一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置及方法

摘要

本发明涉及一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置，包括带盖的石墨坩埚，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，所述的旋转系统包括旋转托盘、中心旋转杆和驱动中心旋转杆主动的驱动装置，驱动装置通过三通连接件与真空生长腔密闭连接，中心旋转杆穿过三通连接件与驱动装置连接。本发明的生长装置，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，使用时中心旋转杆的转速为1-60转/分钟，克服了螺旋状感应线圈和保温导致的非中心对称的温场；构建了中心对称温场，并使物质传输呈现中心轴对称性，使生长得到的晶体具有中心对称性，边缘各处厚度相等，提高了晶体材料的利用率。