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氧化物半导体薄膜的评价方法、和氧化物半导体薄膜的品质管理方法、以及用于所述评价方法的评价元件和评价装置

摘要

本发明提供一种对氧化物半导体薄膜的电阻率进行正确且简便的测定,进行评价、预测、推定的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。涉及本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法包括:第一工序,在对形成了氧化物半导体薄膜的样品照射激励光以及微波,且测定了因所述激励光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后,停止照射所述激励光,测定所述激励光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化;以及第二工序,根据所述反射率的变化,计算出与激励光的照射停止后呈现的慢衰减对应的参数,对所述氧化物半导体薄膜的电阻率进行评价。

著录项

  • 公开/公告号CN105659372A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社神户制钢所;

    申请/专利号CN201480057464.4

  • 申请日2014-12-01

  • 分类号H01L21/66;G01N22/00;H01L21/336;H01L29/786;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人樊建中

  • 地址 日本兵库县

  • 入库时间 2023-12-18 15:55:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-23

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/66 申请公布日:20160608 申请日:20141201

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20141201

    实质审查的生效

  • 2016-06-08

    公开

    公开

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