锆宝石加工工艺及锆宝石

摘要

本发明涉及一种锆宝石加工工艺及锆宝石。它解决了现有技术设计不合理等问题。本锆宝石加工工艺包括如下步骤：A、备料：制备锆宝石本体、ZrO2材料、SiO2材料和AF材料；B、抽真空：将锆宝石本体放入镀膜腔体伞架中，关门抽真空，然后旋转工件盘，镀膜腔体内在常温下抽真空且镀膜腔体内被抽真空后镀膜腔体内的真空度为8.0E-4Pa；C、镀层：将ZrO2材料、SiO2材料和AF材料分别放入相应的蒸发源中，蒸发源与镀膜腔体连通，相应的蒸发源分别通过蒸发工艺依次将ZrO2材料、SiO2材料和AF材料镀在锆宝石本体上。D、取料：入气开门，将制得锆宝石成品取出。本发明的优点在于：实用性强。

说明书

技术领域

本发明属于宝石技术领域，尤其涉及一种锆宝石加工工艺及 锆宝石。

背景技术

目前，现有的多媒体装置上多会设置一些触控按键。触控按 键包括指纹解锁键等等。现有的指纹解锁键，操作时在指纹解锁 键上会产生指纹、赃物和印迹等等，其次，抗划伤能力较低，使 用寿命较短且实用性差。

中国专利其公开号CN102707356A公开了一种彩色滤光片的 制作方法、彩色滤光片以及显示装置，涉及显示领域。所述的彩 色滤光片的制作方法，包括：获取一彩色滤光片基板；在彩色滤 光片基板上涂覆一层第一感光材料，形成第一感光材料的涂层； 在第一感光材料的涂层上涂覆第二感光材料，形成第二感光材料 的涂层；对所述彩色滤光片基板上的所述第一感光材料的涂层、 所述第二感光材料的涂层进行曝光、显影，在所述彩色滤光片基 板上形成隔垫物；所述隔垫物为台阶结构，并且所述第一感光材 料形成的下台阶的宽度大于所述第二感光材料形成的上台阶的宽 度。

可以看出，上述专利的滤光片能够提高显示装置的显示效果 的稳定性。

但是，上述的方案未能解决上述的技术问题，另外，其结构 复杂且不易制造，折射率较差。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题，提供一种能够提高折射率且 延长使用寿命，实用性更强的可控硅安全控制电路。

本发明的另外一个目的是针对上述问题，提供一种结构简单 且更实用的可控硅安全控制电路。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：本锆宝石加 工工艺包括如下步骤：

A、备料：制备锆宝石本体、ZrO2材料、SiO2材料和AF材料；

B、抽真空：将锆宝石本体放入镀膜腔体伞架中，关门抽真空， 然后旋转工件盘，镀膜腔体内在常温下抽真空且镀膜腔体内被抽 真空后镀膜腔体内的真空度为8.0E-4Pa；工件盘设置在镀膜腔体 伞架内并与旋转驱动机构连接。旋转驱动机构为自动化驱动。

C、镀层：将ZrO2材料、SiO2材料和AF材料分别放入相应 的蒸发源中，蒸发源与镀膜腔体连通，相应的蒸发源分别通过蒸 发工艺依次将ZrO2材料、SiO2材料和AF材料镀在锆宝石本体上， 即，在锆宝石本体上形成ZrO2材料镀膜层、SiO2材料镀膜层和 AF材料镀膜层，制得锆宝石成品；设置了ZrO2材料镀膜层、SiO2 材料镀膜层和AF材料镀膜层能够使结构更加紧凑，同时，进一步 提高了牢靠度和防污能力。

ZrO2材料镀膜层的具体蒸发工艺条件为：ZrO2材料在常温和 真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时 间为40-60s；

SiO2材料镀膜层的具体蒸发工艺条件为：SiO2材料在常温和 真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时 间为90-110s；

AF材料镀膜层的具体蒸发工艺条件为：AF材料在常温和真空 度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时间为 20-40s。为长度单位：埃；s为时间单位秒。

D、取料：入气开门，将制得锆宝石成品取出。

通过上述的工艺可以具有以下优点：

1、操作时不会产生指纹、赃物、印迹；

2、如果有灰尘、赃物、印迹出现在表面时，很容易擦拭干 净；

3、具有极强的抗划伤效果，莫氏硬度高达9H。

4、提高了光线透过率，透过率T≥98％以上，亮度增强， 成像清晰。

在上述的锆宝石加工工艺中，在上述的A步骤中，所述的ZrO2 材料、SiO2材料和AF材料均呈固态结构。

优化方案，在上述的锆宝石加工工艺中，在上述的C步骤中， 在锆宝石本体上形成ZrO2材料镀膜层后间隔1min然后再在ZrO2 材料镀膜层上形成SiO2材料镀膜层，ZrO2材料镀膜层上形成SiO2 材料镀膜层后间隔1min然后再在SiO2材料镀膜层形成AF材料镀 膜层。

在上述的锆宝石加工工艺中，在上述的C步骤中，当将ZrO2 材料、SiO2材料和AF材料分别放入相应的蒸发源中后，蒸发源 内的相应电子枪打击所述的ZrO2材料、SiO2材料和AF材料，通 过蒸发源使均呈固态的ZrO2材料、SiO2材料和AF材料转变为液 态ZrO2材料、液态SiO2材料与液态AF材料，然后又转变为气态 ZrO2材料、气态SiO2材料与气态AF材料，再然后转变为液态ZrO2 材料、液态SiO2材料与液态AF材料，最后转变为镀在锆宝石本 体上的ZrO2材料镀膜层、SiO2材料镀膜层和AF材料镀膜层。

在上述的锆宝石加工工艺中，在上述的C步骤中，所述的ZrO2 材料镀膜层厚度为

在上述的锆宝石加工工艺中，在上述的C步骤中，所述的SiO2 材料镀膜层厚度为

在上述的锆宝石加工工艺中，在上述的C步骤中，所述的AF 材料镀膜层厚度为

在上述的锆宝石加工工艺中，在上述的C步骤中，

ZrO2材料镀膜层的具体蒸发工艺条件为：ZrO2材料在常温和 真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时 间为50s；

SiO2材料镀膜层的具体蒸发工艺条件为：SiO2材料在常温和 真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时 间为100s；

AF材料镀膜层的具体蒸发工艺条件为：AF材料在常温和真空 度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时间为 30s。

本锆宝石包括锆宝石本体，在锆宝石本体的一面设有ZrO2 材料镀膜层，在ZrO2材料镀膜层远离锆宝石本体的一面设有SiO2 材料镀膜层，在SiO2材料镀膜层远离ZrO2材料镀膜层的一面设 有AF材料镀膜层

在上述的锆宝石中，

在上述的锆宝石加工工艺中，所述的SiO2材料镀膜层厚度小 于SiO2材料镀膜层的厚度，所述的SiO2材料镀膜层厚度小于AF 材料镀膜层的厚度。

与现有的技术相比，本锆宝石加工工艺的优点在于：1、设计 更合理，结构简单且易于加工制造。2、工艺简单且易于操控，大 幅提高了产品的适用范围和实用性。操作时不会产生指纹、赃物、 印迹；如果有灰尘、赃物、印迹出现在表面时，很容易擦拭干净； 3、具有极强的抗划伤效果。

附图说明

图1是本发明提供的结构示意图。

图中，锆宝石本体1、ZrO2材料镀膜层2、SiO2材料镀膜层 3、AF材料镀膜层4。

具体实施方式

以下是发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案 作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。

实施例一

如图1所示，本锆宝石加工工艺包括如下步骤：

A、备料：制备锆宝石本体1、ZrO2材料、SiO2材料和AF材 料；

B、抽真空：将锆宝石本体1放入镀膜腔体伞架中，关门抽真 空，然后旋转工件盘，镀膜腔体内在常温下抽真空且镀膜腔体内 被抽真空后镀膜腔体内的真空度为8.0E-4Pa；

C、镀层：将ZrO2材料、SiO2材料和AF材料分别放入相应 的蒸发源中，蒸发源与镀膜腔体连通，相应的蒸发源分别通过蒸 发工艺依次将ZrO2材料、SiO2材料和AF材料镀在锆宝石本体1 上，即，在锆宝石本体1上形成ZrO2材料镀膜层2、SiO2材料镀 膜层3和AF材料镀膜层4，制得锆宝石成品；

ZrO2材料镀膜层2的具体蒸发工艺条件为：ZrO2材料在常温 和真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发 时间为40-60s；

SiO2材料镀膜层3的具体蒸发工艺条件为：SiO2材料在常温 和真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发 时间为90-110s；

AF材料镀膜层4的具体蒸发工艺条件为：AF材料在常温和真 空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时间 为20-40s。

D、取料：入气开门，将制得锆宝石成品取出。

在上述的A步骤中，所述的ZrO2材料、SiO2材料和AF材料 均呈固态结构。

在上述的C步骤中，在锆宝石本体1上形成ZrO2材料镀膜层 2后间隔1min然后再在ZrO2材料镀膜层2上形成SiO2材料镀膜 层3，ZrO2材料镀膜层2上形成SiO2材料镀膜层3后间隔1min 然后再在SiO2材料镀膜层3形成AF材料镀膜层4。进一步地， 在上述的C步骤中，当将ZrO2材料、SiO2材料和AF材料分别放 入相应的蒸发源中后，蒸发源内的相应电子枪打击所述的ZrO2 材料、SiO2材料和AF材料，通过蒸发源使均呈固态的ZrO2材料、 SiO2材料和AF材料转变为液态ZrO2材料、液态SiO2材料与液 态AF材料，然后又转变为气态ZrO2材料、气态SiO2材料与气态 AF材料，再然后转变为液态ZrO2材料、液态SiO2材料与液态AF 材料，最后转变为镀在锆宝石本体1上的ZrO2材料镀膜层2、SiO2 材料镀膜层3和AF材料镀膜层4。

在上述的C步骤中，所述的ZrO2材料镀膜层2厚度为SiO2材料镀膜层3厚度为AF材料镀膜层4厚度为

作为本实施例的最优化方案，在上述的C步骤中，

ZrO2材料镀膜层2的具体蒸发工艺条件为：ZrO2材料在常温 和真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发 时间为50s；

SiO2材料镀膜层3的具体蒸发工艺条件为：SiO2材料在常温 和真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发 时间为100s；

AF材料镀膜层4的具体蒸发工艺条件为：AF材料在常温和真 空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时间 为30s。

本锆宝石包括锆宝石本体1，在锆宝石本体1的一面设有ZrO2 材料镀膜层2，在ZrO2材料镀膜层2远离锆宝石本体1的一面设 有SiO2材料镀膜层3，在SiO2材料镀膜层3远离ZrO2材料镀膜 层2的一面设有AF材料镀膜层4。进一步地，这里的SiO2材料 镀膜层3厚度小于SiO2材料镀膜层3的厚度，所述的SiO2材料 镀膜层3厚度小于AF材料镀膜层4的厚度。

实施例二

本实施例同实施例一的结构及原理基本相同，固在此不作赘 述，而不一样的地方在于：

ZrO2材料镀膜层2的具体蒸发工艺条件为：ZrO2材料在常温 和真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发 时间为40s；

SiO2材料镀膜层3的具体蒸发工艺条件为：SiO2材料在常温 和真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发 时间为90s；

AF材料镀膜层4的具体蒸发工艺条件为：AF材料在常温和真 空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时间 为20s。

实施例三

本实施例同实施例一的结构及原理基本相同，固在此不作赘 述，而不一样的地方在于：

ZrO2材料镀膜层2的具体蒸发工艺条件为：ZrO2材料在常温 和真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发 时间为60s；

SiO2材料镀膜层3的具体蒸发工艺条件为：SiO2材料在常温 和真空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发 时间为110s；

AF材料镀膜层4的具体蒸发工艺条件为：AF材料在常温和真 空度为8.0E-4Pa的条件下，通速率为进行蒸发，蒸发时间 为40s。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说 明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例 做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离 本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

尽管本文较多地使用了锆宝石本体1、ZrO2材料镀膜层2、 SiO2材料镀膜层3、AF材料镀膜层4等术语，但并不排除使用其 它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释 本发明的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本发明 精神相违背的。