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一次写入存储器中的联合重写和错误校正

摘要

重写和错误校正这二者是可用于诸如闪速存储器的非易失性存储器的技术。本文公开了一种针对一次写入存储器模型组合重写和错误校正的编码方案。在一些实施方式中,码构造基于极性码,并且支持任何数量的重写并且校正大量的错误。可以针对二进制对称通道分析所述码。能够将结果扩展到多级单元和更一般的噪声模型。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F11/08 申请公布日:20160511 申请日:20130705

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F11/08 申请日:20130705

    实质审查的生效

  • 2016-05-11

    公开

    公开

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