首页> 中国专利> 一种强化引晶温度信号的籽晶及用该籽晶的引晶方法

一种强化引晶温度信号的籽晶及用该籽晶的引晶方法

摘要

本发明涉及一种强化引晶温度信号的籽晶,用于从下向上进行定向晶体生长,所述籽晶籽晶上半部分的截面积大于籽晶下半部分的截面积,使得籽晶在籽晶孔内放置时,籽晶上半部分侧面与籽晶孔紧密配合,而籽晶下半部分侧面与籽晶孔侧面之间在垂直方向上形成至少一条间隙,该间隙形成导流间隙结构,该导流间隙的最项端与籽晶的上端面不贯通;并利用籽晶侧面与籽晶孔侧面之间的导流间隙结构,强化引晶时的温度信号完成引晶。本发明的优点在于:本发明的籽晶能够减小引晶成多晶及强化引晶温度信号,且该引晶方法有效提高了引晶品质以及晶体的成品率。

著录项

  • 公开/公告号CN105648520A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏中电振华晶体技术有限公司;

    申请/专利号CN201610155283.6

  • 申请日2016-03-18

  • 分类号C30B11/14;

  • 代理机构北京一格知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人滑春生

  • 地址 226500 江苏省南通市如皋市如城镇海阳南路(南延)1号

  • 入库时间 2023-12-18 15:46:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-14

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):C30B11/14 放弃生效日:20180914 申请日:20160318

    专利权的视为放弃

  • 2016-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/14 申请日:20160318

    实质审查的生效

  • 2016-06-08

    公开

    公开

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