一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种高质量MIS栅结构的GaN MISFET及其制备方法。具体涉及MIS界面的改进方法，该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅介质层、源极、漏极、栅极。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层和GaN外延层，以及AlN薄层，其上再选择区域生长二次外延层，并形成凹槽沟道。再沉积栅介质层，栅极金属覆盖于凹槽沟道栅介质层之上，栅极两端覆盖金属形成源极和漏极。本发明器件结构和制备工艺简单可靠，能形成高质量的MIS栅界面，提高GaN MISFET器件的性能，尤其是对沟道电阻的降低以及阈值电压稳定性问题的改善是十分关键的。