公开/公告号CN105449080A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-30
原文格式PDF
申请/专利权人 广州市鸿利光电股份有限公司;
申请/专利号CN201511013221.3
申请日2015-12-31
分类号H01L33/48(20100101);H01L33/38(20100101);H01L33/60(20100101);H01L33/54(20100101);
代理机构广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司;
代理人刘各慧
地址 510890 广东省广州市花都区花东镇先科一路1号
入库时间 2023-12-18 15:12:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-28
授权
授权
2016-10-12
著录事项变更 IPC(主分类):H01L33/48 变更前: 变更后: 申请日:20151231
著录事项变更
2016-04-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/48 申请日:20151231
实质审查的生效
2016-03-30
公开
公开
技术领域
本发明涉及用正装芯片成型CSPLED的方法和成型倒装芯片的方法及CSPLED。
背景技术
对于正装芯片来说，在使用时，现将正装芯片固定到基板上，然后打金线，最后封 装荧光胶，由于其在封装过程中需要打金线以及固定晶片，工序比较复杂，且正装芯片的电 极焊盘较小，容易出现连接不可靠的情况。为了解决这类问题，倒装芯片应运而生，但是倒 装芯片的价格比较昂贵，且倒装芯片的电极较小不便于与基板可靠连接。
近年来，随着倒装芯片的出现，人们开始研究芯片级封装（CSP）技术。目前，这种封 装技术形成的封装级芯片，体积最小、重量轻、电性能好。但是现有CSP由于结构限制一般使 用倒装芯片，而倒装芯片制造成本较高，进而导致单颗CSP芯片成本较高，且倒装芯片的电 极较小，从而出现连接不可靠的问题。
目前的正装芯片因需要打金线没有得到更好的利用，当然，也有人利用正装芯片 倒装进行360°发光，如在中国专利申请号为201410426391.3申请日为2014.8.27公开日为 2014.11.19的专利文献中公开了一种正装芯片倒装360度发光可任意环绕LED灯丝，包括 薄片基底，所述的薄片基底上覆盖一层软性绝缘层，所述的绝缘层上制备有连接线路，所述 的连接线路的两端位置形成有电极，所述的连接线路在电极之间位置形成有多个焊盘，每 对焊盘之间安装一正装LED芯片，所述的正装LED芯片为透明封装的全角度出光LED芯片， 每个所述的正装LED芯片的下方对应设置用于将光线出射的出光部位。本发明的有益效果 是提供了一种全新结构的LED灯丝结构，并且实现了高效率批量化生产，生产成本低。
虽然其实现了360°发光，但如果需要封装荧光胶，还是需要在固定了正装芯片后 封装。另外，在固定正装芯片时，利用正装芯片的电极与基板的焊盘电性连接，而由于正装 芯片的电极面积小，因此，不方便固定正装芯片，而且电连接性能不可靠；另外，在焊接过程 中，由于电极的侧面与正装芯片的侧面基本平齐，因此，锡膏很容易沿着电极上爬到正装芯 片上，容易出现短路的现象。
再有，如果将正装芯片直接作为倒装芯片使用，正装芯片本身是由具有电极的一 面出光，当正装芯片固定到基板上后，向下的光基本上由基板进行反射，而目前的基板反射 率不高，因此，出光率受到了一定的影响。
发明内容
为了能将正装芯片作为倒装芯片使用，减小CSPLED的体积和质量，为了方便组 装，让组装更加的可靠，为了提高电连接的可靠性，为了有效的防止锡膏上爬，防止出现短 路的现象，为了提高反射率，从而提高出光率，为了简化成型工艺，本发明提供了一种利用 正装芯片成型CSPLED的方法、利用正装芯片成型倒装芯片的方法及CSPLED。为达到上述 目的，用正装芯片成型CSPLED的方法，包括如下步骤：
（1）让封装胶包裹在多个正装芯片的侧面和顶面上；
（2）提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；将封装胶的顶面固定到第二隔离膜 上，让正装芯片的电极朝上；让第一隔离膜与正装芯片分离；
（3）在正装芯片电极的一侧涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版；
（4）曝光；
（5）显影：通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为正装芯片电极对应的 溶解区域，溶解区域的面积大于电极的面积；
（6）在溶解区域内蒸镀金属层形成延伸电极；
（7）清洗掉光刻胶；
（8）切割成CSPLED；
（9）将第二载台与第二隔离膜分离；
（10）将第二隔离膜与CSPLED分离。
通过上述成型方法成型的CSPLED，在固定正装芯片前，已经在正装芯片上封装了 封装胶，而且封装胶是封装在正装芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装 芯片的使用方式。减小了CSPLED的体积和质量。
由于成型了面积大于电极的延伸电极，使得该CSPLED与基板等连接时，电连接的 面积大，因此，方便固定本发明的倒装芯片级LED，即CSPLED，固定的可靠性和牢固性高，而 且电连接性也好。由于在电极的下方成型了延伸电极，而且面积相对较大，因此，焊接的锡 膏不容易上爬到正装芯片本体上，避免出现短路的现象。
本发明还提供一种利用正装芯片成型倒装芯片的方法，包括如下步骤：
（1）提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；将正装芯片的顶面固定到第二隔离 膜上，让正装芯片的电极朝上；
（2）在正装芯片电极的一侧涂光刻胶，在光刻胶上盖掩膜版；
（3）曝光；
（4）显影：通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为正装芯片电极对应的 溶解区域，溶解区域的面积大于电极的面积；
（5）在溶解区域内蒸镀金属层形成延伸电极；
（6）清洗掉光刻胶；
（7）切割成倒装芯片；
（8）将第二载台与第二隔离膜分离；
（9）将第二隔离膜与倒装芯片分离。
通过正装芯片的电极上形成延伸电极，从而使得利用正装芯片形成倒装芯片使 用，节约成本，且提高连接可靠性。
一种CSPLED，包括正装芯片，在正装芯片的侧面和顶面封装有封装胶；正装芯片 包括正装芯片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在正 装芯片本体的下方设有白胶层。
在固定正装芯片前，已经在正装芯片上封装了封装胶，而且封装胶是封装在正装 芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装芯片的使用方式。减小了倒CSP的 体积和质量。
由于延伸电极的面积大于电极的面积，使得该倒装芯片级LED与基板等连接时，电 连接的面积大，因此，方便固定本发明的CSPLED，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性 也好。由于在电极的下方成型了延伸电极，而且面积相对较大，因此，焊接的锡膏不容易上 爬到正装芯片本体上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层，白胶层的反射率高，当CSP LED安装后，由于正装芯片本身是靠具有电极的一面出光，当设置了白胶层后，正装芯片本 体向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本发明的CSPLED固定到黑 色基板上和将普通的CSPLED固定到基板上，前者的出光率高出了后者的18%-22%。
附图说明
图1为实施例1CSPLED的示意图。图2为图1的A-A剖视图。图3为延伸电极金属层的 示意图。图4为将实施例1中的CSPLED安装到基板上的示意图。图5为实施例1第一载台的示 意图。图6为实施例1在第一载台上铺设第一隔离膜的示意图。图7为实施例1在第一隔离膜 上固定正装芯片的示意图。图8为实施例1在第一载台上加入封装胶的示意图。图9为提供第 二载台和铺设第二隔离膜并放置封装有封装胶的正装芯片的示意图。图10为第一隔离膜与 正装芯片分离的示意图。图11为在正装芯片上涂光刻胶和铺设掩膜版的示意图。图12为光 刻胶被溶解掉的示意图。图13为蒸镀延伸电极的示意图。图14为清洗掉光刻胶的示意图。图 15为涂白胶的示意图。图16为白胶低于延伸电极的示意图。图17为实施例1白胶高于延伸电 极的CSPLED的示意图。图18为将实施例1白胶高于延伸电极的CSPLED安装到基板上的示 意图。图19为实施例1在中间未填充白胶的倒装芯片级LED。图20为实施例2CSPLED的示意 图。图21为实施例2第一载台的示意图。图22为实施例2在第一载台上铺设第一隔离膜的示 意图。图23为实施例2在第一隔离膜上固定正装芯片的示意图。图24为实施例2在第一载台 上加入封装胶的示意图。图25为实施例2用压板按压封装胶的示意图。图26为实施例2去掉 压板的示意图。图27为实施例2白胶层高于延伸电极的CSPLED的示意图。图28为第三载台 的示意图。图29为铺设第三隔离膜且加入封装胶的示意图。图30为在第一隔离膜上固定正 装芯片的示意图。图31为将正装芯片准备伸入到封装胶的示意图。图32为将正装芯片伸入 到封装胶的示意图。图33为将第三隔离膜与封装胶分离的示意图。图34为CSPLED三面出光 图26中B-B剖视图。图35为图36中C-C剖视图。图36为图34中的D-D剖视图。图37为三面出光 的荧光胶覆盖在挡光胶上的CSPLED的示意图。图38为三面出光的荧光胶覆盖在部分挡光 胶上的CSPLED的示意图。图39为三面出光的荧光胶包裹住正装芯片的CSPLED的示意图。 图40为三面出光的封装胶高于电极底面的CSPLED的示意图。图41为图40E-E的剖视图。图 42为CSPLED单面出光图44中F-F剖视图。图43为图44中G-G剖视图。图44为图41中的H-H剖 视图。图45为单面出光荧光胶全部覆盖挡光胶顶面的CSPLED。图46为单面出光荧光胶部分 覆盖挡光胶顶面的CSPLED。图47为单面出光在正装芯片全部包裹荧光胶的示意图。图48为 单面出光封装胶高于电极底面的CSPLED的示意图。图49为图48中I-I剖视图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行进一步详细说明。
在本发明中，“正装芯片的顶面”是指正装芯片与基板固定的一面。正装芯片本体 底部是指正装芯片发光的一面，即设置电极的一面。CSP（chipscalepackage）LED即芯片 级封装LED。
实施例1。
如图1和图2所示，CSPLED100包括正装芯片1，正装芯片1包括正装芯片本体11和 设在正装芯片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和负电极，正装芯片的顶面设 有透光层。
在正装芯片1的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶为荧光胶；封装胶2的底 面与电极12的底面平齐。
在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积 大于电极12的面积，在本发明中，所记载的面积为正投影面积。
在本实施例中，延伸电极包括正延伸电极和负延伸电极，正延伸电极连接在正电 极的底面上，负延伸电极连接在负电极的底面上，正延伸电极的面积大于正电极的面积，正 延伸电极的外端凸出正电极，负延伸电极的面积大于负电极的面积，负延伸电极的外端凸 出负电极。
如图3所示，所述的延伸电极3包括依次连接的钛层31、镍层32和铜层33，钛层31与 电极连接，一般电极为金，而铜与金的连接性能欠佳，为了让金与铜更好的连接，连接牢固， 在电极12与铜层33之间形成了钛层31和镍层32，而且钛层31和镍层32能起到缓冲作用。
在正装芯片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以 及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。
在固定正装芯片1前，已经在正装芯片1上封装了封装胶2，而且封装胶2是封装在 正装芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装芯片需要进行打线之后进行封 装的使用方式。减小了CSPLED100的体积和质量。
如图4所示，将上述CSPLED安装基板10上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的 面积，使得该CSPLED100与基板10连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本发明的CSP LED100，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸 电极3，而且面积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到 正装芯片本体11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当CSP LED100安装后，当设置了白胶层4后，正装芯片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因 此，出光率高。经试验，将本发明的CSPLED固定到基板上和将普通的CSPLED固定到基板上， 前者的出光率高出了后者的18%-22%。
上述CSPLED的成型方法是：
（1）如图5所示，提供第一载台5。
（2）如图6所示，在第一载台5上铺设第一隔离膜6。
（3）如图7所示，在第一隔离膜6上固定正装芯片1，正装芯片1的电极12固定在第一 隔离膜6上。
（4）如图8所示，在第一载台5上加入封装胶2，让封装胶2包覆在正装芯片1的侧面 和顶面上，在本实施例中，封装胶2的底面与电极12的底面平齐。
（5）让封装胶2固化。
（6）如图9所示，提供第二载台7，在第二载台7上铺设第二隔离膜8；翻模；将封装有 封装胶2的正装芯片1翻转固定到第二隔离膜8上；如图10所示，让第一隔离膜6与正装芯片1 分离。
（7）如图11所示，在正装芯片1电极的一侧涂光刻胶9，在光刻胶9盖上掩膜版101。 掩膜版101上的供光线穿过的区域102与电极的位置对应，且面积大于电极的面积，该区域 102的外端凸出电极的外端。
（8）让区域102内的光刻胶曝光。
（9）如图12所示，显影：通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为正 装芯片电极对应的溶解区域91，溶解区域91的面积大于电极的面积；在本实施例中，溶解区 域91的前后两侧与电极的前后两侧对齐，溶解区域91的内侧与电极的内侧对齐，容置区域 91的外侧凸出电极的外侧。
（10）如图13所示，在溶解区域91内蒸镀金属层形成延伸电极3。在该步骤中，先在 溶解区域内蒸镀钛层31，然后在钛层31上蒸镀镍层32，最后在镍层32上蒸镀铜层33。
（11）如图14所示，清洗掉光刻胶。
（12）如图15所示，在被清洗的光刻胶的区域内涂白胶形成白胶层4。该白胶层可以 高于延伸电极，然后对白胶和金属层进行研磨，让白胶和金属层在同一平面内最终形成如 图1所示的倒装芯片级LED。在涂白胶时，如图16所示，也可以让白胶层高于延伸电极3的底 面，这样会形成如图17所示的CSPLED。
（13）将步骤（12）的半成品切割成CSPLED。
（14）将第二载台7与第二隔离膜8分离。
（15）将第二隔离膜8与CSPLED100分离。
上述成型工艺简单，且能成型面积较大的延伸电极3和白胶层4，方便安装CSP LED，电连接性能好，可防止锡膏上爬，同时出光效率高。
如图18所示，如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当CSPLED安装到基板10上后， 白胶层4与基板10之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3 与基板10的紧密接触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因 此，减小CSPLED与基板10连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3 与基板10焊接过程中受热导致延伸电极3与基板10之间电连接不可靠的问题，使得CSPLED 与基板10的连接更加的牢固。
在涂白胶时，可以在同一正装芯片的正负电极之间不填充白胶，这样，就会形成如 图19所示的CSPLED。
实施例2。
如图20所示，CSPLED100包括正装芯片1，正装芯片1包括正装芯片本体11和设在 正装芯片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和负电极，正装芯片的顶面设有透 光层。
在正装芯片1的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶为荧光胶；封装胶2的底 面高于电极12的底面。
在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积 大于电极12的面积，在本发明中，所记载的面积为正投影面积。在本实施例中延伸电极的大 小、位置以及结构与实施例1中延伸电极的大小、位置以及结构相同。
如图20所示，在正装芯片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和 负电极之间以及封装胶底面填充有白胶形成白胶层4。
在固定正装芯片1前，已经在正装芯片1上封装了封装胶2，而且封装胶2是封装在 正装芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装芯片的使用方式。减小了CSP LED100的体积和质量。
将上述CSPLED安装基板10上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得 该CSPLED100与基板10连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本发明的CSPLED100， 固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而 且面积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到正装芯片 本体11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当CSPLED100 安装后，当设置了白胶层4后，正装芯片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光 率高。经试验，将本发明的CSPLED固定到基板上和将普通的CSP封装结构固定到基板上，前 者的出光率高出了后者的18%-22%。
上述CSPLED的成型方法是：
（1）如图21所示，提供第一载台5，所述的第一载台5包括载板51，载板51上具有一个以 上的凹陷腔52。凹陷腔52的侧面为自上向下朝凹陷腔52内延伸的斜面，这样，让封装胶2与 凹陷腔52底面之间的间隙均匀，间隙可控性好。
（2）如图22所示，在第一载台5上铺设第一隔离膜6，让第一隔离膜6贴附在载板51、 凹陷腔52的底面和凹陷腔52的侧面上；在本实施例中，第一隔离膜选用UV膜。
（3）如图23所示，在第一隔离膜6上位于凹陷腔52内固定正装芯片1；让正装芯片1 的电极12与第一隔离膜连接，当正装芯片1固定到第一隔离膜6上后，电极12位于凹陷腔52 内，电极12的上表面与第一隔离膜的上表面平齐或是略低于第一隔离膜的上表面。
（4）如图24所示，在第一载台5上注入封装胶2，该封装胶2注入可通过刷、喷等方式 实现，让封装胶2包覆在正装芯片本体的侧面和顶面上；如图25所示，用压板102按压封装胶 2，这样，能更好的控制封装胶2与凹陷腔52底面之间的间隙大小，同时能提高封装胶2上表 面的平整度和对应于凹陷腔封装胶下表面的平整度。在该步骤中，凹陷腔52底面与第一载 台上表面具有高度差，且封装胶为半固化状态，使得封装胶不容易进入到凹陷腔内，封装胶 2与凹陷腔52的底面形成空隙。在本实施例中，封装胶2选用荧光胶。为了更好的防止封装胶 在凹陷腔52位置处出现塌陷的现象，在载板51上位于凹陷腔的四周具有凸起，如图24所示， 该凸起可由凹陷腔向下凹陷自然形成。
（5）让封装胶2固化。
步骤（6）至步骤（15）与实施例1步骤（6）至步骤（15）相同。最终形成如图20所示的 CSPLED。在涂白胶时，如图27所示，也可以让白胶层高于延伸电极3的底面，这样会形成如 图27所示的CSPLED。
上述成型工艺简单，且能成型面积较大的延伸电极3和白胶层4，方便安装CSP LED，电连接性能好，可防止锡膏上爬，同时出光效率高。
如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当CSPLED安装到基板10上后，白胶层4与基 板10之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板10的紧 密接触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小CSPLED 与基板10连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板10焊接过 程中受热导致延伸电极3与基板10之间电连接不可靠的问题，使得CSPLED与基板10的连接 更加的牢固。
在涂白胶时，可以在同一正装芯片的正负电极之间不填充白胶。
本实施例的成型方法，通过在载板51上设置凹陷腔52，在成型时，正装芯片1的电 极12位于凹陷腔52内，让正装芯片1的电极12与第一隔离膜6接触，当加入半固化的封装胶2 后，由于凹陷腔52底面与载板上表面具有高度差，同时封装胶2为半固化状态，因此，封装胶 2始终不会与凹陷腔52的底面接触，使得在凹陷腔52底面与封装胶2之间自然形成空隙，这 样，封装胶2的下表面会高于电极12的下表面，使得封装胶2与电极12之间形成台阶。根据本 发明所记载的工艺过程，只需要在第一载台5上形成凹陷腔52，然后铺设隔离膜6、放置正装 芯片1、注胶、固化、切割，因此，工艺步骤非常的简单，降低了制造成本。
实施例3。
成型实施例2中CSPLED的另一种成型方法是：
（1）如图28和图29所示，提供第三载台103，第三载台103具有胶腔1031，胶腔可由框体 形成，也可以由多个定位柱形成，在第三载台上铺设第三隔离膜104，第三隔离膜104为UV 膜，第三隔离膜104的厚度为h5。设定胶腔1301正投影面积为S1，上述的正投影是指沿着图28 中X方向投影的方向。如图29所示，向胶腔1301内注入封装胶2，所述的封装胶2为半固化胶， 半固化胶的粘度为10—80Pa.s（帕?每秒），第三隔离膜104将第三载台与封装胶2隔离，注入 到胶腔内的封装胶2低于第三载台上边缘；注入到胶腔1301内的封装胶2的胶面到第三载台 上边缘的距离为h，正装芯片1未伸入时封装胶2在胶腔1301中的高度为h1，则有封装胶的体 积V1=S1h1。
（2）如图30所示，提供第一载台5，第一载台5为平板状，在第一载台5的底面铺设第 一隔离膜6，第一隔离膜6为UV膜，在第一隔离膜6上设置一个以上的正装芯片1。单个正装芯 片的正投影面积为S2，如图30所示，Y方向为正投影方向，单个正装芯片的高度为h2，设置在 第一载台5上的正装芯片的数量为n，则有所有正装芯片的体积V2=n·S2h2。
（3）如图31所示，让正装芯片1连同第一载台5和第一隔离膜6逐渐向封装胶方向运 动，如图32所示，让正装芯片1伸入到封装胶2内，当第三隔离膜104与第一隔离膜6接触后， 第一载台5停止运动，让封装胶2包覆在正装芯片1的侧面和顶面上；让封装胶2与正装芯片1 的电极11底面具有间隙h3。为了更好、更加精确的控制封装胶2与正装芯片1的电极12底面 之间的间隙h3，应当精确的控制h值，根据体积相同的原理，h=h3+h4-h5，h4为当正装芯片伸入 到封装胶内后封装胶的变化高度，。
（4）如图33所示，待封装胶2固化。
（5）固化后将封装胶2与第三隔离膜104分离。
（6）如图9所示，提供第二载台7，在第二载台7上铺设第二隔离膜8；将封装胶2的顶 面固定到第二隔离膜8上；如图10所示，让第一隔离膜6与正装芯片1分离。
步骤（7）至步骤（15）与实施例2步骤（7）至步骤（15）相同。
上述成型方法，控制第一载台5与第三载台103的距离，让封装胶2与正装芯片1的 电极底面具有间隙，由于采用了本实施例的成型方法，因此，封装胶的下表面会高于电极的 下表面，使得封装胶与电极之间形成台阶。根据本发明所记载的工艺过程，只需要提供第三 载台和第一载台5，然后铺设第三隔离膜、第一隔离膜、放置正装芯片1、在第三隔离膜104上 注胶、让正装芯片1伸入到封装胶2内使得封装胶2自动包覆在正装芯片1上、固化，因此，工 艺步骤非常的简单，降低了制造成本。由于封装胶2与第三载台103上边缘具有距离h，利用 该距离能自动控制封装胶与正装芯片电极底面之间的间隙，让工艺更加的简单，操作方便。 对于采用胶腔1031的结构，当正装芯片1伸入到胶腔1031内的封装胶2内时，封装胶2的高度 会变化，因此，通过体积相等的原理计算h的数值，这样，能精确的控制封装胶与正装芯片的 电极底面之间的间隙。由于采用半固化封装胶，使得封装胶的流动性较差，因此，容易控制 封装胶的形状。
实施例4。
如图34至图36所示，CSPLED100三面出光，CSPLED100包括正装芯片1，正装芯 片1包括正装芯片本体11和设在正装芯片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和 负电极。
在正装芯片1的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶包括挡光胶2a和荧光胶 2b。正装芯片1的两相对侧面封装有挡光胶2a，挡光胶为白胶，这种挡光胶吸光少，而且对光 具有反射作用。正装芯片1的另外两相对侧面和顶面上封装有荧光胶2b；挡光胶2a的底面与 电极的底面平齐，荧光胶2b的底面与电极12的底面平齐。
如图35所示，挡光胶2a的顶面与顶面的荧光胶2b平齐。避免因挡光胶2a高于荧光 胶而影响出光角度。
作为另一种结构，如图37所示，顶面的荧光胶2b可全部覆盖在正装芯片和挡光胶 2a上。
作为改进，如图38所示，挡光胶2a的顶面与正装芯片本体11的顶面平齐，顶面的荧 光胶盖住挡光胶2a的一部分，减小在挡光胶2a的上方出现黄光。
作为改进，如图39所示，在正装芯片的侧面和顶面封装有荧光胶2b，在两相对侧面 且位于荧光胶外设有挡光胶2a，由于正装芯片1与挡光胶2a之间也设有封装胶2b，从而能使 得正装芯片侧面发出的光激发荧光胶产生的光被挡光胶反射出光，进而提升出光效率。
在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积 大于电极12的面积，在本发明中，所记载的面积为正投影面积。本实施例中延伸电极的大 小、位置以及结构与实施例1中延伸电极的大小、位置以及结构相同。
在正装芯片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以 及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。
在本实施例中，由于两相对侧面设置了挡光胶2a，因此，该结构的CSPLED只有两 相对侧面和顶面三面出光，正装芯片1侧面的出光角度大，因此，使得具有荧光胶的两侧面 的出光角度大，再加上挡光胶2a对光具有反射作用，通过挡光胶2a能将其中两相对侧面的 光反射出去，使得三面出光更加均匀，在具有荧光胶的两侧暗区范围明显减小，也提高了光 的利用率。
在固定正装芯片1前，已经在正装芯片1上封装了封装胶2，而且封装胶2是封装在 正装芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装芯片的使用方式。减小了CSP LED100的体积和质量。
将上述CSPLED安装基板上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该 CSPLED100与基板连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本发明的CSPLED100，固定 的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面 积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到正装芯片本体 11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当CSPLED100安装 后，当设置了白胶层4后，正装芯片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率 高。经试验，将本发明的CSPLED固定到基板上和将普通的CSPLED固定到基板上，前者的出 光率高出了后者的18%-22%。
上述CSPLED的成型方法是：
步骤（1）到（3）与实施例1步骤（1）到（3）相同。
（4）在第一载台5上加入封装胶2，在该过程中，由于封装胶由挡光胶和荧光胶组 成，因此，可将挡光胶和荧光胶分开加入，让封装胶2包覆在正装芯片1的侧面和顶面上，在 本实施例中，封装胶2的底面与电极12的底面平齐。
（5）让封装胶2固化。
步骤（6）至步骤（15）与实施例1中的步骤（6）至步骤（15）相同。最终形成如图34至 图36所示的CSPLED。在涂白胶时，也可以让白胶层高于延伸电极3的底面。
上述成型工艺简单，且能成型面积较大的延伸电极3和白胶层4，方便安装CSP LED，电连接性能好，可防止锡膏上爬，同时出光效率高。
如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当CSPLED安装到基板上后，白胶层4与基板 之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板的紧密接 触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小CSPLED与基 板连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板焊接过程中受热 导致延伸电极3与基板之间电连接不可靠的问题，使得CSPLED与基板的连接更加的牢固。
在涂白胶时，可以在同一正装芯片的正负电极之间不填充白胶。
实施例5。
如图40和图41所示，CSPLED三面出光，CSPLED100包括正装芯片1，正装芯片1包 括正装芯片本体11和设在正装芯片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和负电 极。
在正装芯片本体11的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶包括挡光胶2a和 荧光胶2b。正装芯片本体11的两相对侧面封装有挡光胶2a，挡光胶为白胶，这种挡光胶吸光 少，而且对光具有反射作用。正装芯片本体11的另外两相对侧面和顶面上封装有荧光胶2b； 挡光胶2a的底面高于电极的底面，荧光胶2b的底面高于电极12的底面。
如图41所示，挡光胶2a的顶面与顶面的荧光胶2b平齐。避免因挡光胶2a高于荧光 胶而影响出光角度。
作为另一种结构，顶面的荧光胶2b可全部覆盖在正装芯片和挡光胶2a上。
作为改进，挡光胶2a的顶面与正装芯片本体11的顶面平齐，顶面的荧光胶盖住挡 光胶2a的一部分，减小在挡光胶2a上方出现黄光。
作为改进，在正装芯片的侧面和顶面封装有荧光胶2b，在两相对侧面且位于荧光 胶外设有挡光胶2a，由于正装芯片1与挡光胶2a之间也设有封装胶2b，从而能使得正装芯片 侧面发出的光激发封装胶产生的光被挡光胶反射出光，进而提升出光效率。
在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积 大于电极12的面积，在本发明中，所记载的面积为正投影面积。在本实施例中延伸电极的大 小、位置以及结构与实施例1中延伸电极的大小、位置以及结构相同。
在本实施例中，由于两相对侧面设置了挡光胶2a，因此，该结构的CSPLED只有两 相对侧面和顶面三面出光，正装芯片1侧面的出光角度大，因此，使得具有荧光胶的两侧面 的出光角度大，再加上挡光胶2a对光具有反射作用，通过挡光胶2a能将其中两相对侧面的 光反射出去，使得三面出光更加均匀，在具有荧光胶的两侧暗区范围明显减小，也提高了光 的利用率。
在固定正装芯片1前，已经在正装芯片1上封装了封装胶2，而且封装胶2是封装在 正装芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装芯片的使用方式。减小了CSP LED100的体积和质量。
将上述CSPLED安装基板上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该 CSPLED100与基板连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本发明的CSPLED100，固定 的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面 积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到正装芯片本体 11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当CSPLED100安装 后，当设置了白胶层4后，正装芯片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率 高。经试验，将本发明的CSPLED固定到基板上和将普通的CSPLED固定到基板上，前者的出 光率高出了后者的18%-22%。
上述CSPLED的成型方法是：
步骤（1）至步骤（3）与实施例1的步骤（1）至步骤（3）相同。
（4）如图24所示，在第一载台5上注入封装胶2，由于封装胶由挡光胶和荧光胶组 成，因此，可将挡光胶和荧光胶分开加入，可先在第一载台5上注入荧光胶，然后将每行或每 列相邻正装芯片之间荧光胶上切割形成用于灌入挡光胶的沟槽，让封装胶2包覆在正装芯 片本体的侧面和顶面上；如图25所示，用压板102按压封装胶2，这样，能更好的控制封装胶2 与凹陷腔52底面之间的间隙大小，同时能提高封装胶2上表面的平整度和对应于凹陷腔封 装胶下表面的平整度。在该步骤中，凹陷腔52底面与第一载台上表面具有高度差，且封装胶 为半固化状态，使得封装胶不容易进入到凹陷腔内，封装胶2与凹陷腔52的底面形成空隙。 为了更好的防止封装胶在凹陷腔52位置处出现塌陷的现象，在载板51上位于凹陷腔的四周 具有凸起，如图24所示，该凸起可由凹陷腔向下凹陷自然形成。
（5）让封装胶2固化。
步骤（6）至步骤（15）与实施例1的步骤（6）至步骤（15）相同。最终形成如图40至图 41所示的CSPLED。在涂白胶时，也可以让白胶层高于延伸电极3的底面。
上述成型工艺简单，且能成型面积较大的延伸电极3和白胶层4，方便安装CSP LED，电连接性能好，可防止锡膏上爬，同时出光效率高。
如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当CSPLED安装到基板上后，白胶层4与基板 之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板的紧密接 触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小CSPLED与基 板连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板焊接过程中受热 导致延伸电极3与基板之间电连接不可靠的问题，使得CSPLED与基板的连接更加的牢固。
在涂白胶时，可以在同一正装芯片的正负电极之间不填充白胶。
实施例6。
如图42至图44所示，CSPLED100单面出光，CSPLED100包括正装芯片1，正装芯 片1包括正装芯片本体11和设在正装芯片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和 负电极。
在正装芯片1的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶包括挡光胶2a和荧光胶 2b。正装芯片1的四周封装有挡光胶2a，挡光胶为白胶，这种挡光胶吸光少，而且对光具有反 射作用。正装芯片1的顶面上封装有荧光胶2b；挡光胶2a的底面与电极的底面平齐。
如图42所示，挡光胶2a的顶面与顶面的荧光胶2b平齐。避免因挡光胶2a高于荧光 胶而影响出光角度。
作为另一种结构，如图45所示，顶面的荧光胶2b可全部覆盖在正装芯片和挡光胶 2a上。
作为改进，如图46所示，挡光胶2a的顶面与正装芯片本体11的顶面平齐，顶面的荧 光胶盖住挡光胶2a的一部分，减小在挡光胶2a的上方出现黄光。
作为改进，如图47所示，在正装芯片的侧面和顶面封装有荧光胶2b，在侧面且位于 荧光胶外设有挡光胶2a，由于正装芯片1与挡光胶2a之间也设有封装胶2b，从而能使得正装 芯片侧面发出的光激发封装胶产生的光被挡光胶反射出光，进而提升出光效率。
在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积 大于电极12的面积，在本发明中，所记载的面积为正投影面积。在本实施例中延伸电极的大 小、位置以及结构与实施例1中延伸电极的大小、位置以及结构相同。
在正装芯片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以 及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。
在本实施例中，由于四周设置了挡光胶2a，因此，该结构的CSPLED只有顶面出光， 再加上挡光胶2a对光具有反射作用，通过挡光胶2a能将四周的光反射出去，提高了光的利 用率。
在固定正装芯片1前，已经在正装芯片1上封装了封装胶2，而且封装胶2是封装在 正装芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装芯片的使用方式。减小了CSP LED100的体积和质量。
将上述CSPLED安装基板上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该 CSPLED100与基板连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本发明的CSPLED100，固定 的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面 积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到正装芯片本体 11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当CSPLED100安装 后，当设置了白胶层4后，正装芯片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率 高。经试验，将本发明的CSPLED固定到基板上和将普通的CSPLED固定到基板上，前者的出 光率高出了后者的18%-22%。
上述CSPLED的成型方法是：
步骤（1）至步骤（3）与实施例1的步骤（1）至步骤（3）相同。
（4）在第一载台5上加入挡光胶，让挡光胶与正装芯片本体的顶面平齐或高于正装 芯片本体的顶面；固化挡光胶，打磨挡光胶；然后在挡光胶上加入荧光胶，让封装胶2包覆在 正装芯片1的侧面和顶面上，在本实施例中，封装胶2的底面与电极12的底面平齐。
（5）让封装胶2固化。
步骤（6）至步骤（15）与实施例1的步骤（6）至步骤（15）相同。最终形成如图42至图 44所示的CSPLED。在涂白胶时，也可以让白胶层高于延伸电极3的底面。针对图47的结构的 形成方法与上述步骤相同，只是步骤（4）中先在第一载台5内注入荧光胶，然后在正装芯片 周围的荧光胶上切割形成用于灌入挡光胶的槽，最后灌入挡光胶即可。
上述成型工艺简单，且能成型面积较大的延伸电极3和白胶层4，方便安装CSP LED，电连接性能好，可防止锡膏上爬，同时出光效率高。
如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当CSPLED安装到基板上后，白胶层4与基板 之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板的紧密接 触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小CSPLED与基 板连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板焊接过程中受热 导致延伸电极3与基板之间电连接不可靠的问题，使得CSPLED与基板的连接更加的牢固。
在涂白胶时，可以在同一正装芯片的正负电极之间不填充白胶。
实施例7。
如图48和图49所示，CSPLED100单面出光，CSPLED100包括正装芯片1，正装芯 片1包括正装芯片本体11和设在正装芯片本体11底部的电极12，所述的电极包括正电极和 负电极。
在正装芯片本体11的侧面和顶面封装有封装胶2，所述的封装胶包括挡光胶2a和 荧光胶2b。正装芯片本体11的四周封装有挡光胶2a，挡光胶为白胶，这种挡光胶吸光少，而 且对光具有反射作用。正装芯片本体11的顶面上封装有荧光胶2b；挡光胶2a的底面高于电 极的底面。
如图48所示，挡光胶2a的顶面与顶面的荧光胶2b平齐。避免因挡光胶2a高于荧光 胶而影响出光角度。
作为另一种结构，顶面的荧光胶2b可全部覆盖在正装芯片和挡光胶2a上。
作为改进，挡光胶2a的顶面与正装芯片本体11的顶面平齐，顶面的荧光胶盖住挡 光胶2a的一部分，减小在挡光胶2a的上方出现黄光。
作为改进，在正装芯片的侧面和顶面封装有荧光胶2b，在四周且位于荧光胶外设 有挡光胶2a，由于正装芯片1与挡光胶2a之间也设有封装胶2b，从而能使得正装芯片侧面发 出的光激发荧光胶产生的光被挡光胶反射出光，进而提升出光效率。
在电极12的底部设有延伸电极3，延伸电极3的外端凸出电极12，延伸电极3的面积 大于电极12的面积，在本发明中，所记载的面积为正投影面积。在本实施例中延伸电极的大 小、位置以及结构与实施例1中延伸电极的大小、位置以及结构相同。
在正装芯片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以 及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。
在固定正装芯片1前，已经在正装芯片1上封装了封装胶2，而且封装胶2是封装在 正装芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装芯片的使用方式。减小了CSP LED100的体积和质量。
将上述CSPLED安装基板上后，由于延伸电极3的面积大于电极12的面积，使得该 CSPLED100与基板连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本发明的CSPLED100，固定 的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极12的下方成型了延伸电极3，而且面 积相对较大，延伸电极3的外端凸出电极12，因此，焊接的锡膏不容易上爬到正装芯片本体 11上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层4，白胶层4的反射率高，当CSPLED100安装 后，当设置了白胶层4后，正装芯片本体11向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率 高。经试验，将本发明的CSPLED固定到基板上和将普通的CSPLED固定到基板上，前者的出 光率高出了后者的18%-22%。
上述CSPLED的成型方法是：
步骤（1）至步骤（3）与实施例1的步骤（1）至步骤（3）相同。
（4）如图24所示，在第一载台5上注入封装胶2，封装胶由荧光胶和挡光胶组成，让 封装胶2包覆在正装芯片本体的侧面和顶面上；如图25所示，用压板102按压封装胶2，这样， 能更好的控制封装胶2与凹陷腔52底面之间的间隙大小，同时能提高封装胶2上表面的平整 度和对应于凹陷腔封装胶下表面的平整度。在该步骤中，凹陷腔52底面与第一载台上表面 具有高度差，且封装胶为半固化状态，使得封装胶不容易进入到凹陷腔内，封装胶2与凹陷 腔52的底面形成空隙。为了更好的防止封装胶在凹陷腔52位置处出现塌陷的现象，在载板 51上位于凹陷腔的四周具有凸起，如图24所示，该凸起可由凹陷腔向下凹陷自然形成。
（5）让封装胶2固化。
步骤（6）至步骤（15）与实施例1的步骤（6）至步骤（15）相同。最终形成如图48至图 49所示的CSPLED。在涂白胶时，也可以让白胶层高于延伸电极3的底面。
上述成型工艺简单，且能成型面积较大的延伸电极3和白胶层4，方便安装CSP LED，电连接性能好，可防止锡膏上爬，同时出光效率高。
如果白胶层4高于延伸电极3的底面，当CSPLED安装到基板上后，白胶层4与基板 之间有间隙。因此，即使白胶层4具有向下的毛刺，也不会影响延伸电极3与基板的紧密接 触，另外，如果白胶层4受热膨胀，白胶层下方也给予其膨胀的空间，因此，减小CSPLED与基 板连接的空洞率，解决了由于白胶层切割存在毛刺以及延伸电极3与基板焊接过程中受热 导致延伸电极3与基板之间电连接不可靠的问题，使得CSPLED与基板的连接更加的牢固。
在涂白胶时，可以在同一正装芯片的正负电极之间不填充白胶。
实施例8
提供一种利用正装芯片成型倒装芯片的方法，包括如下步骤：
（1）提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；将正装芯片的顶面固定到第二隔离 膜上，让正装芯片的电极朝上；
（2）在正装芯片电极的一侧涂光刻胶，在光刻胶上盖掩膜版；
（3）曝光；
（4）显影：通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为正装芯片电极对应的 溶解区域，溶解区域的面积大于电极的面积；
（5）在溶解区域内蒸镀金属层形成延伸电极；
（6）清洗掉光刻胶；
（7）切割成倒装芯片；
（8）涂白胶；
（9）将第二载台与第二隔离膜分离；
（10）将第二隔离膜与倒装芯片分离。
通过正装芯片的电极上形成延伸电极，从而使得利用正装芯片形成倒装芯片使 用，节约成本，且提高连接可靠性。
机译： 控制底部填充圆角尺寸，倒装芯片（FC），芯片级封装（CSP）和球栅阵列（BGA）中的流出和渗出的方法
机译： 模制芯片级封装（csp）中的倒装芯片半导体器件及其组装方法
机译： 模制芯片级封装（CSP）中的倒装芯片半导体器件及其组装方法
