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一种NAND闪存的转换层读写方法

摘要

本发明公开了一种NAND闪存的转换层读写方法,包括以下步骤:(1)系统启动还原掉电前NAND闪存的转换层的数据链;(2)检查数据链并修复;(3)检查当前可用块的数目;(4)等待系统调用;(5)根据系统调用命令进行相应的读写操作。其中,所述系统调用的读或者写操作如果符合多平面读或写操作,则使用这种方式读或写,如果系统调用的读命令为单平面读或写操作,则直接读出或写入相应页数据。本发明方法能够实现NAND闪存的均衡擦写,提高NAND闪存的寿命,使用NAND闪存的MULTIPLANE方式写,从而为整体写文件提速,从而提高读写的性能,实现NAND闪存的逆序写,提升跳写、回头写的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN101923448B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-12-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安凯(广州)微电子技术有限公司;

    申请/专利号CN201010111726.4

  • 发明设计人 艾骏;易若翔;胡胜发;

    申请日2010-02-08

  • 分类号G06F3/06(20060101);G06F12/02(20060101);G06F11/00(20060101);

  • 代理机构44104 广州知友专利商标代理有限公司;

  • 代理人宣国华

  • 地址 510663 广东省广州市高新技术开发区科学城科学大道182号C1区301-303401-402

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-05

    授权

    授权

  • 2011-02-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 3/06 申请日:20100208

    实质审查的生效

  • 2010-12-22

    公开

    公开

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