半导体硅晶片的表面钝化方法

摘要

本发明涉及微电子加工技术领域，特别是涉及一种半导体硅晶片表面钝化方法，包括以下步骤：(1)选用P型硅作衬底，经制绒抛光，杂质源扩散制成上、下表面均具有PN结的硅晶片；(2)将硅晶片用腐蚀液腐蚀出若干沟槽；(3)将硅晶片光刻保护至只有沟槽裸露；(4)将硅晶片置于密闭的氧化炉内，向氧化炉内通入高纯氧，直至所有沟槽的外表面均形成一层厚度为10000～15000埃的氧化保护膜。本发明可以将硅晶片暴露在高纯氧中，在沟槽外表面生长的氧化膜结构致密、均匀性好、重复性好、掩蔽能力强且钝化效果较好。