首页> 中国专利> 具纳米解析的形貌特征的选定表面区域上直接表面官能化

具纳米解析的形貌特征的选定表面区域上直接表面官能化

摘要

一种在纳米孔结构中制作单分子受体的方法,包括:通过物理气相沉积(PVD)技术将材料沉积到纳米通道的选定内表面上,以及以具有至少两个官能基的化学化合物将该材料的表面官能化。该材料形成具有直径为约3至约10,000纳米(nm)的贴片。还公开了多个包括单分子受体的纳米孔结构的具体实施方式。

著录项

  • 公开/公告号CN105637355A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 格罗方德半导体公司;

    申请/专利号CN201480056846.5

  • 发明设计人 J·巴尔德奥夫;S·哈雷尔;C·希伯;

    申请日2014-08-25

  • 分类号G01N27/00(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;王锦阳

  • 地址 开曼群岛大开曼岛

  • 入库时间 2023-12-18 15:42:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N27/00 申请公布日:20160601 申请日:20140825

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-06-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/00 申请日:20140825

    实质审查的生效

  • 2016-06-01

    公开

    公开

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