IGBT电荷存储层形成的方法和电荷存储型IGBT

摘要

本发明提供了一种IGBT电荷存储层形成的工艺方法，其步骤包括：形成截止环区；形成硬掩膜，光刻定义出栅极区，对栅极硬掩膜刻蚀，并去胶清洗；进行第一次沟槽刻蚀，深度为电荷存储层的目标深度；将离子准确注入到沟槽的底部的表层；电荷存储层推阱；对第一次沟槽刻蚀所得沟槽进行第二次刻蚀，使刻蚀后沟槽的深度达到栅极所需的深度；去除硬掩膜。本发明的制备方法不需要采用高能注入设备，减少了光刻次数，且所制备得到的电荷存储层比较集中，其电荷存储密度大，电荷存储效应强，有利于器件的调整优化。本发明还提供了一种电荷存储型IGBT，其采用本发明提供的工艺方法制备的电荷存储层，其导通态的电流密度大，性能更为优越。