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用于产生射频能量和微波能量以传递到生物组织中的电外科装置

摘要

本发明公开了一种用于电外科发生器的隔离电路,所述电外科发生器被布置成产生射频(RF)能量和微波能量用于治疗生物组织。所述发生器具有RF通道和微波通道,所述RF通道和所述微波通道以信号组合器组合以使得所述RF能量和微波能量能够沿着共同馈送路径被传递到组织中。所述隔离电路在所述微波通道和所述信号组合器之间的结合点处包括可调谐波导隔离器,并且可在所述信号组合器的接地导体和所述波导隔离器的导电输入区段之间包括电容结构以抑制所述RF能量的耦合和所述微波能量的泄漏。所述隔离电路可将所有必要组件组合成单个可调谐单元以将所述微波通道和所述RF通道彼此隔离,同时提供高耐受电压。

著录项

  • 公开/公告号CN105848604A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 科瑞欧医疗有限公司;

    申请/专利号CN201480071480.9

  • 申请日2014-12-04

  • 分类号A61B18/14(20060101);A61B18/18(20060101);H01P1/36(20060101);A61B18/12(20060101);A61B18/00(20060101);

  • 代理机构11313 北京市铸成律师事务所;

  • 代理人郝文博

  • 地址 英国蒙茅斯郡

  • 入库时间 2023-06-19 00:16:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-14

    授权

    授权

  • 2017-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):A61B18/14 申请日:20141204

    实质审查的生效

  • 2016-08-10

    公开

    公开

说明书

发明领域

本发明涉及其中使用射频能量来治疗生物组织的电外科装置。具体地说,本发明涉及能够产生射频(RF)能量用于切割组织的外科装置,其可作为还传递微波频率能量用于止血的外科装置的部分进行使用(即,通过促进血液凝结而封住破裂的血管)。

发明背景

手术切除是一种从人体或动物身体内移除器官的部分的方式。此类器官可为血管丰富的。当组织被切割(分割或横切)时,被称为小动脉的小血管被损坏或破裂。继最初流血之后是凝血级联,其中血液转变成血块以试图堵住出血点。在手术期间,期望患者失血尽可能得少,因此已经开发出各种装置以试图提供无出血切割。对于内窥镜手术而言,出现流血并且未被尽可能快地或未以权宜方式处理也是不合需要的,因为血流可使手术者的视觉变得模糊,其可能导致需要终止手术并且替代地使用另一方法,例如,开放手术。

在所有医院手术室中,电外科发生器是普遍存在的,用于开放和腹腔镜手术,并且也越来越多地存在于内窥镜套件(endoscopy suite)中。在内窥镜手术中,电外科配件通常插入穿过内窥镜内部的腔。针对用于腹腔镜手术的等同通路通道考虑,这类腔的孔相对较窄并且长度相对较长。在肥胖患者的情况中,手术配件从柄部到RF尖端的长度可为300mm,而在腹腔镜情况下等同距离可超过2500mm。

替代锋利的刀的是,已知使用射频(RF)能量来切割生物组织。使用RF能量的切割方法使用以下原理进行操作:当电流经过组织基质(由细胞和细胞间电解质的离子含量辅助)时,对电子跨越组织流动的阻抗产生热量。当将RF电压施加于组织基质时,细胞内产生足够的热量以汽化组织的含水量。由于此增加的干燥,特别是邻近于仪器(在本文中称为RF刀)的具有穿过组织的整条电流路径的最高电流密度的RF发射区域处的干燥,邻近于RF刀的切杆的组织失去与所述刀的直接接触。所施加电压接着表现为几乎完全跨越此空隙,所述空隙因此而电离,从而形成等离子体,其与组织相比具有非常高的体积电阻率。这个区别是重要的,因此其将所施加能量聚焦于完成RF刀的切杆和组织之间的电路的等离子体。足够缓慢地进入等离子体的任何挥发性材料被汽化并且因此感知为组织解剖等离子体。

GB 2 486 343公开了一种用于传递RF能量和微波能量两者以治疗生物组织的电外科装置的控制系统。传递到探头的RF能量和微波能量两者的能量传递分布是基于传送到探头的RF能量的所采样的电压和电流信息以及传送到探头和从探头传送的微波能量的所采样的正向功率和反射功率信息而设置。

图1示出了如GB 2 486 343中所陈述的电外科装置400的示意图。所述装置包括RF通道和微波通道。RF通道包含用于在适于治疗(例如切割或干燥)生物组织的功率电平下产生并控制RF频率电磁信号的组件。微波通道包含用于在适于治疗(例如,凝结或消融)生物组织的功率电平下产生并控制微波频率电磁信号的组件。

微波通道具有微波频率源402,其后为功率分配器424(例如,3dB功率分配器),其将来自源402的信号分成两个分支。来自功率分配器424的一个分支形成微波通道,其具有:功率控制模块,其包括经由控制信号V10而由控制器406控制的可变衰减器404和经由控制信号V11而由控制器406控制的信号调制器408;和放大器模块,其包括驱动放大器410和功率放大器412以在适于治疗的功率电平下产生正向微波EM辐射以从探头420传递。在放大器模块之后,微波通道以微波信号耦合模块(其形成微波信号检测器的部分)继续,所述微波信号耦合模块包括:循环器416,其连接成将微波EM能量从源沿着循环器416的第一端口和第二端口之间的路径传递到探头;正向耦合器414,其在循环器416的第一端口处;以及反射耦合器418,其在循环器416的第三端口处。在经过反射耦合器之后,来自第三端口的微波EM能量在功率堵截负载422中被吸收。微波信号耦合模块还包括经由控制信号V12由控制器406操作的开关415,开关415用于将所述正向耦合信号或所述反射耦合信号连接到外差接收器以进行检测。

来自功率分配器424的另一分支形成测量通道。所述测量通道绕过微波通道上的放大阵容(line-up),并且因此被布置成从探头传递低功率信号。在本实施方案中,经由控制信号V13由控制器406控制的主通道选择开关426可操作以从微波通道或测量通道选择要传递到探头的信号。高带通滤波器427连接在主通道选择开关426和探头420之间以保护微波信号发生器而使其免于低频率RF信号的干扰。

所述测量通道包括被布置成检测反射自探头的功率的相位和量值的组件,所述探头可产生关于例如存在于探头远端处的生物组织的材料的信息。所述测量通道包括循环器428,循环器428被连接成将微波EM能量从源402沿着循环器428的第一端口和第二端口之间的路径传递到探头。从探头返回的反射信号被引导到循环器428的第三端口中。循环器428用于提供正向信号和反射信号之间的隔离以促进准确测量。然而,由于循环器不提供其第一端口和第三端口之间的完全隔离,即正向信号中的一些可突破到第三端口并且干扰反射信号,所以使用载波消除电路,其将正向信号的一部分(来自正向耦合器430)注回到从第三端口出来的信号中(经由注射耦合器432)。载波消除电路包括相位调节器434以确保所注入部分与从第一端口突破进入到第三端口中的任何信号180°异相以便将其消除。载波消除电路还包括信号衰减器436以确保所注入部分的量值与任何突破信号相同。

为补偿正向信号中的任何漂移,将正向耦合器438提供在测量通道上。正向耦合器438的耦合输出端和来自循环器428的第三端口的反射信号被连接到开关440的相应输入端子,开关440经由控制信号V14由控制器406操作以将所耦合的正向信号或反射信号连接到外差接收器以进行检测。

开关440的输出(即来自测量通道的输出)和开关415的输出(即来自微波通道的输出)连接到次级通道选择开关442的相应输入端子,次级通道选择开关442可结合主通道选择开关经由控制信号V15由控制器406操作以确保当测量通道正供应能量给探头时测量通道的输出连接到外差接收器并且确保当微波通道正供应能量给探头时微波通道的输出连接到外差接收器。

外差接收器用来从由次级通道选择开关442输出的信号提取相位和量值信息。在本系统中示出了单个外差接收器,但是如果需要,也可使用双外差接收器(包含两个本机振荡器和混频器)以在信号进入控制器之前混合源频率两次。外差接收器包括本机振荡器444和混频器448以混合由次级通道选择开关442输出的信号。选择本机振荡器的频率使得来自混频器448的输出处在适于被接收在控制器406中的中间频率。提供带通滤波器446、450以保护本机振荡器444和控制器406使其免于高频率微波信号的干扰。

控制器406接收外差接收器的输出并且从其确定(例如提取)指示微波通道或测量通道上的正向和/或反射信号的相位和量值的信息。此信息可用来控制微波通道上的高功率微波EM辐射或RF通道上的高功率RF EM辐射的传递。用户可经由用户界面452与控制器406互动,如上文所论述。

图1所示的RF通道包括连接到门驱动器456的RF频率源454,门驱动器456经由控制信号V16由控制器406控制。门驱动器456供应操作信号给RF放大器458,RF放大器458为半桥布置。所述半桥布置的漏极电压可经由可变DC供应器460控制。输出变压器462将产生的RF信号变换到用于到探头420的传递的线路上。低通、带通、带阻或凹陷滤波器464被连接在该线路上以保护RF信号发生器使其免于高频率微波信号的干扰。

电流变压器466被连接在RF通道上以测量传递到组织负载的电流。分压器468(其可被输出变压器分接)用来测量电压。来自分压器468和电流变压器466的输出信号(即指示电压和电流的电压输出)在通过相应缓冲放大器470、472和电压箝位齐纳二极管474、476、478、480进行调节之后被直接连接到控制器406(示为图1中的信号B和C)。

为了获得相位信息,电压和电流信号(B和C)还连接到相位比较器482(例如EXOR门),相位比较器482的输出电压由RC电路484整合以产生与电压波形和电流波形之间的相位差成比例的电压输出(被示为图1中的A)。此电压输出(信号A)直接连接到控制器406。

微波/测量通道和RF通道连接到信号组合器114,信号组合器114将两种类型的信号沿着电缆总成116单独地或同时传送到探头420,信号从探头420传递(例如辐射)到患者的生物组织中。

波导隔离器(未示出)可提供在微波通道和信号组合器之间的结合点处。波导隔离器可被配置成执行三种功能:(i)允许极高微波功率(例如大于10W)通过;(ii)阻挡RF功率通过;和(iii)提供高耐受电压(例如大于10kV)。电容结构(也称为DC断路器)也可提供在波导隔离器处(例如,在波导隔离器内)或邻近于波导隔离器处。电容结构的目的在于减少跨越隔离障壁的电容耦合。

发明内容

本发明提供了一种对GB 2 486 343中所公开的电外科装置的增强。所述增强涉及通过减少微波通道和RF通道内的插入损耗而改进反射功率测量的准确性。

普遍地讲,本发明在微波通道和信号组合器之间的结合点处提供可调谐波导隔离器。在优选实施方案中,本发明将所有必要组件组合成单个可调谐单元以将所述微波通道和RF通道彼此隔离,同时提供高耐受电压(例如大于10kV)。波导隔离器的阻抗可在原位调谐(即当所述装置做好使用准备时)或提前调谐以减少沿着信号路径经历的回波损耗并且因此改进测量灵敏度。

本发明可在可减少跨越隔离障壁的电容耦合的可调谐波导隔离器处或邻近于可调谐波导隔离器处提供电容结构。减少的电容耦合可通过将波导隔离器(具体地说,波导隔离器的外导体)与另外的电容组件(例如同轴隔离器)串联连接而提供。为了在操作期间维持减少的电容耦合,所述额外电容组件可具有高击穿电压,例如500V或更高。因此,波导隔离器和另外的电容组件(例如同轴隔离器)可组合地充当低频率阻挡滤波器以防止来自RF通道的RF EM辐射进入微波通道。

另选地,在优选实施方案中,电容结构可为波导隔离器自身中的DC隔离障壁的一体部分。例如,减少的电容耦合可通过减小形成在波导隔离器的外导体中的隔离间隙的电容或增加其电容电抗,例如通过增加存在于间隙中的绝缘材料的厚度而实现。在此布置中,波导隔离器可包括阻流器以使间隙处的微波功率的泄漏最小化。

因此,根据本发明,提供了一种用于生物组织切除的电外科装置,所述装置包括:射频(RF)信号发生器,其用于产生具有第一频率的RF电磁(EM)辐射;微波信号发生器,其用于产生具有高于所述第一频率的第二频率的微波EM辐射;探头,其被布置成从其远端单独地或同时传递RF EM辐射和微波EM辐射;以及馈送结构,其用于将RF EM辐射和微波EM辐射传送到探头,所述馈送结构包括用于将探头连接到RF信号发生器的RF通道和用于将探头连接到微波信号发生器的微波通道,其中所述RF通道和微波通道包括分别与RF信号发生器和微波信号发生器实体分离的信号路径,其中所述馈送结构包括组合电路,所述组合电路具有:连接到RF通道上的单独信号路径的第一输入、连接到微波通道上的单独信号路径的第二输入、和连接到共同信号路径以将RF EM辐射和微波EM辐射沿着单个通道单独地或同时传送到探头的输出,其中所述微波通道包括波导隔离器,所述波导隔离器被连接成将微波通道上的单独信号路径与RF EM辐射隔离,并且其中所述波导隔离器具有可调节的阻抗。

所述波导隔离器的可调节的阻抗允许以改进所述装置的测量灵敏度的方式来减少回波损耗。可调节的阻抗可以任何合适方式提供。例如,所述波导隔离器可包括调谐部分,所述调谐部分可调节以改变所述波导隔离器的所述阻抗。所述调谐部分可为调谐单元,其包括可调节地插入到所述波导隔离器中的多个调谐插芯。

所述波导隔离器的可调谐性质在所述波导隔离器也充当DC断路器和组合电路时特别有利。

因此,所述波导隔离器可包括:导电输入区段;导电输出区段,其与所述输入区段配合以在由所述输入区段和输出区段包封的体积内界定波导腔体;和DC隔离障壁,其被布置在所述输入区段和所述输出区段之间,其中共同信号路径上的输出包括信号导体和接地导体,并且其中馈送结构包括在共同信号路径上的输出的接地导体和波导隔离器的导电输入区段之间的电容结构,所述电容结构被布置成抑制RF EM能量的耦合和微波EM能量的泄漏。

所述电容结构可由所述DC隔离障壁和形成在所述波导隔离器的所述输入区段上的微波阻流器提供。在所述波导隔离器的内区段和外区段界定圆柱形主体的情况下,所述微波阻流器可包括从所述波导隔离器的所述内区段的远端轴向延伸的环形通道。所述通道可填充有空气或另一合适电介质。阻流器的轴向长度可为通道的材料(例如空气)和几何结构中的微波EM能量的四分之一波长(或其奇数倍)。

DC隔离障壁自身可包括安装在波导隔离器的内区段和外区段之间的刚性绝缘间隔件元件。所述间隔件元件可由绝缘塑料形成,例如或聚氯乙烯(PVC)。在圆柱形波导中,所述间隔件元件可包括安装在波导隔离器的输入或输出区段中的一者的远端上的环形套筒。所述套筒的外表面可与输入区段和输出区段的外表面齐平。

套筒和内和/外区段之间的重叠的轴向长度优选地为在套筒的材料和包含所述材料的结构中的微波频率下的奇数个四分之一波长(通常为一个四分之一波长)。绝缘层的厚度(当绝缘层是绝缘套筒时为径向厚度)可被选择为尽可能薄以使微波泄漏最小化或尽可能厚以将电容减小到在RF EM能量的频率下提供所需隔离的水平。这两种需求是冲突的并且可能无法同时满足这两种需求。在实践中,所述套筒可因此包括(i)薄绝缘层,其满足微波泄漏需求但需要与外导体串联的额外电容断路器以便减小电容(例如下文所论述的同轴隔离器),或(ii)厚绝缘层,其满足RF REM能量隔离需求,但需要额外微波组件以实现所需低微波泄漏(例如上文所论述的微波阻流器)。

DC隔离障壁可包括额外组件。例如,所述DC隔离障壁可包括绝缘膜,所述绝缘膜安装在所述输入区段的所述内表面的与所述刚性绝缘间隔件元件的结合点处的一部分上。所述绝缘膜可远离刚性绝缘间隔件元件延伸一段预定距离,例如以增加表面击穿电压。

波导隔离器允许组合电路电浮动,其增加安全性。电容结构用于增加组合电路的电容电抗以减小RF信号经由通过波导隔离器的电容耦合而从微波通道逃逸的风险。

在其中组合电路与波导隔离器整合的实施方案中,RF通道上的单独信号路径可终止在连接到波导隔离器中的RF连接器上,因此RF信号被直接传送到波导隔离器的输出端口。共同信号路径可因此远离波导隔离器的输出端口延伸。因此,连接到共同信号路径的输出可包括安装在所述波导隔离器的所述输出区段上的输出探头,所述输出探头具有延伸到所述波导隔离器中以从所述输出探头耦合所述微波EM能量的耦合导体。所述第一输入可包括安装在所述波导隔离器上的RF连接器,所述RF连接器具有延伸到所述波导腔体中以电接触所述输出探头的所述耦合导体的信号导体。所述信号导体可为绝缘导电线或棒。所述信号导体可在与其尖端相距一段预定距离处接触耦合导体。所述距离可例如通过改变相对于波导隔离器连接的RF的位置而调节。优选地,选择信号导体的位置使得其紧密遵循微波隔离器内的微波EM场的等势面(例如基本上与其对准),因此RF连接器的存在不影响微波EM能量的表现。以此方式对准信号导体意味着可泄漏到RF连接器中的微波EM能量的量是最小的。然而,作为对泄漏的进一步障壁,微波阻流器可安装在所述RF连接器上以防止所述微波EM能量通过所述RF连接器的信号导体泄漏到所述波导隔离器外。微波阻流器可为放射状的或圆柱形的,或任何其它合适形状。基于微波EM能量的波长适当选择微波阻流器的尺寸。

为了维持高击穿电压,信号导体和耦合导体邻近于波导隔离器壁的部分可由绝缘材料(例如合适的电介质)包围。因此,所述输出探头的所述耦合导体的延伸到所述波导隔离器中的近侧部分可由绝缘套筒包围。并且所述RF连接器的所述信号导体的延伸到所述波导隔离器中的近侧部分可由绝缘套筒包围。

将组合电路与适合的波导隔离器整合提供单个组件,所述单个组件提供必要的发生器与患者的隔离,同时避免不期望的RF耦合和微波泄漏。此外,此单个组件消除对RF通道上单独多插芯(低通)注入滤波器的需求。此外,组件的整合性质意味着装置的插入损耗低得很多(不存在微带板、互连较少、微波路由电缆较少、无同轴隔离器)。原位调谐波导隔离器的能力进一步改进插入损耗。整合的波导隔离器而且与多组件解决方案相比实体上更小并更易于制造。

在另一实施方案中,电容结构可包括与可调谐波导隔离器串联连接的额外电容。所述额外电容可为同轴隔离器。所述额外电容可具有高击穿电压以处理系统内所见的峰值电压。额外电容的击穿电压可为1kV或更高,优选地为2kV或更高。

RF通道上的单独信号路径可与微波EM辐射隔离。RF通道可因此包括连接在RF通道上的单独信号路径和组合电路之间的隔离器,例如低通、带通、带阻或凹陷滤波器。所述低通、带通、带阻或凹陷滤波器可与组合电路整合。例如,在一个实施方案中,所述组合电路可包括T形开放微带双向双工器电路,所述电路具有与其一体形成的低通、带通、带阻或凹陷滤波器以防止微波EM辐射泄漏到第一输入外。带阻滤波器可包括形成在第一输入和双工器电路的T结合点之间的微带线上的多个插芯(例如,两个、三个或四个插芯)。

使用上文所提及的适合的波导隔离器或串联连接的波导隔离器和同轴隔离器作为高通滤波器可克服使用单个高频率电容器来提供必要的隔离的三个缺点。首先,期望整个组合电路是浮动的,即没有到接地或主电源的直接路径。因此,来自微波通道的信号和接地平面两者都需以电容方式进入组合电路。波导隔离器可提供这个属性。其次,期望防止RF信号通过跨越波导隔离器的电容耦合泄漏到患者或用户。上述合适的DC隔离障壁或同轴隔离器可提供必要的电容以增加结合点的电容抗性并且因此抑制第一频率下的电容耦合。同轴隔离器相对于常见电容器为优选的,因为RF信号可被供应为高电压脉冲(例如5kV或更高),其比常见电容器的典型击穿电压高。第三,在本文所公开的优选微波频率(例如,5.8GHz或更高)下,串联布置的插入损耗比常见电容器低得多,其可有助于防止电路在某些频率下谐振。

本发明可与上文参考如GB 2 486 343中所述的电外科装置400描述的任何组件或所有组件(单个地或以任何组合)组合。例如,RF通道和微波通道可包括上文分别描述的RF通道和微波通道的任何组件或所有组件。如上文所提及,所述微波通道可包括用于分离微波通道上的反射信号与正向信号的循环器。在替代实施方案中,可出于相同目的使用方向耦合器。在实践中,循环器或方向耦合器将展现不完善的隔离,其继而影响实际上在检测器处接收的反射信号。本发明的可调节的阻抗能够补偿此不完善隔离以及使波导隔离器中的回波损耗和传输最优化。

所述装置可包括控制器,所述控制器可操作以选择RF EM辐射和微波EM辐射的能量传递分布。在本文中,能量传递分布可意味着依据RF能量的电压/电流和时间以及微波能量的功率电平和时间的波形形状。能量传递分布的控制可允许实现一系列治疗应用。

所述装置可包括RF信号检测器,所述RF信号检测器用于对RF通道上的电流和电压进行采样以及从其产生指示所述电流和电压之间的相位差的RF检测信号。所述控制器可与RF信号检测器通信以接收RF检测信号并且基于所述RF检测信号选择RF EM辐射的能量传递分布。

类似地,所述装置可包括微波信号检测器,所述微波信号检测器用于对微波通道上的正向功率和反射功率进行采样以及从其产生指示由探头传递的微波功率的量值和/或相位的微波检测信号。所述控制器可与微波信号检测器通信以接收微波检测信号并且基于所述微波检测信号选择微波EM辐射的能量传递分布。

因此,所述系统可被配置成提供对电外科装置的输出的安全控制。例如,所述装置可实现对用于组织切割的能量传递分布的选择,其可包括在30W功率电平下传递具有400V峰值振幅的连续波(CW)RF EM能量。所述控制器可调节(例如可手动调节)以改变峰值振幅和功率电平。由于RF和微波EM辐射被监测,所以传递到组织的能量可被准确测定。在另一实例中,所述装置可实现对用于凝结的能量传递分布的选择,其可包括在25W功率电平下传递连续波(CW)微波EM能量。再者,所述控制器可调节(例如可手动调节)以改变功率电平。

更一般地说,为了实现在干燥环境中进行组织切割,可能需要传递峰值电压振幅为400V并且功率设置为40W的500kHz连续波正弦波形,而为了实现在湿环境中进行组织切割,可能需要传递在200W峰值功率和10%工作周期下具有4000V峰值电压的500kHz能量的一个或多个突发,其设置形式可为开启时间为10ms并且关闭时间为90ms。这种类型的脉冲能量传递分布可确保能量被传递到组织而不是导致对周围流体的非期望加热。对于在干组织中的有效组织凝结,CW微波功率可在30W的RMS功率电平下被传递到组织中。对于湿环境中的凝结,可对微波功率施以脉冲,例如在30%工作周期下具有100W峰值功率。

产生期望的治疗组织效果的其它波形可包括以类似于上文所述的形式的CW和脉冲形式传递的RF能量和微波能量的组合。所述RF能量和微波能量可进行同时传递,其中微波能量调制RF能量。例如,400V峰值500kHz CW RF分布可用10W CW 5.8GHz微波信号调制以在切除过程期间产生一定程度的组织凝结以在器官或器官的部分被移除时减少流血。

所有波形参数可例如经由用户界面而由控制器调节。

控制系统可包括专用测量通道,用于在低功率电平(例如10mW或更低)下传递能量(优选的是微波能量)。所述系统可因此从不在传递治疗效果的通道获得可用测量信号,即到组织中的波形或能量传递可基于使用不涉及传递治疗组织效果的通道进行的低功率测量而控制。所述测量通道可使用与微波通道相同的源。所述系统可切换使得微波能量通过测量通道(在“测量模式”下)或通过微波通道(在“治疗模式”下)传递。另选地,微波通道可在低功率模式(用于测量)和高功率模式(用于治疗)之间进行切换。在此布置中,不需要单独的测量通道。

所述系统可被配置成供应能量以同时切割并凝结组织(例如混合或共混模式)或可独立操作,其中RF能量和微波能量在手动用户控制下(例如基于脚踏开关的操作)被传递给探头或基于来自RF和/或微波通道的测量相位和/或量值信息被自动传递给探头。所述系统可用来执行组织消融和切割。在其中微波能量和RF能量被同时传递的实例中,返回到相应发生器的RF能量或微波能量或两者可在高功率或低功率下使用以控制能量传递分布。在此实例下,可能期望在能量传递形式为脉冲形式时的关闭时间期间进行测量。

探头的远端可包括双极发射结构,所述双极发射结构包括在空间上与第二导体分离的第一导体,所述第一和第二导体被布置成分别充当主动电极和返回电极以通过传导传送RF EM辐射,并且充当天线或变压器以促进微波EM能量的辐射。因此,所述系统可被布置成为RF能量提供局部返回路径。例如,RF能量可通过传导经过组织而分离导体,或可在导体附近产生等离子体以提供局部返回路径。RF组织切割可通过分离第一导体和第二导体的固定电介质材料产生,其中电介质材料的厚度小,即小于1mm并且电介质常数高,即大于空气的电介质常数。

本发明可能特别适于胃肠(GI)手术,例如以移除肠上的息肉,即用于内窥镜粘膜下切除。本发明自身还适于精确内窥镜手术,即精确内窥镜切除术,并且可用于耳朵、鼻子和喉部手术以及肝脏切除术。

第一频率可为在范围10kHz至300MHz中的稳定固定频率并且第二频率可为在范围300MHz至100GHz范围内的稳定固定频率。第一频率应当足够高以防止能量导致神经刺激并且应当足够低以防止能量导致组织热烫或不必要的热裕度或对组织结构的损坏。第一频率的优选点频率包括以下频率中的任何一者或多者:100kHz、250kHz、500kHz、1MHz、5MHz。第二频率的优选点频率包括915MHz、2.45GHz、5.8GHz、14.5GHz、24GHz。优选地,第二频率是至少高于第一频率的数量级(即至少10倍)。

在另一方面,本发明可表达为针对用于生物组织切除的电外科装置的隔离电路,所述隔离电路包括:组合电路,其具有可连接成从RF通道接收具有第一频率的射频(RF)电磁(EM)辐射的第一输入、可连接成从微波通道接收具有高于第一频率的第二频率的微波EM辐射的第二输入、和与所述第一和第二输入端通信用于将RF EM辐射和微波EM辐射传送到共同信号路径的输出;以及波导隔离器,其连接成将微波通道与RF EM辐射隔离,其中所述微波隔离器包括:导电输入区段;导电输出区段,其与所述输入区段配合以在由输入区段和输出区段包封的体积内界定波导腔体;和DC隔离障壁,其被布置在输入区段和输出区段之间,其中来自组合电路的输出包括信号导体和接地导体,其中所述隔离电路包括在来自组合电路的输出的接地导体和波导隔离器的导电输入区段之间的电容结构,所述电容结构被布置成抑制RF EM能量的耦合和微波EM能量的泄漏,并且其中波导隔离器具有可调节的阻抗。上文所述的组合电路、波导隔离器和电容结构的特征也可适用于本发明的这个方面。

本文中还公开了对微波通道上的放大器模块和微波信号耦合模块的改进。这些改进寻求提供更高功率输出、更大测量灵敏度和在测量信号中的发生器噪声的减小中的一者或多者。

第一改进涉及放大器模块的配置。在优选实施方案中,所述放大器模块包括驱动放大器,驱动放大器的输出在平行操作的四个功率放大器之间分配,所述分配在两个双向分配器级中发生。所述四个功率放大器可具有75W晶体管功率和10dB增益,所述属性可由降级的Mitsubishi MGFC50G5867提供。这个配置为饱和输出功率的热降级提供超出1dB的余量。所述设置可使得能够实现大于120W的总输出功率。

第二改进涉及微波信号耦合模块的配置。在优选实施方案中,使用4端口循环器,其中循环器的隔离和回波损耗可为20dB或更佳。

第三改进涉及反射功率耦合器的配置。在优选实施方案中,使用正交混频器来检测反射信号。这允许不期望信号的向量总和从自探头接收回的总信号减去,从而实现比平方律检测器可能实现的测量更准确的测量。

第四改进涉及放大器模块的配置。在优选实施方案中,所述放大器模块包括数字处理器,所述数字处理器被布置成在用于测量的信号从放大器模块输出之前使信号数字化。这可改善来自发生器的可耦合到模拟信号中的噪声的影响。

附图说明

下文参考附图呈现本发明背后的原理和本发明的实例的详细论述,其中:

图1是电外科装置的整体示意系统图,其中可使用本发明并且在上文对本发明进行了论述;

图2是作为本发明的实施方案的电外科装置中的隔离电路的示意图;

图3是作为本发明的另一实施方案的仅具有波导隔离器的隔离电路的示意图;

图4是适合用于图3的隔离电路的经适配的波导隔离器的横截面侧视图;和

图5A和5B是可在本发明的电外科装置中使用的正交混频器的示意图。

具体实施方式

在操作中,结合本发明使用的电外科装置目的在于准确测量从同轴电缆的远端反射的功率,使得可检测到工具的存在并且还使得其性能被评估。

反射功率的准确测量由于电缆中的衰减(其每次接近7dB)而变得困难,使得甚至远端处的总反射将给出14dB的回波损耗(即最初被馈送到电缆中的功率的1/25从电缆返回)。这将例如由于耦合器不准确性或靠近检测器的反射引起的不期望功率的相对影响放大了5倍。

如果使用低衰减电缆,那么可实现明显的改进。然而,内窥镜通道中的可用直径将最大直径强加于同轴电缆,并且内窥镜的长度对电缆强加最小长度,并且7dB衰减是当前可用的最佳衰减。

此外,应当记住在期望结合本发明使用的微波频率(即优选地,5.8GHz或更高)下,传输线上的电压和电流每隔18mm反转使得来自传输线上的不同位置处的反射的电压可不增加,而是反而可减小:事实上,它们必须作为向量增加,其中将方向(相位)以及振幅(电压)考虑在内。在实践中,这意味着与不期望的反射相关联的功率不确定性大至通过增加功率可预期的两倍,并且不期望的反射可不易于从测量减少来留下所期望的信号,这是因为需要了解不期望信号的电压和相位以使其从测量移除。

本公开论述了不期望电压的源,并且识别可用来抵消它们或减少它们对测量准确性的影响的技术。

在阻抗Z线中的正向行进波将被定义为具有电压V和功率V2/Z(0dB)。到达检测器的正向信号将通过循环器的隔离或耦合器的方向性衰减,其将由功率减小比率D表示(对于20dB的方向性,D=1/100),并且将由电压减小比率表示。到达检测器的传输器信号的相位将被定义为零。在检测器处由于传输器突破引起的复电压因此为VF=Vδexp(-j0)=Vδ。

检测器不测量复电压,但是将测量到达其的复电压的总和的量值。由于正向突破引起的复电压降被加到由于任何反射信号引起的复电压并且检测器将给出这个总和的量值。

反射信号也将为来自电缆的远端的反射、来自电缆前的组件的任何反射和来自电缆中的瑕疵的反射的总和。来自沿着具有长度L(约2m)和延迟长度ηL(约2.8m)的电缆的比例p的复合反射系数ΓR的代表性反射以及来自具有复合反射系数ΓD的远端的反射将被包括在计算中。电缆中的衰减是αn/m,对于2m电缆中观察到的大约7dB而言,该衰减为3.5dB/m或α=3.5ln(10)/20≈0.403n/m。

获得k=2π/λ、微波信号的自由空间波数和电缆的速度因数的倒数η,并且允许额外距离d通过隔离器区段和耦合器,在检测器处的复合反射信号为:

VR={ΓRexp(-j2kpηL)exp(-2αpL)+ΓDexp(-j2kηL)exp(-2αL)}exp(-jkd)。

此被加到来自传输器的突破之后变成:

VTOT=VF+VR

=V[δ+{ΓRexp(-j2kpηL)exp(-2αpL)+ΓDexp(-j2kηL)exp(-2αL)}exp(-jkd)]

忽略与等式的最后一行中的一切相乘的因数V,方括号中的第一项δ是常数,并且对于20dB方向性而言,该第一项是0.1。如果存在完善的负荷,那么这将是测量值。接下去两项的大小分别为ΓRexp(-2αpL)和ΓDexp(-2αL)。如果引起第二项的反射来自同轴电缆的近端,那么p=0并且第二项的大小变成ΓR。如果电缆的衰减每次为7dB(或,更精确地说,6.99dB),那么第三项的大小变成ΓD/5。

我们现在具有例如,

其中右手边的项的比率为0.1∶ΓR∶ΓD/5。对于制作良好的传输线,第二项会非常小,并且应当小于最后一项,但是第一项可能大于最后一项,所述最后一项是我们希望测得的,并且在理想情况下会非常小(我们希望其为零,即在理想情况下,没有功率从远端反射)。事实上,最后一项可能不大于第一项,这使得对其进行准确测量变得更困难。

单个项表示向量。除了已被定义为实数(即沿着x轴,具有零相位)的第一项以外,向量方向不确定,并且取决于复合反射系数ΓR和ΓD。而且,这个等式中含有j的指数项代表它们所乘的向量的旋转。在5.8GHz的频率下,在同轴电缆中约70%的速度因数下,每隔18mm电缆产生反射相位的360度旋转,因此小至1mm的电缆长度或缺陷位置的差可明显影响不同向量的相对方向(每毫米20度)。

再次以针对总电压的等式开始:

波形括号中的项是在电缆近端处的反射和在电缆远端处的反射的总和。所述总和可由绕向量ΓR的尖端旋转的向量ΓD/5表示。这将产生圆,其表示针对ΓD和ΓR的不同相位的所有可能结果的轨迹,并且它们之间的线长度差至小为18mm。

当频率改变约50MHz时,这也是将在向量网络分析器(VNA)上观察到的结果。这产生典型的周期性波浪起伏的型样,其被获得用于工具的回波损耗测量。如果电缆近端附近的任何缺陷的回波损耗为约14dB,那么来自不匹配的电缆的回波(14dB)可能将其完全消除,从而给出比30dB更佳的总回波损耗。在这种情况下,更佳的终接电缆(充分匹配的工具)将给出最差的总回波损耗,所述总回波损耗由缺陷的14dB回波损耗占主导。

在检测器处,ΓR和ΓD/5相加的结果被进一步旋转(通过方括号中的最后一项)并且将以不确定相位加到0.1传输器突破。所得电压可采用在最大值V(0.1+|ΓR|+|ΓD/5|)和最小值零之间的任何值,或如果V(0.1+|ΓR|+|ΓD/5|)大于零,则可采用V(0.1+|ΓR|+|ΓD/5|)。

图2是作为本发明的实施方案的电外科装置的隔离电路200的示意图。隔离电路200形成用于从RF信号发生器218传送RF EM辐射和从微波信号发生器220传送微波辐射到探头的馈送结构的部分。在本实施方案中,探头(未示出)可连接到提供在壳体226中的输出端口228。所述馈送结构包括具有用于传送RF EM辐射的RF信号路径212、214的RF通道和具有用于传送微波EM辐射的微波信号路径210的微波通道。RF EM辐射和微波辐射的信号路径彼此实体分离。RF信号发生器经由电压变压器216连接到RF信号路径212、214。变压器216的次级线圈(即在布置的探头侧上)在浮动,因此在患者和RF信号发生器218之间不存在直接电流路径。这意味着RF信号路径212、214的信号导体212和接地导体214两者在浮动。

组合电路206具有用于连接到RF信号路径212、214的第一输入203和用于连接到微波信号路径210的第二输入205。组合电路206将路径接合到输出207,输出207连接到共同信号路径208。可包括柔性电缆(例如,此类同轴电缆)的共同信号路径208将RF EM辐射和微波EM辐射传送到探头。在本实施方案中,组合电路206包括形成在低损耗微波电介质基底(例如由Rogers Corporation制造的RT/基底的合适类型)上的T形微带结合点。形成在基底的与T形微带结合点相对的侧上的微带结合点的接地平面连接到RF信号路径212、214的接地导体214。其因此在浮动。T形微带结合点提供第一输入端203,第一输入端203连接到RF信号路径的信号导体212。

带阻滤波器222被提供在第一输入203和具有微波微带线的结合点223之间的微带线上的分路器中呈三个插芯224形式的T形微带结合点上。最接近结合点的插芯与结合点隔开由微带传输的微波EM辐射的四分之一波长的奇数倍。后续插芯彼此分开所述波长的一半。使用一个以上插芯增加滤波器防止微波EM辐射逃逸到RF路径212、214中的效率。

隔离电路200包括串联连接在微波信号路径210上的波导隔离器202和同轴隔离器204(也称为DC断路器),所述微波信号路径210是在微波信号发生器220和第二输入端205之间。波导隔离器202和同轴隔离器204是充当高通滤波器的高效电容器。它们允许来自微波信号发生器220的微波EM辐射传递到组合电路206,但是防止RF EM辐射逃逸回到组合电路206的第二输入端205外进入微波信号发生器220中。

在本实施方案中,微波通道还包括接地插芯221,接地插芯221的长度等于由微带传输的微波EM辐射的四分之一波长的奇数倍以使没有通过波导隔离器和同轴隔离器逃逸的任何残余RF EM辐射短路,同时保持微波传输损耗于最小值。

波导隔离器202包括:输入端口230,其被布置成将来自微波信号发生器220的微波EM辐射耦合到波导隔离器202的波导腔体中;和输出端口232,其被布置成将来自波导腔体的微波EM辐射耦合到同轴隔离器204。波导隔离器202因此导致引导到同轴隔离器204中(并因此引导到组合电路206中)的微波信号路径210的信号导体和接地导体两者浮动。

绝缘套筒229被提供在壳体的输出端口228处以防止用于连接壳体的接地外壳与连接到输出端口228的浮动组件的电流路径。输出端口228可包括类型N螺纹或快速插拨连接器,例如以允许不同探头附接到壳体。

波导隔离器202能够以低损耗将微波EM辐射转移到组合电路206中并且转移到探头上,同时提供足够水平的患者保护。波导隔离器202自身可由圆柱形波导布置组成,所述圆柱形波导布置通过将第一区段和协作的第二区段伸缩在一起而形成。每个区段可具有用于将微波EM辐射耦合到波导中或外的连接器。例如,每个连接器可包括类型N插头,E场探头从所述插头延伸到波导腔体中以将微波能量耦合到腔体或从腔体耦合微波能量。

区段的内表面通过电介材料层(在本实施方案中为绝缘膜,例如由Kapton制造)彼此分离。外表面由刚性绝缘环分离,所述刚性绝缘环例如由塑料或聚氯乙烯(PVC)制造。波导隔离器202因此在信号传输路径(即在内导体之间)上和接地(即外)导体之间提供串联电容器。

圆柱形波导是优选的以便满足由国际电工委员会(IEC)标准60601-1设定的爬电距离和空气间隙的严格要求。在本发明中,功率和电压电平可要求爬电距离为至少21mm并且空气间隙为至少12mm。波导的几何形状的其它方面可如下确定。

端壁(其被接地)和E场探头的中心之间的距离在微波辐射的频率下优选地为四分之一波长,即以将短路状况(无E场)变换到开路(最大E场)。两个E场探头中心之间的距离在微波辐射频率下优选地为一半波长的倍数,其中阻抗将相同。

通过圆柱形波导的信号传播的主导模式(其展现出最低插入损耗)是TE11模式。使得信号能够传播所需的波导直径D由以下等式给出:

>D=1.8412cπfμrr>

其中c为光在真空中的速度,f为操作频率,μr为针对磁负载材料的相对可透性(磁负载因数),∈r是针对电负载材料的相对电容率(电介负载因数),并且因数1.8412来自针对支持传播的主导TE11模式的圆柱形波导的Bessel函数的解和针对在操作频率下最低插入损耗的截止频率的计算。

例如,如果结构没有被负载(如优选地实现最低插入损耗),那么针对在5.8GHz下传播的主导模式的直径D大于30.3mm。所用的实际直径可被选择为考虑或排除可以较大直径传播的模式。在一个实施方案中,直径为40.3mm。

圆柱形波导对于实现上述更高水平的保护是理想的。然而,需注意确保不存在过多跨越隔离接地(外导体)的电容,其可增加耦合在RF信号路径和隔离接地之间的RF能量的量,因此增加对患者的电冲击和烧灼的机会。

在图2所示的布置中在检测器和电缆的远端之间存在若干反射源。这些源包括:

■来自放大器的输出连接器,

■波导隔离器202,

■电容结构(DC断路器)204,

■信号组合器(双工器)203,

■上述组件之间的连接结构(例如同轴接头)230、232等等,

■电缆和发生器的输出端之间的连接228,

■在电外科工具的近端处的连接,和

■同轴电缆中的瑕疵。

为了减小反射的影响,并且使需要从测量移除的信号最小化,如果可能,则需要减少或最小化这些单个贡献。

来自放大器的输出连接器可使用标准连接器,例如N型连接器。N型连接器具有1.1的典型VSWR,其对应于约26dB的回波损耗。这无法被容易控制,并且可被预期在从无限回波损耗(最好的)到20dB范围内变化。

波导隔离器202可被预期为具有接近20dB的回波损耗。此可通过使用在输入端和/或输出端处的调谐螺钉进行调节,但是不可能被进一步改进得太多。这部分原因在于对测量不确定性的限制并且由于输入和输出连接器需要被消除并且在调节并测量测试设备上的回波损耗之后重新连接。

DC断路器204可展现出在12dB至14dB的区域中的回波损耗。本发明寻求通过使用波导隔离器202中的调谐螺钉231和/或RF通道上的可调节电抗来减小这种损耗。另选地,所述损耗可通过提供DC断路器作为波导隔离器的部分(参见图3和4)而减少。

双工器具有接近20dB的回波损耗。这出于类似于上文给出的原因而不可能被可靠地改进。

连接结构可包括上述组件之间的常规N型同轴弯管接头。此类弯管接头被预期为具有1.2的典型VSWR,因此各者回波损耗接近21dB。

在来自发生器的输出处的连接器可为Q-N连接器,其通常被指定为具有25dB的回波损耗。

在工具的近端处的连接器可为Q-MA连接器,其通常被指定为具有25dB的回波损耗。

例如由扭结或凹陷引起的对电缆的稍微损坏可导致部分自电缆向下的20dB回波损耗。小心地处置电缆可有助于减小此损耗。

表1示出了由上述反射引起的回波损耗的典型值的组合效果。

表1:回波损耗的组合效果

表1还示出了相关联的功率反射系数、电压反射系数和VSWR。由于每种反射的相位是未知的,并且可在总成与总成之间发生变化,所以总回波损耗是不确定的。然而,可计算‘RMS’值和最差(或最大)值。‘RMS’值是通过将功率反射系数相加而计算得出。如果存在若干反射,那么总反射与统一体相比仍然是小的,这给出了对可能值的良好估计。最大值是使用VSWR的乘积而计算得出。这是准确的,并且VSWR无法超出这个值,但是罕见地将达到这个值。

可见DC断路器的功率反射系数是在最终总系数的60%以上,使得减小此系数可将‘RMS’值减小50%以上,从而导致将回波损耗从-9.7dB改进到-12.6dB,如表2中所示。

回波损耗(dB)功率反射系数电压反射系数VSWR连接器260.00250.0501.11UHF隔离器200.01000.1001.22弯管210.00790.0891.20DC断路器200.01000.1001.22弯管210.00790.0891.20双工器200.01000.1001.22Q-N250.00320.0561.12Q-MA250.00320.0561.12‘RMS’12.6180.05470.2341.61最大值4.9350.32100.5673.61

表2:反射组合—改进的DC断路器

为了实现表2中所示的改进,图2中所示的实施方案具有并入到波导隔离器202中的一组调谐插芯231(在本实施例中为三个插芯)。此外,为了允许装置结合同轴电缆的不同长度(其向组件阵容呈现不同电容)使用,RF通道可具有可调节电抗217。所述可调节电抗可包括由来自微处理器的控制信号C1控制的切换式或电可调谐电容器或电感器。

图3是示出用于电外科装置的隔离电路的另一实施方案的示意图。与图2的实施方案相同的特征被赋予相同参考符号并且不再进行描述。在本实施方案中,所述隔离电路包括波导隔离器600,波导隔离器600的绝缘间隙被配置成提供必要水平的DC隔离,同时此外在RF能量频率下具有足够高的电容电抗以防止RF能量跨越绝缘间隙的耦合并且在微波能量频率下具有足够低的电容电抗以防止微波能量在间隙处的泄漏。详细参考图4说明间隙的配置。该间隙可为0.6mm或更大,例如0.75mm。这个配置意味着无需图2的实施方案中使用的同轴隔离器。

此外,在本实施例中,组合电路与波导隔离器600整合。承载RF信号的信号导体212和接地导体214被连接到同轴RF连接器602(RF馈送),同轴RF连接器602将RF信号引入到波导隔离器600中,在波导隔离器600中,将信号从输出端口232朝向探头传出。隔离间隙603被布置成防止RF信号耦合回到输入端口230中。通过小心地将内导电棒放置在波导隔离器内而防止微波能量耦合到RF连接器602中,如下文所说明。将RF能量和微波能量组合在波导隔离器中消除对单独组合电路的需求,其减少隔离电路所需的组件数目并且使得其能够被提供为更紧凑的单元。

调谐单元被并入到波导隔离器600中以便减少组件阵容的回波损耗,如下文所论述。在本实施方案中,所述调谐单元包括三个插芯231,三个插芯231可被可调节地插入例如拧入到腔体主体中。

此外,类似于图2,RF通道具有可调节电抗217,所述可调节电抗217可在来自微处理器的控制信号C1的控制下操作以适应(例如补偿)由与发生器一起使用的电缆的不同长度引起的电容改变。可调节电抗217可包括连接在分路器中或与RF通道串联连接的一个或多个切换式或电可调谐电容器或电感器。在隔离器600之前的可调节电抗的位置是优选的,这是因为如果其是在隔离器之后,那么可能有必要建立额外微波阻流器以防止RF电容改变微波阻抗。

图4示出了在图3的隔离电路中使用的经适配的波导隔离器600的横截面侧视图。波导隔离器600具有由两个配合部件组成的圆柱形主体。在本实施方案中,输入区段604是具有用于接收输出区段606的开口的凹组件,所述输出区段606具有协同凸组件。输入端口230和输出端口232分别安装在输入区段604和输出区段606上。在本实施方案中,调谐螺钉231是在输入区段604中。

在实践中,调谐区段将从输入连接器/探头沿着波导定位。图4示出了其中调谐螺钉与输入探头相对的布置,但是可能优选的是使调谐螺钉在波导的短区段中,在所述短区段中无其它组件。在实践中,如果其它组件沿着波导长度远离调谐螺钉30mm或更多,那么可避免那些组件和调谐螺钉之间的任何可能互动。

调谐螺钉可提供在波导的输出区段中。然而,在本实施方案中,输出区段具有被选定以允许TM01模式传播的直径。在这种情况下,优选的是避免在输出区段中定位调谐螺钉以确保这种模式不会被偶然激发。

使输入区段604与输出区段606绝缘的DC间隙包括多个组件部件。所述组件部件全部具有围绕圆柱形主体的轴的旋转对称性。第一组件部件是主绝缘环608,例如其由例如塑料或聚氯乙烯(PVC)等的刚性材料制成,其包围输出区段606的凸组件并且将输入区段604的外表面和输出区段606的外表面分离(并且电隔离)。

绝缘环608的轴向长度短于输出区段606的凸组件,使得凸组件的长度延伸超出绝缘环608的远端。凸组件的这个区段与输入区段604的凸组件的远端重叠。DC间隙的第二组件部件为次级绝缘环612(其可与主绝缘环608形成为一体),其提供凸组件的远端和凹组件的远端之间的径向绝缘。

DC间隙的第三组件部件为绝缘膜610(例如一个或多个带层),其覆盖输入区段604的内部表面达超出输出区段606的远端的轴向长度。所述绝缘膜可将输入区段与任何边缘场在输出区段606的远端处隔离。

DC间隙的第四组件部件是空气填充的微波阻流器614,微波阻流器614为输入区段604的远端中的窄环形通道。微波阻流器614的存在降低微波能量频率下的电容电抗,其防止在DC间隙处的微波能量泄漏(例如辐射)。

在本实施方案中DC间隙配置的增加的复杂性通过加宽输入区段和输出区段之间的‘平均’间隙而增加RF能量频率下的电容电抗。同时微波阻流器614的存在利用谐振效应来确保微波能量频率下的电容电抗低至足以避免微波能量从间隙泄漏。

在本实施方案中,波导隔离器还充当组合电路。RF连接器602具有突出到波导隔离器中的内导电棒616,其中其在与同轴输出探头(输出端口232)的内导体618的端部隔开的点处与内导体618交汇。内导电棒的位置被选择为基本上平行于波导隔离器中的微波能量的等势面(即其平均垂直于隔离器中的场线)而铺设使得其不耦合任何明显的微波功率。这个位置可由已知刺激技术确定。鉴于导电棒616不是由微波能量驱动并且不承载任何微波电流,所以可选择其厚度而不具有负面影响。类似于内导体618的简单电线是合适的。

由于间隙是大的,所以预期电压平衡是高的。因此,在其经过隔离器600的壁时分别包围内导体618和导电棒616的介电材料(例如PTFE套筒620、622)被布置成延伸一定距离到腔体中。这种布置可增大横跨其中探头进入腔体中的点跟踪(RF馈送和微波馈送)的距离,并且因此是增大击穿电压的有效方式。

此外,微波阻流器624可被提供在RF馈送外部以减少微波能量的任何泄漏。这可被添加或内建。微波阻流器624在本实施方案中被描绘为RF馈送的外壁中的圆柱形元件。然而径向阻流器可同样运作良好。

在装置处于测试中时,可调节波导隔离器600中的插芯231以将来自阵容中的所有组件的总反射减少到低于-20dB。此影响在下文示于表3中。‘RMS’回波损耗是-17.2dB。并且最差情况将为-11.8dB。

回波损耗(dB)功率反射系数电压反射系数VSWR连接器260.00250.0501.11整合的隔离器200.01000.1001.22Q-N250.00320.0561.12Q-MA250.00320.0561.12‘RMS’17.250.01880.1371.32最大值11.79540.06610.2571.69

表3:反射的组合—整合的隔离器

如果调谐器是在原位使用,那么尽管回波损耗是使用后向功率检测器监测,也应当可将耦合器突破和所有连接组件的回波损耗的组合效应减少到低于20dB,前提是总成终接于良好负载中,即回波损耗明显大于30dB的负载。这将仅留下来自QN和QMA连接器和电缆中的任何瑕疵的不期望反射。来自这些组件的典型的剩余VSWR和回波损耗示于表4中。

回波损耗(dB)功率反射系数电压反射系数VSWRQ-N250.00320.0561.12Q-MA250.00320.0561.12‘RMS’21.98970.00630.0801.17最大值19.006820.01260.1121.25

表4:反射组合—在原位调谐

这个校正对于由明显反射(包括调谐器)与另外耦合器突破之间的延迟距离确定的带宽将是有效的。如果所用的负载例如是Q-MA连接器的远侧上的损耗性电缆,那么耦合器突破和Q-MA连接器处的反射之间的延迟距离将是约2m(考虑到发生器阵容的典型长度、电缆和电缆内部的电介质常数)。对于反射之间的干扰,这远离经历一个完整的循环,频率将需要改变750MHz。在这带宽的1/12处,消除将为6dB,对于每带宽的一半,消除增加6dB。对于15MHz带宽,应实现18dB的消除。由于这两个组件的原始组合回波损耗被预期为不超过17dB,那么对于15MHz带宽,此可减小到低于35dB。

例如,如果将待测量的回波损耗处在14dB至24dB的区域中,并且总的不期望信号可被保持为低于35dB,那么这将产生约14dB+/-0.8dB和约24dB+/-2.5dB的不确定性。

如上文关于图1所论述,微波通道包括功率放大器412。以下论述描述对功率放大器和可形成本文所述的本发明的独立方面的相关组件的改进。

存在其中功率放大器412和相关正向和逆向检测器414、418的性能和行为可被最优化以用于上文所述的电外科发生器中的多个领域:

-更高功率输出;

-正向和逆向检测器的灵敏度;

-从功率放大器输出的监测信号中的发生器噪声的减小。

为了获得更高功率,有必要使用更多放大器芯片或增大每个芯片的功率。在图1所示的已知布置中,功率放大器412包括驱动功率输出级中的四个平行晶体管的一个初始晶体管,此给予每个晶体管约25W功率。如果这个配置被维持,那么将期望在这些晶体管中的每个处产生超出40W的功率。增大晶体管的数目将需要改变分配器设计以及使用一个(多个)额外组件的更多板空间。

期望微波能量的频率为5.8GHz。在此频率下,期望能够在发生器的输出端处传递120W功率,其中备用性能在手中以用于由温度变动引起的降级。需要基于增益和饱和的功率输出对晶体管作出谨慎选择,如通过下列分析所示。

下表5示出了适于在5.8GHz下使用的一些微波功率晶体管的一些性能参数。

表5:一些GaAs晶体管的参数

构建简单的电子数据表模型来确定哪些晶体管可使用。所需输出功率被设定为120W。对于表6中的参数,所述模型给出表7中所示的结果。

晶体管功率75W晶体管增益10dB分配器-3.5dB组合器2.5dB循环器-0.5dBDC断路器-0.5dB

表6:简单功率输出级的常数

表7:通过简单组合器电路和输出级的功率

此模型展示使用五个晶体管,其中单个晶体管作为预放大器,其后是四个平行晶体管,对于约3.75W的输入功率,可预期约188W的输出功率。这增益比从放大器预期的20dB少,因为已经允许两个双向分配器中的每个、两个双向组合器中的每个以及循环器和输出DC断路器损耗0.5dB,使得总损耗为3dB。

已经使用了75W的晶体管功率和10dB的增益,其可例如对应于降级的MitsubishiMGFC50G5867。这对于饱和输出功率的热降级仅允许1dB以上的余量。即使在这个降级下,188W的建模输出功率比120W的目标功率高出接近2dB。虽然具有50W输出功率的四个晶体管可被组合成给出125W输出,但是对于热降级(或对于其它非最优性能)仅存在0.2dB余量。这余量太低并且在高温下或在长时间使用后可能会造成功率稳定性问题,这类似于当前放大器中所见的问题。

这个分析证实在不需要新板布局或不需要花费额外晶体管组件的情况下可如何实现额外功率。

现在参考正向和逆向检测器配置,本文中所提出的改进寻求解决三个问题:

(1)耦合器的不良方向性;

(2)来自探头的反射信号通过电缆的明显衰减。此衰减导致信号与反射自连接器和传输线中的其它组件的其它小信号相当,并且也与通过循环器的正向信号的突破相当。也可存在来自逆向信号线的终端的反射的突破,因为存在不良的耦合器方向性。这使得很难使用简单的功率检测器从探头准确测量信号。

(3)通过来自循环器的反射和凭借通过循环器的逆向信号的突破对正向检测器信号的污染,这两者可只比正向信号低15dB。这可因检测器耦合器的不良方向性恶化。

正向检测器性能可以下列方式改进。

首先,正向检测器耦合器的方向性可通过适当建模和设计(即考虑基底、阻抗、耦合因数和几何形状)被改进为20dB或更多。不期望尝试调谐总成之后的耦合器来实现期望的二极管功率,这是因为此常常对方向性产生不好的影响。逆向检测器的性能可以类似方式改进。

其次,循环器的隔离和回波损耗可被改进为20dB或更好。这可通过使用4端口循环器而完成。这样做也将改进逆向检测器性能。

可通过使用正交混频器代替逆向检测器(其为平方律检测器)获得明显的改进,使得可测量不期望信号的向量总和并且接着从包括来自尖端的反射的总信号的向量总和减去所述向量总和。使用这种方法实现不期望信号的20dB消除是可能的。正交混频器需要与将被测量的信号相干的参考信号,即使用相同时钟信号产生的信号。参考信号(100mW)可在功率放大级之前或之后获得(耦合)。

由正交混频器提供的对平方律检测器的改进通过以下分析来证实。

平方律检测器给出与在输入处的电压的平方成比例的输出信号。这将包含由平方法产生的频率倍数,但是这些频率由低通滤波器滤除使得仅输出缓慢变化的信号,即在比微波频率低得多的频率下。如果一次有多个信号到达检测器,那么输出是来自所有信号的电压的总和的平方。

>VSUM=Σnvn=Σnreal[anexp(j(ωnt+φn))]=real[Σnanexp(j(ωnt+φn))]=Σnan[exp(j(ωnt+φn))+exp(-j(ωnt+φn))]>

>VSUM2={Σnvn}2={Σnan[exp(j(ωnt+φn))+exp(-j(ωnt+φn))]}2=ΣmΣnamanexp(j((ωm+ωn)t+φm+φn))+exp(j((ωm-ωn)t+φm-φn))+exp(-j((ωm+ωn)t+φm+φn))+exp(-j((ωm-ωn)t+φm-φn))>

所有这些组件具有频率(ωmn)或|ωmn|。如果m=n,那么|ωmn|=0,并且这是DC项,并且可使用低通滤波器来选择。

如果所述信号均处于不同频率,那么所得DC信号是

如果所述信号处于相同频率,那么电压总和的平方为

>VSUM2={Σnvn}2={Σnan[exp(j(ωt+φn))+exp(-j(ωt+φn))]}2=ΣmΣnamanexp(j(2ωt+φm+φn))+exp(j(φm-φn))+exp(-j(2ωt+φm+φn))+exp(-j(φm-φn))>

此等式的DC分量为

>VDC2=ΣmΣnaman[exp(j(φm-φn))+exp(-j(φm-φn))]=2ΣmΣnamancos(φm-φn)>

伴随这个等式的复杂性在于余弦可为正或负,其取决于括号中的两个相位的差,并且在一些情况中,总和可为零。

这意味着在一个信号或处于不同频率的多个信号下,我们可使用平方律检测器测量总功率,但是在相同频率下的两个或更多个信号下,我们有时可能测量不到功率,并且通常会测量不到总功率。

如果在少于一个信号的情况下进行测量(即当我们在寻找的信号被关闭时),并且该信号之后的另一信号被添加(即,被再次打开),那么差将为

>ΔVDC2=2ΣNΣNamancos(φm-φn)-2ΣN-1ΣN-1amancos(φm-φn)=2aN{ancos(φN-φn)}+aN2=aN(2ΣN-1{ancos(φN-φn)}+aN)>

因此,所述差不仅等于额外信号中的功率,而且涉及很多可能为正或负的其它项的总和。

在具有相同频率的其它信号也存在于平方律检测器处时,无法确定一个信号的功率,除非所有额外项的相位可被独立改变,或将被确定的信号的相位可被独立改变使得总和中的余弦项可被消除。这可通过例如进行两次测量而完成,其中将被测量的信号的相位改变180度,而所有其它信号的相位不变。两个不同信号的总和如果相加在一起,那么将彼此抵消,但是期望信号则将相加。

>[2aNΣN-1{ancos(φN-φn)}+aN2]+[2aNΣN-1{-ancos(φN-φn)}+aN2]=2aN2>

不清楚的是,期望信号的相位可如何在不改变不期望信号的相位的情况下改变,或其它信号的相位可如何在不改变期望信号的相位的情况下改变。如果这无法完成,那么平方律检测器在存在处于相同频率的其它不期望信号(即反射和突破)时无法测量期望信号的功率。

正交检测器以三种方式明显不同于平方律检测器:

-其需要两个输入:待测量的信号和参考信号。

-其具有两个输出,它们是90度异相(在参考信号的频率下为四分之一循环)。

-每个输出信号与总输入电压成比例,与功率不成比例。

两个输出通道通常被称为“I”和“Q”、“余弦”和“正弦”或“同相”和“正交”。它们与总输入电压成比例,并且与总信号的相位的余弦和正弦成比例。

所述两个信号为I=A|VTOT|cos(φTOTREF)和Q=A|VTOT|sin(φTOTREF)。

接着可从I和Q信号确定A|VTOT|和(φTOTREF),其中A为混频器的电压增益(通常被指定为转换损耗,以dB表示)。

>VTOT=|VTOT|exp(TOT)=Σn|Vn|exp(n)>

如果待测量的信号不存在(但是所有干扰信号仍存在),那么

>VNOT=|VNOT|exp(NOT)=ΣN-1|Vn|exp(n)=VTOT-|VN|exp(N)>

期望信号可通过两个测量之间的差识别。

>AVN=A(VTOT-VNOT)=A(ΣN|Vn|exp(n)-ΣN-1|Vn|exp(n))=A|VN|exp(N)>

可使正交混频器为芯片或IC,例如Hittite HMC525。

正交检测器可使用在标称上频率与将被检测的信号相同的参考信号,或其可使用具有不同频率的参考信号。任何差必须小于检测器的IF带宽。

在第一种情况下,所检测的信号被向下转换到(小频带周围的)DC。在第二种情况下,信号被向下转换到中间频率(IF)。其可接着在两个次级混频器(每个通道使用一个混频器)中被后续向下转换到DC。

为了将(所需)相位信息保留在向下转换的信号中,需要将所有参考信号从信号频率参考导出。对于在DC处将存在的最终结果,两个参考频率必须合计达确切的信号频率参考(或相差确切的信号频率参考)。

图5A示出了具有到基频带的直接向下转换(DC)的正交混频器的简化布局。电路未示出可用在各个位置处的任何滤波器、衰减器或移相器。

图5B示出了其中初始向下转换是到中间频率的更复杂形式。当必需放大信号同时其仍然处于其中低频率噪声不成问题但放大器和滤波器易于构建的频率时,往往是这样做的。也可能使用该形式使得参考信号和IF可被连接到板的另一部分而不存在干扰(反馈或串扰)问题,它们之中的任何一者都不处于主信号的频率。

内部布局被设计成使得信号在两个内部混频器702、704之间被均等分割,其中两个部分具有相同路径长度,但是从中间混频器706到内部混频器702、704的相应参考路径具有四分之一波差。这个路径差导致输出信号正交,它们之中的一个与参考频率下的余弦电压相比较,并且另一个与参考频率下的正弦电压相比较。

现在参考减少输出信号上的噪声的想法,存在两个可能的噪声源。

首先,放大器的接地由于驱动放大器功率级所需的高电流而不处于底板接地,这导致电源的地线和放大器的地线之间的电压降,即使在使用相当粗的电线时也是如此。

其次,如果对发生器中的电源施以脉冲,那么电源产生许多噪声,噪声被耦合到其中监测信号被数字化的发生器板上的功率放大器引线和迹线。许多噪声所处的频率与采样频率相当或高于采样频率。如果高频率噪声以低采样率被数字化,那么其被叠频并且增加数字化信号中低频率下的噪声电平。

噪声可以下列方式减少。

首先,由叠频引起的增加的噪声可通过根据尼奎斯特准则使模拟滤波器带宽与采样频率正确匹配而消除,即在发生采样之前模拟滤波器带宽(低通滤波器的最高频率)应当为数字采样频率的一半。如果需要改变采样频率,那么应当改变滤波器或并入多个滤波器使得可根据需要选择正确的带宽。

其次,可通过将数字处理器并入功率放大器中,以及在所有所测量信号从放大器模块输出之前将它们数字化,而减少所测量信号中的噪声。如果数字处理器被并入功率放大器模块中,那么其可用于其它功率放大器控制功能。

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