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含噻吩基单核钌配合物电聚合薄膜的制备方法和光电化学性质

摘要

本发明公开了一种含噻吩基单核钌配合物的电聚合薄膜的制备方法及其电化学和光电化学的性质,采用简单的电化学的方法使单核钌配合物在ITO电极上形成聚合物薄膜,对薄膜的电化学的性质测试显示,该聚合物聚合20圈薄膜在水溶液中具有很好的稳定性,对薄膜进行的光电性能测试结果显示,在负偏压部分,所加偏压越负,该薄膜的光电流越大,当偏压为0V时也表现出了相当大的光电流,随着偏压继续增加,光电流的变化幅度明显小于在负偏压时的光电流大小,表现出了很好的整流性质。因此,本发明中的含噻吩基的单核钌配合物电聚合薄膜在能量转换领域有着广泛的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN105384916A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-03-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京师范大学;

    申请/专利号CN201510641584.5

  • 发明设计人 王克志;杨薇;薛龙新;

    申请日2015-10-08

  • 分类号C08G61/12;H01L51/00;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100875 北京市海淀区新街口外大街19号

  • 入库时间 2023-12-18 14:35:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-22

    授权

    授权

  • 2016-04-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08G61/12 申请日:20151008

    实质审查的生效

  • 2016-03-09

    公开

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