公开/公告号CN105659372A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社神户制钢所;
申请/专利号CN201480057464.4
申请日2014-12-01
分类号H01L21/66;G01N22/00;H01L21/336;H01L29/786;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人樊建中
地址 日本兵库县
入库时间 2023-12-18 15:55:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-23
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/66 申请公布日:20160608 申请日:20141201
发明专利申请公布后的驳回
2016-07-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20141201
实质审查的生效
2016-06-08
公开
公开
机译: 氧化物半导体薄膜品质的评价方法,氧化物半导体薄膜品质的管理方法以及使用上述方法进行质量管理的半导体制造装置
机译: 氧化物半导体薄膜品质的评价方法,氧化物半导体薄膜品质的管理方法以及使用上述方法进行质量管理的半导体制造装置
机译: 氧化物半导体薄膜品质的评价方法,氧化物半导体薄膜品质的管理方法以及使用上述方法进行质量管理的半导体制造装置