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公开/公告号CN105814639A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201480066948.5
发明设计人 X·董;J·P·金;J·徐;
申请日2014-11-20
分类号G11C11/406(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人亓云
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 00:09:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-14
专利权的视为放弃 IPC(主分类):G11C11/406 放弃生效日:20190514 申请日:20141120
专利权的视为放弃
2016-08-24
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/406 申请日:20141120
实质审查的生效
2016-07-27
公开
机译: 使用下一个位表刷新存储单元的方案
机译: 下一个位表的存储单元刷新方案
机译:一个由所有NiO存储和开关元件组成的简单设备单元,用于多层T比特非易失性随机存取存储器
机译:用于纳米晶体存储器的溶液处理的双层Pt-SiO2核 - 壳纳米粒子,具有多比特存储状态
机译:具有位线驱动的读取方案和非松弛参考单元的2V / 100ns 1T / 1C非易失性铁电存储器架构
机译:RRAM刷新电路:提出的解决方案,用于解决HFO2 / HF 1T1R RRAM存储器单元的软错误故障
机译:适用于下一代非易失性存储器的具有计算能力的SSD架构。
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机译:基于免刷新动态标准单元的存储器:应用于QC-LDPC解码器
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