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一种三氧化钼纳米薄片的制备方法

摘要

本发明公开一种由表面活性剂调节的纳米薄片状三氧化钼的制备方法,该方法通过以下步骤完成:以仲钼酸铵、表面活性剂、硝酸为原料,去离子水、乙醇、三乙胺为混合溶剂,磁力搅拌使其混合均匀,在超声波反应器中用37%的浓硝酸调节pH至2-3,60℃恒温反应30分钟,生成三氧化钼前驱体,然后在马弗炉中500℃焙烧5小时得到纳米薄片。本发明所使用的钼盐、表面活性剂、硝酸等廉价易得,成本较低,且对反应设备要求低,容易操作。同时本发明制得的纳米薄片三氧化钼具有较大的比表面积,具有优异的光催化性能。

著录项

  • 公开/公告号CN105645470A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津工业大学;

    申请/专利号CN201410457699.4

  • 申请日2014-09-09

  • 分类号C01G39/02(20060101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300160 天津市河东区成林道63号

  • 入库时间 2023-12-18 15:38:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G39/02 申请公布日:20160608 申请日:20140909

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-06-08

    公开

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