首页> 中国专利> 光扩散粉、光扩散粉的制备方法、量子点光刻胶及量子点彩膜

光扩散粉、光扩散粉的制备方法、量子点光刻胶及量子点彩膜

摘要

本发明属于显示技术领域,尤其涉及光扩散粉其制备方法、量子点光刻胶及量子点彩膜。本发明的光扩散粉制备方法为:烷氧基硅烷在酸性条件或碱性条件下进行共水解缩合反应,得到光扩散粉。本发明还公开了由所述光扩散粉制成的量子点光刻胶及量子点彩膜。所述光扩散粉具有有机链段结构和无机结构,与量子点光刻胶体系中的各种组分相容性较好,具有较好的分散效果,增加了光刻胶的均匀性。由该量子点光刻胶制成的量子点彩膜膜质均匀,光利用率高。

著录项

  • 公开/公告号CN105694042A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;

    申请/专利号CN201610266767.8

  • 申请日2016-04-26

  • 分类号C08G77/18;G03F7/004;G03F7/033;G03F7/038;

  • 代理机构北京银龙知识产权代理有限公司;

  • 代理人许静

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

  • 入库时间 2023-12-18 15:55:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08G77/18 申请日:20160426

    实质审查的生效

  • 2016-06-22

    公开

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