用于薄膜太阳能电池透明电极的IWO材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于薄膜太阳能电池透明电极的IWO材料的制备方法，In2O3粉体和WO3粉体，加水及有机助剂，有机粘接剂，球磨，喷雾干燥造粒，脱除有机添加剂；烧结致密，得到IWO陶瓷半导体材料，导电性能良好，体电阻率小于7×10-3Ω.cm。磁控溅射生产透明导电膜，电阻率小于5×10-4Ω.cm，在可见光区域透过率大于83%,电子迁移率达到51cm2/VS，载流子浓度2.6×1020/厘米3，获得了比现有薄膜太阳能电池技术中AZO、ITO薄膜更高的电子迁移率，可以有效提高转化率，耐候性优良，降低了在薄膜电池在使用过程中由于膜层性能恶化导致转化效率下降的风险。