具有减少的传导路径区域的电阻式存储器单元

摘要

本发明揭示一种形成电阻式存储器单元(例如CBRAM或ReRAM)(140)的方法，其包含：形成底部电极层(102A)；形成所述底部电极的暴露区域的氧化区域(110)；移除接近于所述氧化区域的所述底部电极层的区域以形成具有尖端或尖锐边缘区域(114A、114B)的底部电极；及使第一及第二电解质区域(120A、120B)及第一及第二顶部电极(122A、122B)形成于所述底部电极上以界定不同的第一及第二存储器元件。所述第一存储器元件界定从所述底部电极尖端区域的第一部分经由所述第一电解质区域而到所述第一顶部电极的第一传导纤丝/空位链路径，且第二存储器元件界定从所述底部电极尖端区域的第二部分经由所述第二电解质区域而到所述第二顶部电极的第二传导纤丝/空位链路径。