整合中介层及双布线结构的线路板及其制作方法

摘要

一种整合有中介层及双布线结构的线路板，其特征在于，中介层及第一布线结构位于加强层的贯穿开口中，而第二布线结构则设置在加强层的贯穿开口外。该加强层所具有的机械强度可避免线路板发生弯翘情况。该中介层可对后续接置其上的半导体元件提供初级的扇出路由。该第一布线结构可进一步将中介层的垫尺寸及垫间距放大，而该第二布线结构不仅可提供进一步的扇出线路结构，其亦可将第一布线结构与加强层机械接合。

说明书

技术领域

本发明涉及一种线路板及其制作方法，尤其涉及一种将中介层互连至 双布线结构的线路板，其整合为一体的双布线结构分别位于加强层的贯穿 开口内及贯穿开口外。

背景技术

就高脚数半导体晶片封装及组件而言，其必需提供高密度线路板，以 供半导体晶片置在其上，进而将晶片I/O垫布线成具有更大的垫间距，以 实现可靠的板级组装(board-levelassembly)。例如，美国专利案号9,060,455， 9,089,041，8,859,912及8,797,757揭露的各种无核心层基板，即是为了晶片 的扇出路由。相较于具核心层基板，无核心层基板具有较低寄生电阻、较 低电感及电容等优点。最重要的是，无核心层基板的互连密度相较于已知 具核心层基板高上许多，此为应用于精细间距及高I/O所需的重要特性。 然而，由于无核心层基板容易因加工工艺中重复加热及冷却而发生弯翘， 因而仍无法被普遍采用。美国专利案号8,860,205，7,981,728及7,902,660 企图解决此问题却收效甚微。

更糟的是，由于半导体晶片的热膨胀系数(硅约3至4ppm)较有机 基板(环氧树脂约15ppm)来的低，故常因热膨胀系数(CTE)不匹配而 导致界面应力，使得晶片级连接(chip-levelconnection)的可靠度不佳。

为了上述理由及以下所述的其他理由，目前亟需发展一种新式线路板， 以满足高效能IC封装的需求，并改善信号完整度，且达到较高生产合格 率、较高可靠度及较低成本。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种线路板，其将一无机中介层整合于线 路板的顶面处，以便使具有低热膨胀系数(CTE)且高模量的中介层可提 供可靠的界面供晶片连接用。

本发明的另一目的在于提供一种线路板，其将该中介层与双布线结构 结合，以提供阶段式的扇出路由，从而可改善生产合格率且降低成本。

本发明的再一目的在于提供一种线路板，其将中介层及第一布线结构 设置于加强层的贯穿开口中，以避免线路板中央区域发生弯翘，以便可以 改善晶片级组装(chip-levelassembly)的可靠度。

本发明的又一目的在于提供一种线路板，其将第二布线结构设置于加 强层的贯穿开口外，使线路板最外区域的弯翘现象获得良好控制，从而可 以改善板级组装(board-levelassembly)的可靠度。

依据上述及其他目的，本发明提供一种线路板，其包括一加强层、一 中介层、一第一布线结构及一第二布线结构。在一较佳实施例中，该加强 层具有一贯穿开口，且可对中介层及整合成一体的双布线结构提供高模量 抗弯平台；该中介层位于加强层的贯穿开口内，并对后续组装其上的晶片 提供初级的扇出路由，以避免I/O垫间距紧密而可能导致微盲孔未连接上 接合垫的问题；第一布线结构位于加强层的贯穿开口内并电性耦接至中介 层，以提供第二级的扇出路由，以便在进行后续形成第二布线结构前，将 中介层的垫尺寸及间距进一步放大；第二布线结构则侧向延伸于加强层上， 并电性连接至第一布线结构，且第二布线结构可将第一布线结构与加强层 机械接合，同时提供进一步的扇出路由，并具有与下一级组件相符的垫间 距及尺寸。

在另一实施方式中，本发明提供一种整合中介层与双布线结构的线路 板，其包括：一中介层，其具有多个接触垫、多个接合垫及多个金属化导 孔，其中这些接触垫位于其第一表面处，这些接合垫位于其相对的第二表 面处，且这些金属化导孔电性耦接这些接合垫与这些接触垫；一第一布线 结构，其覆盖该中介层的该第一表面及侧壁，并电性耦接至该中介层的这 些接触垫，且包括侧向延伸超过该中介层外围边缘的至少一导线；一第二 布线结构，其电性耦接至该第一布线结构，且包括至少一导线，其中该至 少一导线侧向延伸于该第一布线结构上，且侧向延伸超过该第一布线结构 外围边缘；以及一加强层，其具有延伸穿过该加强层的一贯穿开口，其中 该中介层及该第一布线结构位于该加强层的该贯穿开口内，而该第二布线 结构设置于该加强层的该贯穿开口外并在该加强层的一外表面上。

在又一实施方式中，本发明提供一种整合中介层与双布线结构的线路 板制作方法，其包括下述步骤：提供一电性元件，其包括一可移除的牺牲 载板、一中介层及一第一布线结构，其中(i)该中介层具有多个接触垫、 多个接合垫及多个金属化导孔，这些接触垫位于其第一表面处，这些接合 垫位于其相对的第二表面处，这些金属化导孔电性耦接这些接合垫与这些 接触垫，且该中介层以该第二表面朝向该牺牲载板的方式设置在该牺牲载 板上，以及(ii)该第一布线结构覆盖该中介层的该第一表面与侧壁及该 牺牲载板，并电性耦接至该中介层的这些接触垫，且包括侧向延伸超过该 中介层外围边缘的至少一导线；提供一加强层，其具有延伸穿过该加强层 的一贯穿开口；将该电性元件插入该加强层的该贯穿开口中；形成一第二 布线结构，其电性耦接至该第一布线结构，并设置于该加强层的该贯穿开 口外并在该加强层的一外表面上，且包括至少一导线，其中该至少一导线 侧向延伸于该第一布线结构上，且侧向延伸超过该第一布线结构外围边缘； 以及移除该牺牲载板，以显露该中介层的这些接合垫。

除非特别描述或必须依序发生的步骤，上述步骤的顺序并不限于以上 所列，且可根据所需设计而变化或重新安排。

本发明的线路板制作方法具有许多优点。举例来说，在形成第二布线 结构前将该电性元件插入加强层贯穿开口的作法是特别具有优势的，其原 因在于，该电性元件中的牺牲载板可与该加强层共同提供一稳定的平台， 以供第二布线结构的形成，且可避免后续形成第二布线结构时发生微盲孔 未连接上的问题。此外，通过三阶段步骤以形成晶片的互连基板是有利的， 其原因在于，中介层可提供初级的扇出路由及CTE相匹配的界面，而双 重增层电路可提供进一步的扇出路由及水平互连，且当需形成多层布线电 路时，此作法可避免发生严重的弯曲问题。

本发明的上述及其他特征与优点可通过下述较佳实施例的详细叙述 更加清楚明了。

附图说明

参考随附附图，本发明可通过下述较佳实施例的详细叙述更加清楚明 了，其中：

图1及2分别为本发明第一实施方式中，在牺牲载板上形成定位件的 剖视图及顶部立体示意图；

图3及4分别为本发明第一实施方式中，将中介层贴附至图1及2牺 牲载板上的剖视图及顶部立体示意图；

图5为本发明第一实施方式中，图3结构上形成平衡层的剖视图；

图6为本发明第一实施方式中，图5结构上形成第一介电层及第一盲 孔的剖视图；

图7为本发明第一实施方式中，图6结构上形成第一导线的剖视图；

图8为本发明第一实施方式中，图7结构上形成第二介电层及第二盲 孔的剖视图；

图9为本发明第一实施方式中，图8结构上形成第二导线的剖视图；

图10及11分别为本发明第一实施方式中，图9的面板尺寸结构切割 后的剖视图及顶部立体示意图；

图12及13分别为本发明第一实施方式中，对应于图10及11切离单 元的电性元件剖视图及顶部立体示意图；

图14为本发明第一实施方式中，加强层设置于载膜上的剖视图；

图15为本发明第一实施方式中，图12的电性元件贴附至图14载膜 的剖视图；

图16为本发明第一实施方式中，图15结构上形成第三介电层及金属 层的剖视图；

图17为本发明第一实施方式中，图16结构上形成第三盲孔的剖视图；

图18为本发明第一实施方式中，图17结构上形成第三导线的剖视图；

图19为本发明第一实施方式中，自图18结构移除载膜及牺牲载板的 剖视图；

图20及21分别为本发明第一实施方式中，自图19结构移除粘合剂， 以制作完成线路板的剖视图及底部立体示意图；

图22为本发明第一实施方式中，半导体元件接置于图20线路板上的 半导体组体的剖视图；

图23及24分别为本发明第二实施方式中，具有盲孔的基板剖视图及 底部立体示意图；

图25为本发明第二实施方式中，图23结构上形成金属化导孔的剖视 图；

图26及27分别为本发明第二实施方式中，图25结构上形成底侧线 路，以完成中介层面板半成品的剖视图及底部立体视图；

图28及29分别为本发明第二实施方式中，图26及27的面板尺寸结 构切割后的剖视图及底部立体示意图；

图30及31分别为本发明第二实施方式中，对应于图28及29切离单 元的中介层半成品剖视图及底部立体示意图；

图32及33分别为本发明第二实施方式中，在牺牲载板上形成定位件 的剖视图及顶部立体示意图；

图34及35分别为本发明第二实施方式中，将图30及31中介层半成 品贴附至图32及33牺牲载板上的剖视图及顶部立体示意图；

图36为本发明第二实施方式中，图34结构上形成平衡层的剖视图；

图37为本发明第二实施方式中，移除部分图36结构的剖视图；

图38及39分别为本发明第二实施方式中，图37结构上形成顶侧线 路的剖视图及顶部立体视图；

图40为本发明第二实施方式中，图38结构上形成第一介电层及第一 盲孔的剖视图；

图41为本发明第二实施方式中，图40结构上形成第一导线的剖视图；

图42及43分别为本发明第二实施方式中，图41的面板尺寸结构切 割后的剖视图及顶部立体视图；

图44及45分别为本发明第二实施方式中，对应于图42及43切离单 元的电性元件剖视图及顶部立体示意图；

图46为本发明第二实施方式中，图44的电性元件贴附至图14载膜 的剖视图；

图47为本发明第二实施方式中，图46结构上形成第二介电层及金属 层的剖视图；

图48为本发明第二实施方式中，图47结构上形成第二盲孔的剖视图；

图49为本发明第二实施方式中，图48结构上形成第二导线的剖视图；

图50为本发明第二实施方式中，自图49结构移除载膜及牺牲载板的 剖视图；

图51为本发明第二实施方式中，自图50结构移除粘合剂，以制作完 成线路板的剖视图；

图52为本发明第三实施方式中，图44的电性元件及加强层置在第二 介电层/金属层上的剖视图；

图53为本发明第三实施方式中，图52结构进行层压工艺后的剖视图；

图54为本发明第三实施方式中，图53结构上形成第二盲孔的剖视图；

图55为本发明第三实施方式中，图54结构上形成第二导线的剖视图；

图56为本发明第三实施方式中，自图55结构移除牺牲载板及粘合剂， 以制作完成线路板的剖视图；以及

图57为本发明第三实施方式中，半导体元件接置于图56线路板上的 半导体组体的剖视图。

【符号说明】

电性元件10

线路板100、200、300

第一表面101、102、201

第二表面103、203

盲孔104

第一端106

第二端107

牺牲载板11

定位件13

粘合剂14

中介层15

中介层半成品15’

基板151

接触垫152

接合垫154

金属化导孔156

底侧线路157

顶侧线路158

第一布线结构17

平衡层171

第一介电层172

第一盲孔173

第一导线174

第一导电盲孔175

第二介电层176、422

第二盲孔177、423

第二导线178、424

第二导电盲孔179、425

加强层20

贯穿开口205

凹穴206

载膜30

第二布线结构40

金属层41、42

第三介电层412

第三盲孔413

第三导线414

三导电盲孔415

半导体元件51

焊料凸块71

底胶81

切割线L

具体实施方式

在下文中，将提供一实施例以详细说明本发明的实施方式。本发明的 优点以及功效将通过本发明下述内容而更为显著。在此说明所附的附图是 简化过且做为例示用。附图中所示的元件数量、形状及尺寸可依据实际情 况而进行修改，且元件的配置可能更为复杂。本发明中也可进行其他方面 的实践或应用，且不偏离本发明所定义的精神及范畴的条件下，可进行各 种变化以及调整。

[实施例1]

图1-21为本发明一实施方式中，一种线路板的制作方法图，其包括一 中介层15、一第一布线结构17、一加强层20及一第二布线结构40。

图1及2分别为牺牲载板11上具有多组定位件13的剖视图及顶部立 体示意图。牺牲载板11通常由铜、铝、铁、镍、锡、不锈钢或其他金属 或合金制成，但亦可由任何其他导电或非导电材料制成。牺牲载板11的 厚度较佳为0.1毫米至2.0毫米。定位件13从牺牲载板11的顶面凸起， 其厚度可为5至200微米。在本实施方式中，该牺牲载板11具有1.0毫米 厚度，而定位件13具有50微米厚度。若使用导电的牺牲载板11，则定位 件13通常通过金属(如铜)的图案化沉积法形成在牺牲载板11上，如电 镀、化学镀、蒸镀、溅镀或其组合，并同时使用光刻成像技术。或者，若 是使用非导电的牺牲载板11，则可使用阻焊掩膜(soldermask)或光致抗 蚀剂材料以形成定位件13。如图2所示，每组定位件13由多个凸柱组成， 并与随后设置的中介层的四角相符。然而，定位件的图案不限于此，其可 具有防止随后设置的中介层发生不必要位移的其他各种图案。举例来说， 定位件13可由一连续或不连续的凸条所组成，并与随后设置的中介层四 侧边、两对角或四角相符。或者，定位件13可侧向延伸至牺牲载板11的 外围边缘，并具有与随后设置的中介层外围边缘相符的内周围边缘。

图3及4分别为中介层15通过粘合剂14贴附至牺牲载板11的剖视 图及顶部立体示意图。每一中介层15包括在第一表面102上的接触垫152、 在第二表面103上的接合垫154、以及电性耦接接触垫152与接合垫154 的金属化导孔156。中介层15可为硅中介层、玻璃中介层或陶瓷中介层， 其厚度可为50微米至500微米。在本实施方式中，这些中介层15的厚度 为200微米。中介层15以其第二表面103面向牺牲载板11的方式贴附至 牺牲载板11上，且每组定位件13侧向对准并靠近每一中介层15的外围 边缘。定位件13可控制中介层15置放的准确度。定位件13朝向上方向 延伸超过中介层15的第二表面103，并且位于中介层15的四角外，同时 在侧面方向上侧向对准中介层15的四角。由于定位件13侧向靠近且符合 中介层15的四角，故其可避免中介层15在粘合剂固化时发生任何不必要 的位移。定位件13与中介层15间的间隙较佳是在约5至50微米的范围 内。中介层15的贴附步骤亦可不使用定位件13。例如，当中介层15的第 一表面102处具有较大的垫尺寸及间距时，即使未使用定位件13来控制 中介层15置放的准确度，随后在中介层15上形成增层电路时，亦不会造 成微盲孔的连接失败。

图5为牺牲载板11上形成平衡层171的剖视图，其中该平衡层171 可通过如树脂层压、旋转涂布或模制(molding)方式形成。该平衡层171 从上方覆盖牺牲载板11及定位件13，并环绕、同形披覆并覆盖中介层15 侧壁，且自中介层15侧向延伸至结构的外围边缘。在本实施方式中，该 平衡层171具有约0.2毫米的厚度，此厚度接近于中介层15的厚度。此外， 该平衡层171可由环氧树脂、玻璃环氧树脂、聚酰亚胺或其类似物所制成。

图6为第一介电层172层压/涂布在中介层15及平衡层171上并在第 一介电层172中形成第一盲孔173的剖视图。第一介电层172接触中介层 15及平衡层171，并由上方覆盖且侧向延伸于中介层15及平衡层171上。 该第一介电层172通常具有50微米的厚度，且可由环氧树脂、玻璃环氧 树脂、聚酰亚胺或其类似物所制成。在形成第一介电层172后，可通过各 种技术形成第一盲孔173，如激光钻孔、等离子蚀刻及光刻成像技术，其 中第一盲孔173通常具有50微米的直径。可使用脉冲激光提高激光钻孔 效能。或者，可使用扫描激光光束，并搭配金属光罩。第一盲孔173延伸 穿过第一介电层172，并对准中介层15的接触垫152。

参考图7，通过金属沉积及金属图案化工艺，在第一介电层172上形 成第一导线174。第一导线174自中介层15的接触垫152朝上延伸，并填 满第一盲孔173，以形成直接接触接触垫152的第一导电盲孔175，同时 侧向延伸于第一介电层172上。因此，第一导线174可提供X及Y方向 的水平信号路由以及穿过第一盲孔173的垂直路由，以作为中介层15的 接触垫152的电性连接。

第一导线174可通过各种技术沉积为单层或多层，如电镀、化学镀、 蒸镀、溅镀或其组合。举例来说，首先通过将该结构浸入活化剂溶液中， 使第一介电层172与无电镀铜产生触媒反应，接着以化学镀方式被覆一薄 铜层作为籽晶层，然后以电镀方式将所需厚度的第二铜层形成在籽晶层上。 或者，在籽晶层上沉积电镀铜层前，该籽晶层可通过溅镀方式形成如钛/ 铜的籽晶层薄膜。一旦达到所需的厚度，即可使用各种技术图案化被覆层， 以形成第一导线174，如湿蚀刻、电化学蚀刻、激光辅助蚀刻或其组合， 并使用蚀刻光罩(图中未示出)，以定义出第一导线174。

图8为第二介电层176层压/涂布在第一介电层172及第一导线174 上并在第二介电层176中形成第二盲孔177的剖视图。第二介电层176接 触第一介电层172及第一导线174，并由上方覆盖并侧向延伸于第一介电 层172及第一导线174上。第二介电层176通常具有50微米的厚度，且 可由环氧树脂、玻璃环氧树脂、聚酰亚胺或其类似物所制成。在形成第二 介电层176后，形成第二盲孔177，其延伸穿过第二介电层176，以显露 第一导线174的选定部位。如第一盲孔173所述，第二盲孔177亦可通过 各种技术形成，如激光钻孔、等离子蚀刻及光刻成像技术，且通常具有50 微米的直径。

图9为通过金属沉积及金属图案化工艺在第二介电层176上形成第二 导线178的剖视图。第二导线178自第一导线174向上延伸，并填满第二 盲孔177，以形成直接接触第一导线174的第二导电盲孔179，同时侧向 延伸于第二介电层176上。

此阶段已在中介层15上制作完成第一布线结构17。在此图中，该第 一布线结构17包括一平衡层171、一第一介电层172、第一导线174、一 第二介电层176及第二导线178。据此，可通过布线层(其中每一布线层 包括一介电层及导线)以进一步放大中介层15的接触垫间距，由此确保 下阶段的增层电路互连工艺可展现较高合格率。

图10及11分别为将图9的面板尺寸结构切割成个别单件的剖视图及 顶部立体视图。如图所示，沿着切割线“L”，将该具有第一布线结构17 电性耦接至中介层15的面板尺寸结构单独分离成个别的电性元件10。

图12及13分别为个别电性元件10的剖视图及顶部立体视图，其中 该电性元件10包括一牺牲载板11、一定位件13、一中介层15及一第一 布线结构17。在此图中，该第一布线结构17为一增层电路，其接触中介 层15的第一表面102，并侧向延伸于中介层15的第一表面102上，同时 侧向延伸超过中介层15的外围边缘，并环绕中介层15侧壁。据此，第一 布线结构17的表面积大于中介层15的表面积，并且对中介层15提供第 一阶段的扇出路由。

图14为加强层20置于载膜30上的剖视图。该加强层20具有第一表 面201、相对的第二表面203、以及在第一表面201及第二表面203间延 伸贯穿加强层20的贯穿开口205。该加强层20可由具有足够机械强度的 金属、金属复合材、陶瓷、树脂或其他非金属材料所制成，且可为单层或 多层电路结构。该具有贯穿开口205的加强层20可通过铸造(casting)、 锻造(forging)、电镀、冲压(stamping)、切削加工(machining)、模制 (molding)、其组合或其他技术制成。加强层20的厚度较佳是与电性元件 10的厚度实质上相同，而贯穿开口205的尺寸较佳与电性元件10实质上 相同或是稍微大于电性元件10。载膜30通常为一胶布，且加强层20的第 二表面203通过载膜30的黏性而贴附于载膜30上。

图15为将电性元件10插入加强层20的贯穿开口205的剖视图，其 中牺牲载板11贴附在载膜30上。载膜30可提供暂时的固定力，使电性 元件10稳固地位在贯穿开口205中。在此，第一布线结构17及牺牲载板 11的外围边缘靠近加强层20的贯穿开口205侧壁。在此图中，该电性元 件10通过载膜30的黏性而贴附于载膜30上。或者，可涂布额外的粘合 剂，以使电性元件10贴附于载膜30上。将电性元件10插入贯穿开口205 后，第一布线结构17的最外表面在向上方向与加强层20的第一表面201 呈实质上共平面。在贯穿开口205区域稍大于电性元件10的实施方式中， 可选择性地将粘合剂(图中未示出)涂布在电性元件10与加强层20间位 于贯穿开口205中的间隙，以便在第一布线结构120与加强层20间提供 坚固机械性接合。

图16为将第三介电层412及金属层41由上方层压/涂布在电性元件 10与加强层20上的剖视图。第三介电层412接触第二介电层176/第二导 线178、金属层41及加强层20，并夹置在第二介电层176/第二导线178 与金属层41之间及加强层20与金属层41之间。第三介电层412可由环 氧树脂、玻璃环氧树脂、聚酰亚胺或其类似物所制成，且通常具有50微 米的厚度。金属层41则通常为具有25微米厚度的铜层。

图17为形成第三盲孔413的剖视图，其显露第二导线178的选定部 位。在此，第三盲孔413延伸穿过金属层41及第三介电层412，并对准第 二导线178的选定部位。如第一及第二盲孔173、177所述，第三盲孔413 亦可通过各种技术形成，如激光钻孔、等离子蚀刻及光刻成像技术，且通 常具有50微米的直径。

参考图18，通过金属沉积及金属图案化工艺，在第三介电层412上形 成第三导线414。第三导线414自第二导线178朝上延伸，并填满第三盲 孔413，以形成直接接触第二导线178的第三导电盲孔415，同时侧向延 伸于第三介电层412上。

此阶段已完成在电性元件10的第二介电层176/第二导线178及加强 层20的第一表面201上形成第二布线结构40的工艺。在此图中，该第二 布线结构40包含一第三介电层412及第三导线414。此外，第二布线结构 40接触第一布线结构17的第二介电层176/第二导线178及加强层20的第 一表面201，并侧向延伸于第一布线结构17的第二介电层176/第二导线 178及加强层20的第一表面201上，同时侧向延伸超过第一布线结构17 的外围边缘。据此，第二布线结构40的表面积大于第一布线结构17的表 面积。更具体地说，第二布线结构40实质上具有第一布线结构17与加强 层20的结合表面积。

图19为移除载膜30及牺牲载板11后的剖视图。自牺牲载板11及加 强层20移除载膜30后，接着再移除牺牲载板11。牺牲载板11可通过各 种方式移除，如使用酸性溶液(如氯化铁、硫酸铜溶液)或碱性溶液(如 氨溶液)的湿蚀刻、电化学蚀刻、或在机械方式(如钻孔或端铣)后再进 行化学蚀刻。在某些实例中，定位件13可能与牺牲载板11一同被移除。

图20及21分别为移除粘合剂14后的剖视图及底部立体视图。粘合 剂14通常是通过蚀刻技术而自中介层15的第二表面103移除，如反应性 离子蚀刻、等离子蚀刻、激光剥蚀(laserablation)或其组合。藉此，中 介层15第二表面103处的接合垫154可由下方显露。

据此，如图20及21所示，已完成的线路板100包括一定位件13、一 中介层15、一第一布线结构17、一加强层20及一第二布线结构40，其中 第一及第二布线结构17、40为接续形成的增层电路。

中介层15位于加强层20的贯穿开口205中，而定位件13位于中介 层15的第二表面103周围，并与中介层15的四角相符。中介层15包含 导线图案，且该导线图案由接合垫154的较细微间距扇出至接触垫152的 较粗间距。因此，中介层15可对接置于接合垫154上的晶片提供初级的 扇出路由。此外，相较于第一布线结构17及第二布线结构40，中介层15 具有较小的热膨胀系数(CTE)及较高模量，故可对晶片提供可靠的连接 介面。

第一布线结构17位于加强层20的贯穿开口205中，并通过第一布线 结构17的第一导电盲孔175而电性耦接置中介层15的接触垫152。第一 布线结构17包括有侧向延伸超过中介层15外围边缘的第一导线174及第 二导线175，且对中介层15提供第一阶的扇出路由。

第二布线结构40设置于加强层20的贯穿开口205外，并通过第二布 线结构40的第三导电盲孔415而电性耦接至第一布线结构17的第二导线 178。第二布线结构40包括有第三导线414，其延伸至加强层20的贯穿开 口205外，并侧向延伸超过第一布线结构17的外围边缘，同时侧向延伸 至加强层20的第一表面201上。据此，第二布线结构40不仅对中介层15 提供进一步的扇出线路结构，其亦可使第一布线结构17与加强层20机械 接合。

加强层20环绕在第一布线结构17的外围边缘，并侧向延伸至线路板 100的外围边缘，用以提供机械支撑并避免线路板100发生弯翘状况。加 强层20亦向下延伸超过中介层15的第二表面103，以便在加强层20的贯 穿开口205内形成凹穴206，同时，加强层20的第一表面201在向上方向 上与第一布线结构17的第二导线178表面呈实质上共平面。

图22为半导体元件51接置于图20所示线路板100上的半导体组体 剖视图，其中该半导体元件51绘示成一晶片进行说明。半导体元件51位 于凹穴206内，并以覆晶方式透过焊料凸块71而接置于中介层15显露的 接合垫154上。再者，半导体元件51与中介层15间的间隙可选择性地填 入底胶81。

[实施例2]

图23-51为本发明另一实施方式的线路板制作方法图，其包括有将中 介层半成品贴附至牺牲载板的步骤。

为了简要说明的目的，上述实施例1中任何可作相同应用的叙述皆并 于此，且无须再重复相同叙述。

图23及24分别为基板151的剖视图及底部立体视图，其包括第一表 面101、相对的第二表面103、以及形成在第二表面103的盲孔104。该基 板151可由硅、玻璃或陶瓷制成，并且具有50微米至500微米的厚度。 盲孔104具有25微米至250微米的深度。在本实施方式中，基板151为 硅晶圆并且具有200微米的厚度，盲孔104则具有150微米的深度。

图25为形成金属化导孔156后的剖视图。通过沉积金属在盲孔104 中，以在基板151中形成金属化导孔156。每一金属化导孔156具有与基 板151的第一表面101保持距离的第一端106，以及与基板151的第二表 面103实质上共平面的相对第二端107。在硅基板的实施方式中，因为硅 为半导体材料，因此在沉积金属前，盲孔104的侧壁需形成例如氧化硅层 的绝缘/保护层(图中未示出)。

图26及27分别为基板151的第二表面103上形成底侧线路157的剖 视及底部立体视图。基板151的第二表面103可通过各种技术进行金属化， 例如电镀、化学镀、蒸镀、溅镀或其组合。一旦达到所需的厚度后，施行 金属图案化工艺以形成电性耦接至金属化导孔156第二端107的底侧线路 157。如图27所示，这些底侧线路157包含有图案化的接合垫154阵列， 其与晶片I/O垫相符。同样地，在使用硅基板时，在形成线路前须先在基 板表面上形成绝缘/保护层(图中未示出)。

图28及29分别为将图26及27的面板尺寸结构切割成个别单件的剖 视图及底部立体视图。在此，沿着切割线“L”，将图26及27的结构单独 分离成个别的中介层半成品15’。

图30及31分别为个别中介层半成品15’的剖视图及底部立体视图， 其中该中介层半成品15’包括一基板151、接合垫154及金属化导孔156。 这些金属化导孔156形成在基板151中，且电性耦接至基板151第二表面 103处的接合垫154。

图32及33分别为牺牲载板11上具有多组定位件13的剖视图及顶部 立体示意图。在本实施方式中，每组定位件13由多个凸柱组成，并与随 后设置的中介层半成品15’的四角相符。

图34及35分别为图30的中介层半成品15’通过粘合剂14贴附至牺 牲载板11上的剖视图及顶部立体示意图。通过定位件13，可将中介层半 成品15’置放在预定位置上，其中定位件13侧向对准并靠近中介层半成品 15’的外围边缘，而基板151的第二表面103面向牺牲载板11并与粘合剂 14接触。由于定位件13自牺牲载板11朝向上方向延伸超过基板151的第 二表面103，故可限制中介层半成品15’避免发生侧向位移。

图36为中介层半成品15’及牺牲载板11上形成平衡层171的剖视图。 该平衡层171接触牺牲载板11、定位件13及中介层半成品15’，并由上方 覆盖牺牲载板11、定位件13及中介层半成品15’，且环绕并同形披覆中介 层半成品15’的侧壁。

图37为金属化导孔156的第一端106自上方显露的剖视图。移除平 衡层171及基板151的顶部区域，以使金属化导孔156的第一端106显露 于基板151的外露第一表面102，其中移除方式通常是通过抛光、研磨或 激光技术。基板151的外露第一表面102与金属化导孔156的第一端106 及平衡层171的顶部表面呈实质上共平面。

图38及39分别为通过金属沉积及图案化工艺形成顶侧线路158的剖 视图及顶部立体视图。顶侧线路158侧向延伸在基板151的第一表面102 上，并且电性耦接至金属化导孔156的第一端106。如图39所示，这些顶 侧线路158包含有图案化的接触垫152阵列，其垫间距大于接合垫154的 垫间距。

进行至此阶段，已制作完成中介层15，其中每一中介层15包含有位 于第一表面102上的接触垫152、位于相反第二表面103上的接合垫154、 以及电性耦接接触垫152及接合垫154的金属化导孔156。据此，中介层 15可提供初级的扇出路由，以确保下一级增层电路互连具有较高的生产合 格率。

图40为第一介电层172层压/涂布于中介层15及平衡层171上并在第 一介电层172中形成第一盲孔173的剖视图。第一介电层172接触中介层 15及平衡层171，并由上方覆盖且侧向延伸于中介层15及平衡层171上。 第一盲孔173延伸穿过第一介电层172，并对准中介层15的接触垫152。

参考图41，通过金属沉积及金属图案化工艺，在第一介电层172上形 成第一导线174。第一导线174自中介层15的接触垫152朝上延伸，并填 满第一盲孔173，以形成直接接触接触垫152的第一导电盲孔175，同时 侧向延伸于第一介电层172上。

此阶段已在中介层15上制作完成第一布线结构17。在此图中，该第 一布线结构17包括一平衡层171、一第一介电层172及第一导线174。

图42及43分别为将图41的面板尺寸结构切割成个别单件的剖视图 及顶部立体视图。如图所示，沿着切割线“L”，将该具有第一布线结构 17电性耦接至中介层15的面板尺寸结构单独分离成个别的电性元件10。

图44及45分别为个别电性元件10的剖视图及顶部立体视图，其中 该电性元件10包括一牺牲载板11、一定位件13、一中介层15及一第一 布线结构17。在此图中，该第一布线结构17为一增层电路，并对中介层 15提供第一阶段的扇出路由。

图46为将图44电性元件10贴附至图14载膜30上的剖视图。将电 性元件10插入加强层20的贯穿开口205中，并透过将牺牲载板11贴附 至载膜30的方式，使电性元件10稳固地位于贯穿开口205内。在此图中， 第一布线结构17的最外表面在向上方向与加强层20的第一表面201呈实 质上共平面。

图47为将第二介电层422及金属层42由上方层压/涂布于电性元件 10与加强层20上的剖视图。第二介电层422接触第一介电层172/第一导 线174、金属层42及加强层20，并夹置于第一介电层172/第一导线174 与金属层42之间及加强层20与金属层42之间。

图48为形成第二盲孔423的剖视图，其显露第一导线174的选定部 位。在此，第二盲孔423延伸穿过金属层42及第二介电层422，并对准第 一导线174的选定部位。

参考图49，通过金属沉积及金属图案化工艺，在第二介电层422上形 成第二导线424。第二导线424自第一导线174朝上延伸，并填满第二盲 孔423，以形成直接接触第一导线174的第二导电盲孔425，同时侧向延 伸于第二介电层422上。

此阶段已完成在电性元件10的第一介电层172/第一导线174及加强 层20的第一表面201上形成第二布线结构40的工艺。在此图中，该第二 布线结构40包含一第二介电层422及第二导线424。

图50为移除载膜30及牺牲载板11后的剖视图。自牺牲载板11及加 强层20移除载膜30后，接着再移除牺牲载板11。

图51为移除粘合剂14后的剖视图。粘合剂14从中介层15的第二表 面103移除，以由下方显露中介层15第二表面103处的接合垫154。

据此，如图51所示，已完成的线路板200包括一定位件13、一中介 层15、一第一布线结构17、一加强层20及一第二布线结构40，其中第一 及第二布线结构17、40为接续形成的增层电路。

中介层15及第一布线结构17位于加强层20的贯穿开口205中，而 第二布线结构40则设置于加强层20的贯穿开口205外，并且侧向延伸至 线路板200的外围边缘。中介层15包含导线图案，且该导线图案由接合 垫154的较细微间距扇出至接触垫152的较粗间距。据此，可将晶片接置 于与晶片I/O垫相符的接合垫154上，且增层电路互连至接触垫152的工 艺可展现较高合格率。第一布线结构17覆盖中介层15的第一表面151及 侧壁，且其外围边缘被限制在加强层20的贯穿开口205内，并且电性耦 接至中介层15的接触垫152，以对中介层15提供扇出路由。第二布线结 构40接触并侧向延伸在第一布线结构17及加强层20上，且电性耦接至 第一布线结构17，以提供进一步的扇出路由。

[实施例3]

图52-56为本发明再一实施方式的线路板制作方法图，其未使用载膜， 且第二布线结构更进一步电性耦接至加强层，以作为接地连接。

为了简要说明的目的，上述实施例中任何可作相同应用的叙述皆并于 此，且无须再重复相同叙述。

图52为将图44的电性元件10及一金属加强层20置于第二介电层 422/金属层42上的剖视图。在此图中，第二介电层422夹置于电性元件 10与金属层42之间以及加强层20与金属层42之间，且第二介电层422 接触电性元件10的第一导线174及加强层20的第一表面201。第一导线 174的表面在向下方向上与加强层20的第一表面201呈实质上共平面，且 电性元件10与加强层20间具有位于贯穿开口205内的间隙207。加强层 20侧向围绕该间隙207，且间隙207侧向围绕牺牲载板11及第一布线结 构17。

图53为第二介电层422进入间隙207的剖视图。第二介电层422在 施加热及压力下流入间隙207中。受热的第二介电层422可在压力下任意 成形。因此，夹置于电性元件10与金属层42间以及加强层20与金属层 42间的第二介电层422受到挤压后，将改变其原始形状并向上流入间隙 207，进而同形被覆贯穿开口205的侧壁及牺牲载板110与第一布线结构 17的外围边缘。固化后的第二介电层422可提供电性元件10与加强层20 间、电性元件10与金属层42间、以及加强层20与金属层42间的坚固机 械性接合，以便使电性元件10固定于加强层20的贯穿开口205内。

图54为具有第二盲孔423的剖视图，其显露第一导线174及加强层 20的选定部位。在此，第二盲孔423延伸穿过金属层42及第二介电层422， 并对准第一导线174及加强层20的选定部位。

图55为通过金属沉积及金属图案化工艺在第二介电层422上形成第 二导线424的剖视图。第二导线424自第一导线174及加强层20向下延 伸，并填满第二盲孔423，以形成直接接触第一导线174及加强层20的第 二导电盲孔425，同时侧向延伸于第二介电层422上。

此阶段已完成在第一布线结构17及加强层20上形成第二布线结构40 的工艺。在此图中，第二布线结构40包括第二介电层422及第二导线424。

图56为移除牺牲载板11及粘合剂14后的剖视图。据此，位在中介 层15第二表面103的接合垫154自上方显露，可作为连接晶片的电性接 点。

据此，如图56所示，已完成的线路板300包括一定位件13、一中介 层15、一第一布线结构17、一加强层20及一第二布线结构40。

中介层15位在加强层20的贯穿开口205中，且其接合垫154自加强 层20的贯穿开口205显露，以由上方提供连接晶片用的电性接点。第一 布线结构17位于加强层20的贯穿开口205中，并包围中介层15，且其第 一导线174电性耦接至中介层15的接触垫152，并侧向延伸超过中介层 15的外围边缘。第二布线结构40则设置于加强层20的贯穿开口205外， 且其第二导线424电性耦接至第一布线结构17的第一导线174及加强层 20，并侧向延伸超过第一布线结构17的外围边缘，同时侧向延伸至加强 层20的第一表面201上。加强层20朝向上方向延伸超过中介层15及第 一布线结构17的顶面，以在加强层20的贯穿开口205中形成凹穴206。

图57为半导体元件51接置于图56所示线路板300上的半导体组体 剖视图，其中该半导体元件51绘示成一晶片进行说明。半导体元件51位 于凹穴206内，并以覆晶方式透过焊料凸块71而接置于中介层15显露的 接合垫154上。再者，半导体元件51与中介层15间的间隙可选择性地填 入底胶81。

上述线路板及组体仅为说明范例，本发明尚可通过其他多种实施例实 现。此外，上述实施例可基于设计及可靠度的考量，彼此混合搭配使用或 与其他实施例混合搭配使用。举例来说，加强层可包括多个排列成阵列形 状的贯穿开口，且每一贯穿开口中可设置一中介层及一第一布线结构。此 外，第二布线结构亦可包括额外的导线，以接收并连接额外的第一布线结 构。同时，可再提供额外的定位件，以对准额外的中介层。

如上述实施方式所示，本发明建构出一种可展现较佳可靠度的独特线 路板，其包括一中介层、一加强层、第一布线结构、第二布线结构、及选 择性的定位件。为方便下文描述，在此将中介层第一表面所面向的方向定 义为第一方向，而中介层第二表面所面向的方向定义为第二方向。

可通过将一电性元件插入加强层的贯穿开口，而使中介层及第一布线 结构位在加强层的贯穿开口内，其中该电性元件包含有中介层、第一布线 结构及一可移除的牺牲载板，且中介层及第一布线结构位于牺牲载板上。 在一较佳实施例中，该电性元件插入加强层的贯穿开口中时，第一布线结 构及牺牲载板的外围边缘系靠近加强层的贯穿开口侧壁。中介层的材料可 为硅、玻璃或陶瓷，且当贴附至可移除的牺牲载板时，其可为中介层成品 或半成品，并且以第二表面朝向牺牲载板的方式贴附。后续可进行中介层 的背面工艺(包括研磨及形成背面电路)，以将半成品制成中介层成品， 而中介层成品可包含由第二表面较细微间距扇出至第一表面较粗间距的 导线图案。据此，该中介层可对接置其上的半导体元件提供初级的扇出路 由/互连。在一较佳实施例中，由于中介层的接触垫尺寸大于接合垫尺寸， 故可避免后续形成增层电路时发生微盲孔连接失败的问题。此外，因为中 介层通常由高弹性模量材料制成，且该高弹性模量材料具有与晶片近似的 热膨胀系数(例如，每摄氏3至10ppm)，因此，可大幅补偿或降低热膨 胀系数不匹配所导致的晶片及其电性互连处的内部应力。

可通过下述步骤，以制备上述电性元件：通过粘合剂，将中介层贴附 至牺牲载板，其中中介层的第二表面面向牺牲载板；形成一平衡层，其覆 盖中介层的侧壁及牺牲载板；以及形成至少一布线层在中介层及平衡层上， 以制成包含有平衡层及布线层的第一布线结构，其中布线层电性耦接至中 介层的接触垫。或者，亦可通过下述步骤制得电性元件：提供一中介层半 成品，其包含具有一第一表面及一相对第二表面的一基板、位于基板第二 表面处的多个接合垫、以及多个金属化导孔，其中每一这些金属化导孔形 成在基板中，并且具有与基板第一表面保持距离的第一端、以及电性耦接 至接合垫的相对第二端；通过粘合剂，将中介层半成品贴附至牺牲载板， 其中基板的第二表面面向牺牲载板；形成一平衡层，其覆盖牺牲载板及中 介层半成品；移除部分平衡层及部分中介层半成品，以显露这些金属化导 孔的第一端，并使基板具有与这些金属化导孔的第一端实质上共平面的一 外露第一表面；在基板的该外露第一表面上形成多个接触垫，以制作完成 一中介层，其中该中介层包括分别位于其相对第一表面及第二表面上的接 触垫及接合垫、以及电性耦接至接触垫及接合垫的金属化导孔；以及在中 介层及平衡层上形成至少一布线层，以制成包含有平衡层及布线层的第一 布线结构，其中布线层电性耦接至中介层的接触垫。较佳为，电性元件以 面板尺寸制备，接着再切割成个别单件。此外，电性元件更可包括一定位 件，其自牺牲载板的一表面凸起。在一较佳实施例中，该定位件由牺牲载 板的表面朝第一方向延伸超过中介层或其半成品的第二表面。据此，定位 件可控制中介层或其半成品的置放准确度，其中定位件侧向对准并靠近中 介层或其半成品的外围边缘。定位件可具有防止中介层或其半成品发生不 必要位移的各种图案。举例来说，定位件可包括一连续或不连续的凸条或 是凸柱阵列。或者，定位件可侧向延伸至牺牲载板的外围边缘，且其内周 围边缘与中介层或其半成品的外围边缘相符。具体来说，定位件可侧向对 准中介层成品或半成品的四侧边，以定义出与中介层或其半成品形状相同 或相似的区域，并且避免中介层或其半成品的侧向位移。举例来说，定位 件可对准并符合中介层或其半成品的四侧边、两对角或四角，以限制中介 层或其半成品发生侧向位移。此外，定位件(位于中介层或其半成品的第 二表面周围)较佳具有5至200微米的高度，且其可在移除牺牲载板时一 同被移除。

加强层可为单层或多层结构，并可选择性地嵌埋有单层级导线或多层 级导线。在一较佳实施例中，该加强层系环绕第一布线结构的外围边缘， 并侧向延伸至线路板的外围边缘。该加强层可由任何具有足够机械强度的 材料制成，如金属、金属复合材、陶瓷、树脂或其他非金属材料。据此， 位于第一布线结构周围的该加强层可对线路板提供机械支撑，以防止线路 板发生弯翘现象。

第一及第二布线结构可为接续形成的增层电路，其不具核心层且分别 位于加强层的贯穿开口内及贯穿开口外。此外，第一布线结构侧向延伸超 过中介层的外围边缘，且其外围边缘被限制在加强层的贯穿开口内。第二 布线结构则侧向延伸超过第一布线结构的外围边缘，同时更侧向延伸至线 路板的外围边缘，且实质上具有第一布线结构与加强层的结合表面积。据 此，在一较佳实施例中，第一布线结构的表面积大于中介层的表面积，而 第二布线结构的表面积则大于第一布线结构的表面积。第一及第二布线结 构可各自包括至少一介电层及导线，其中导线填满介电层中的盲孔，并侧 向延伸于介电层上。介电层与导线连续轮流形成，且需要的话可重复形成。

第一布线结构覆盖中介层的第一表面及侧壁，并且电性耦接至中介层 的接触垫，以对中介层提供扇出路由/互连。更具体地说，第一布线结构可 包括一平衡层、一介电层及导线，其中平衡层侧向环绕中介层，介电层位 于中介层及平衡层上，而导线则自中介层的接触垫延伸，并填满介电层中 的盲孔，以形成导电盲孔，同时侧向延伸于介电层上。藉此，第一布线结 构可通过与中介层接触垫直接接触的导电盲孔，而电性耦接至中介层的接 触垫。第一布线结构具有面朝第一方向的第一表面及面朝第二方向的相对 第二表面，其中该第一表面较佳与加强层的第一表面呈实质上共平面，并 且与第二布线结构接触，而该第二表面在移除牺牲载板后会自加强层的贯 穿开口显露。此外，加强层可朝第二方向延伸超过第一布线结构的第二表 面，以在加强层的贯穿开孔中形成一凹穴。据此，可将一半导体元件设置 于凹穴内，并电性耦接至从凹穴显露出的中介层接合垫。将电性元件插入 加强层的贯穿开口后，可选择性地将粘合剂涂布于电性元件与加强层间位 于贯穿开口中的间隙，以便在第一布线结构与加强层间提供坚固机械性接 合。或者，第二布线结构的介电层可填入电性元件与加强层间的间隙。据 此，该粘合剂或介电层可被覆贯穿开口的侧壁及第一布线结构与牺牲载板 的外围边缘。

在电性元件插入加强层的贯穿开口后，第二布线结构可形成在第一布 线结构及加强层的第一表面上，以便于提供进一步地扇出路由/互连予第一 布线结构。由于第二布线结构可通过第二布线结构的导电盲孔而电性耦接 至第一布线结构，故第一布线结构与第二布线结构间的电性连接无须使用 焊接材料。此外，加强层与第二布线结构间的介面亦无需使用焊材或粘合 剂。更具体地说，第二布线结构可包括一介电层及导线，其中介电层位于 第一布线结构与加强层的第一表面上，而导线自第一布线结构的最外层导 线延伸(且选择性地自加强层的第一表面延伸)，并填满第二布线结构介 电层中的盲孔，同时侧向延伸于第二布线结构的介电层上。因此，第二布 线结构可接触并电性耦接至第一布线结构最外层的导线，以构成信号路由， 且第二布线结构可选择性地进一步电性耦接至加强层的第一表面，以作为 接地连接。第二布线结构最外层导线可容置导电接点，例如焊球，以与下 一级组件或另一电子元件电性传输及机械性连接。

在形成第二布线结构前，可使用载膜(通常为黏胶带)，以提供暂时 的固定力。举例说明，该载膜可暂时贴附在牺牲载板及加强层的第二表面 上，以将电性元件固定在加强层的贯穿开口内，接着，如上所述，可选择 性地将粘合剂涂布于加强层与第一布线结构间及加强层与牺牲载板间的 间隙。在第一布线结构及加强层上形成第二布线结构后，可将载膜移除。 或者，可直接将电性元件及加强层设置在一介电层上，并使第一布线结构 的最外层导线及加强层的第一表面与该介电层接触，随后再将该介电层接 合至第一布线结构与加强层，且较佳是使该介电层流入第一布线结构与加 强层间及牺牲载板与加强层的间隙。藉此，该介电层可在电性元件与加强 层间提供坚固机械性接合，并将电性元件固定在加强层的贯穿开口内。接 着，该第二布线结构(包含有接合至第一布线结构及加强层的介电层)可 与第一布线结构电性耦接。

在形成第二布线结构后，可通过化学蚀刻或机械剥离方式，将提供坚 固支撑力予中介层及第一布线结构的牺牲载板从中介层及第一布线结构 移除。牺牲载板可具有0.1毫米至2.0毫米的厚度，且可由任何导电或非 导电材料所制成。

本发明亦提供一种半导体组件，其将一半导体元件电性耦接至上述线 路板的接合垫。更具体地说，可将半导体元件置于线路板的凹穴中，并在 线路板接合垫上设置各种连接媒介(如凸块)，以将半导体元件电性连接 至线路板。半导体元件可为已封装或未封装的晶片。举例来说，半导体元 件可为裸晶片，或是晶圆级封装晶粒等。或者，半导体元件可为堆叠晶片。 在此，可选择性地在半导体元件与线路板中介层间的间隙填入一填充材料。

“覆盖”一词意指在垂直及/或侧面方向上不完全以及完全覆盖。例如， 在凹穴向上的状态下，第二布线结构在下方覆盖中介层，不论另一元件例 如第一布线结构是否位于中介层与第二布线结构之间。

“接置于...上”及“贴附于...上”一词包括与单一或多个元件间的接 触与非接触。例如，中介层贴附于牺牲载板上，不论此中介层是否与牺牲 载板以一粘合剂相隔。

“对准”一词意指元件间的相对位置，不论元件之间是否彼此保持距 离或邻接，或一元件插入且延伸进入另一元件中。例如，当假想的水平线 与定位件及中介层相交时，定位件即侧向对准于中介层，不论定位件与中 介层之间是否具有其他与假想的水平线相交的元件，且不论是否具有另一 与中介层相交但不与定位件相交、或与定位件相交但不与中介层相交的假 想水平线。同样地，电性元件对准于加强层的贯穿开口。

“靠近”一词意指元件间的间隙的宽度不超过最大可接受范围。如本 领域公知常识，当中介层以及定位件间的间隙不够窄时，由于中介层在间 隙中的侧向位移而导致的位置误差可能会超过可接受的最大误差限制。在 某些情况下，一旦中介层的位置误差超过最大极限时，则不可能使用激光 光束对准中介层的预定位置，而导致中介层以及增层电路间的电性连接失 败。根据中介层的接触垫的尺寸，在本领域的技术人员可经由试误法以确 认中介层以及定位件间的间隙的最大可接受范围，以确保导电盲孔与中介 层的接触垫对准。由此，“定位件靠近中介层(或中介层半成品)的外围 边缘”的用语是指中介层(或中介层半成品)的外围边缘与定位件间的间 隙窄到足以防止中介层(或中介层半成品)的位置误差超过可接受的最大 误差限制。同样地，“第一布线结构与牺牲载板的外围边缘靠近加强层的 贯穿开口侧壁”的叙述是指牺牲载板的外围边缘与贯穿开口侧壁间的间隙， 以及第一布线结构的外围边缘与贯穿开口侧壁间的间隙窄到足以防止电 性元件的位置误差超过可接受的最大误差阈值。举例来说，中介层(或中 介层半成品)与定位件间的间隙可约在5微米至50微米的范围内，而电 性元件外围边缘与贯穿开口侧壁间的间隙较佳约在10微米至50微米的范 围内。

“电性连接”、以及“电性耦接”的词意指直接或间接电性连接。例 如，第一布线结构的导线直接接触并且电性连接至中介层的接触垫，而第 二布线结构的导线与中介层的接触垫保持距离，并且通过第一布线结构而 电性连接至中介层的接触垫。

“第一方向”及“第二方向”并非取决于线路板的定向，凡熟悉此项 技艺的人士即可轻易了解其实际所指的方向。例如，中介层、第一布线结 构及加强层的第一表面面朝第一方向，而中介层、第一布线结构及加强层 的第二表面面朝第二方向，此与线路板是否倒置无关。因此，该第一及第 二方向是彼此相反且垂直于侧面方向。再者，在凹穴向上的状态，第一方 向为向下方向，第二方向为向上方向；在凹穴向下的状态，第一方向为向 上方向，第二方向为向下方向。

本发明的线路板具有许多优点。举例来说，加强层可提供一抗弯平台 供第二布线结构形成于上，以避免线路板发生弯翘状况。此外，中介层可 提供初级扇出路由/互连及CTE可匹配的介面予接置其上的半导体元件。 结合成一体的双布线结构可对中介层提供阶段式的扇出路由/互连。藉此， 具有精细接垫的半导体元件可电性耦接至中介层的一侧，其中该侧的垫间 距与半导体元件相符，而结合成一体的双布线结构则电性耦接至中介层具 有较大垫间距的另一侧，以将半导体元件的垫尺寸及间距进一步放大。定 位件可控制中介层置放的准确度。通过加强层的机械强度，可解决弯翘问 题。通过此方法制备成的线路板可靠度高、价格低廉、且非常适合大量制 造生产。

本发明的制作方法具有高度适用性，且以独特、进步的方式结合运用 各种成熟的电性及机械性连接技术。此外，本发明的制作方法不需昂贵工 具即可实施。因此，相较于传统技术，此制作方法可大幅提升产量、合格 率、效能与成本效益。

在此所述的实施例是为例示之用，其中这些实施例可能会简化或省略 本技术领域已熟知的元件或步骤，以免模糊本发明的特点。同样地，为使 附图清晰，附图亦可能省略重复或非必要的元件及元件符号。