构集成用于大面积的高性能器件
机译:开发半导体器件的接触材料。半导体器件铝导体材料的现状和未来技术。
机译:使用金属半导体金属(msm)器件的大面积高速光电二极管