一种通过调整SONOS字线读电压增加flash窗口的方法

摘要

本发明公开了一种通过调整SONOS字线读电压增加flash窗口的方法，步骤1，使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；步骤2，使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试；步骤3，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入对应区间分组的芯片分入该组；步骤4，分别对不同的区间分组进行相应不同的SONOS字线读电压调整或者不调整，重新读取新的SONOS字线读电压，使所有分组的芯片的VTE值都向同一数值靠拢，分布收敛；步骤5，重新使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；步骤6，重新使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试。本发明能够优化flash产品因为工艺波动导致的窗口漂移的情况。