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一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法

摘要

本发明提供一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法,包括:首先制备铜镍合金衬底;然后提供一金属片,将所述铜镍合金衬底和金属片进行清洗后置于化学气相沉积腔室内,其中,所述金属片位于所述铜镍合金衬底表面上方预设距离处;最后往所述化学气相沉积腔室内通入Ar和CH4的混合气氛,并且设置在一定压强和温度下,在所述铜镍合金上生长获得少层石墨烯。本发明利用高温下金属片产生的大量金属蒸气,在铜镍合金衬底表面形成一层富金属层,同时利用铜镍合金快速生长高质量石墨烯的特点,通过调节优化生长参数,达到快速生长层数可控石墨烯的目的。本发明方法操作简单,成本低,可重复性好,为双层石墨烯在光电器件等领域的应用和工业化发展打下了基础。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/26 申请公布日:20160720 申请日:20160523

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-08-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/26 申请日:20160523

    实质审查的生效

  • 2016-07-20

    公开

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