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三相GSHE-MTJ非易失性触发器

摘要

本发明的系统和方法是针对一种三相非易失性触发器NVFF(500),其包含:主级,其由双巨自旋霍尔效应GSHE‑磁性隧道结MTJ结构(J1,J2)形成,其中第一GSHE‑MTJ(J1)和第二GSHE‑MTJ(J2)耦合在第一组合端子(A1,B2)与第二组合端子(B1,A2)之间;以及从级(Inv1,Inv2,EQ),其由与第二反相器交叉耦合的第一反相器形成。在写入阶段(Phi3=1)期间将第二数据值(d)写入到所述主级中的同一时钟循环的读取阶段(Phi2=1)期间从所述从级读出第一数据值(d)。所述三相NVFF包含三个控制信号(Phi 1,2,3),用于控制所述从级的初始化阶段(Phi1=1)、所述读取阶段(Phi2=1)和所述写入阶段(Phi3=1)。

著录项

  • 公开/公告号CN105917582A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201580004461.9

  • 申请日2015-01-19

  • 分类号H03K3/3562;G11C11/16;G11C11/18;

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 00:24:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-26

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):H03K3/3562 放弃生效日:20190326 申请日:20150119

    专利权的视为放弃

  • 2016-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K3/3562 申请日:20150119

    实质审查的生效

  • 2016-08-31

    公开

    公开

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