附载体铜箔的制法、覆铜积层板的制法、印刷配线板的制法、电子机器的制法及它们的制品

摘要

本发明提供一种附载体铜箔的制造方法，其包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层的附载体铜箔，进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或1小时～6小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或2小时～4小时的加热温度为160℃～220℃的加热处理。

说明书

技术领域

本发明涉及一种附载体铜箔的制造方法、覆铜积层板的制造方法、印刷配线板的制造方法、及电子机器的制造方法、附载体铜箔、积层体、印刷配线板以及电子机器。

背景技术

印刷配线板通常经下述步骤而制造：在使绝缘基板与铜箔接着而制成覆铜积层板之后，通过蚀刻而在铜箔面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大而推展搭载零件的高密度构装化或信号的高频化，从而对印刷配线板要求有导体图案的细微化(窄间距化)或高频应对等。

与窄间距化相对应，近来要求厚度在9μm以下、甚至是厚度在5μm以下的铜箔，然而，这种极薄的铜箔其机械强度低，在印刷配线板的制造时易破裂或产生皱折，因此发展出将具有厚度的金属箔用作为载体并隔着剥离层将极薄铜层电沉积在其上而成的附载体铜箔。在将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。在所露出的极薄铜层上通过抗蚀剂而形成电路图案后，利用硫酸－过氧化氢系蚀刻液来蚀刻去除极薄铜层，通过此手法(MSAP：Modified－Semi－Additive－Process)来形成细微电路。

此处，对于成为与树脂的接着面的附载体铜箔的极薄铜层的表面主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充足，且此剥离强度在高温加热、湿式处理、焊接、化学药剂处理等之后也保持为充足。提高极薄铜层与树脂基材间的剥离强度的方法，一般而言是以下述方法为代表：使大量的粗化粒子附着于表面的轮廓(凹凸、粗糙)增大后的极薄铜层上。

然而，即便是在印刷配线板中，若在具有形成特别细微的电路图案的需要的半导体封装基板使用这种轮廓(凹凸、粗糙)大的极薄铜层，则在电路蚀刻时会残留不需要的铜粒子，会产生电路图案间的绝缘不良等问题。

因此，在WO2004/005588号(专利文献1)中尝试了使用未在极薄铜层的表面施加粗化处理的附载体铜箔作为以半导体封装基板为首的用于细微电路的附载体铜箔。由于其低轮廓(凹凸、粗糙度、粗糙)的影响，这种未施加粗化处理的极薄铜层与树脂的密合性(剥离强度)与一般的印刷配线板用铜箔相比，有降低的倾向。因此，要求对附载体铜箔作进一步的改善。

因此，在日本特开2007－007937号公报(专利文献2)及日本特开2010－006071号公报(专利文献3)中，记载有在附载体极薄铜箔的与聚酰亚胺系树脂基板接触(接着)的面，设置Ni层或/及Ni合金层、设置铬酸盐层、设置Cr层或/及Cr合金层、设置Ni层及铬酸盐层、设置Ni层及Cr层。通过设置该等表面处理层，聚酰亚胺系树脂基板与附载体极薄铜箔的密合强度可不经粗化处理或是降低粗化处理的程度(细微化)即可得到所欲的接着强度。此外，也记载有利用硅烷偶合剂来进行表面处理或施加防锈处理。

[专利文献1]WO2004/005588号

[专利文献2]日本特开2007－007937号公报

[专利文献3]日本特开2010－006071号公报。

发明内容

在附载体铜箔的开发中，至今为止确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度一直被视为重点。因此，仍未对极薄铜层的电路形成性进行充分探讨，其仍有改善的空间。

对极薄铜层形成电路，通常是以下述方式进行：在将极薄铜层积层在树脂基材后去除载体，然后，在在极薄铜层上设置有特定图案的光阻的状态下，利用特定的蚀刻液进行蚀刻处理，去除未被光阻覆盖的部分的铜层。之后，通过去除光阻，制作具有所欲的导体图案的电路。

此处，在利用特定的蚀刻液进行蚀刻处理时，若极薄铜层的与树脂基材的界面附近部分对于蚀刻液的润湿性差，则蚀刻液的润湿范围不足。在此情形，与树脂基材的界面附近部分会产生蚀刻不均匀的部分，电路直线性变得不良。本发明提供对于极薄铜层的电路形成性良好的附载体铜箔的制造方法。又，提供蚀刻液的润湿性良好的附载体铜箔。

以上述见解为基础所完成的本发明在一方面中，是一种附载体铜箔的制造方法，其包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层的附载体铜箔，进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或1小时～6小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或2小时～4小时的加热温度为160℃～220℃的加热处理。

本发明在另一个方面中，是一种附载体铜箔的制造方法，其包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、表面处理层的附载体铜箔，将到达加热温度为止的升温速度设为超过50℃/小时，进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或1小时～6小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，或2小时～4小时的加热温度为160℃～220℃的加热处理。

本发明的附载体铜箔的制造方法在一实施方案中，上述加热处理中的上述升温速度为200℃/小时以下。

本发明的附载体铜箔的制造方法在另一实施方案中，上述加热处理步骤后在常温下所测得的载体的拉伸强度为300MPa以上。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中，是在非活性气体环境下进行加热处理。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中，在将附载体铜箔卷入至金属制的中空管中的状态下进行加热处理。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中，将把附载体铜箔卷入至金属制的中空管中时的张力设为5～100kgf/m或20～100kgf/m从而进行加热处理。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，在上述加热处理步骤中，在将附载体铜箔卷入至金属制的中空管中的状态下，一边以0.01～600旋转/小时的速度旋转上述中空管一边进行加热处理。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体铜箔进一步在上述载体侧的表面依序具备中间层、极薄铜层。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体铜箔进一步在上述载体侧的表面具有表面处理层。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，上述表面处理层包含粗化处理层。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，在上述表面处理层为粗化处理层的表面进一步具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所构成的群中的一种以上的层。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体铜箔在上述极薄铜层的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一层以上的层来作为表面处理层。

本发明的附载体铜箔的制造方法在再另一实施方案中，上述加热处理前的附载体铜箔在上述表面处理层上具备树脂层。

本发明在再另一方面中，是一种覆铜积层板的制造方法，其使用有通过本发明的方法所制得的附载体铜箔。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其使用有通过本发明的方法所制得的附载体铜箔。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：

准备通过本发明的方法而制得的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；及

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，

其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法(ModifiedSemiAdditive)中的任一方法形成电路。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：

在通过本发明的方法而制得的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路；

以埋没上述电路的方式在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层；

在上述树脂层上形成电路；

在上述树脂层上形成电路后，剥离上述载体或上述极薄铜层；及

在剥离上述载体后，去除上述极薄铜层或上述载体，由此使形成在上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面的埋没于上述树脂层的电路露出。

本发明在再另一方面中，是一种电子机器的制造方法，其使用有通过本发明的方法所制得的印刷配线板。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其是通过本发明的方法而制得。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层，在水平面上以极薄铜箔侧的表面处理层在上面的方式来放置附载体铜箔(除了具备树脂层者以外)，使用吸量管在一个部位滴加30μL具有硫酸24重量％－过氧化氢15重量％(剩余部分为水)的组成的蚀刻液，放置30秒后擦掉蚀刻液后，蚀刻液的痕迹的最大直径与最小直径的差为10mm以下。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层，在水平面上以极薄铜箔侧的表面处理层在上面的方式来放置附载体铜箔(除了具备树脂层者以外)，使用吸量管在一个部位滴加30μL具有硫酸24重量％－过氧化氢15重量％(剩余部分为水)的组成的蚀刻液，放置30秒后擦掉蚀刻液后，蚀刻液的痕迹的最大直径为25mm以上。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、极薄铜层、表面处理层，在水平面上以极薄铜箔侧的表面处理层在上面的方式来放置附载体铜箔(除了具备树脂层者以外)，使用吸量管在一个部位滴加30μL具有硫酸24重量％－过氧化氢15重量％(剩余部分为水)的组成的蚀刻液，放置30秒后擦掉蚀刻液后，蚀刻液的痕迹的最大直径与最小直径的差为10mm以下。

本发明在再另一方面中，是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、极薄铜层、表面处理层，在水平面上以极薄铜箔侧的表面处理层在上面的方式来放置附载体铜箔(除了具备树脂层者以外)，使用吸量管在一个部位滴加30μL具有硫酸24重量％－过氧化氢15重量％(剩余部分为水)的组成的蚀刻液，放置30秒后擦掉蚀刻液后，蚀刻液的痕迹的最大直径为25mm以上。

本发明的附载体铜箔在再另一方面中，上述蚀刻液的痕迹的最大直径与最小直径的差为5mm以下。

本发明的附载体铜箔在再另一方面中，上述蚀刻液的痕迹的最大直径为35mm以上。

本发明在再另一方面中，是一种积层体，其是使用本发明的附载体铜箔而制得。

本发明在再另一方面中，是一种积层体，其含有本发明的附载体铜箔与树脂，上述附载体铜箔的端面的一部分或全部被上述树脂所覆盖。

本发明在再另一方面中，是一种积层体，其是将一个本发明的附载体铜箔自上述载体侧或上述表面处理层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的上述载体侧或上述表面处理层侧而成。

本发明的积层体在一实施方案中，上述一个附载体铜箔的上述载体侧表面或上述表面处理层侧表面与上述另一个附载体铜箔的上述载体侧表面或上述表面处理层侧表面视需要经由接着剂直接积层而被构成。

本发明的积层体在另一实施方案中，上述一个附载体铜箔的上述载体或上述表面处理层与上述另一个附载体铜箔的上述载体或上述表面处理层接合。

本发明的积层体在再另一实施方案中，上述积层体的端面的一部分或全部被树脂覆盖。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板，其是使用本发明的附载体铜箔制造而成的。

本发明在再另一方面中，是一种电子机器，其是使用本发明的印刷配线板制造而成的。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；及

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，

其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：

在本发明的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路；

以埋没上述电路的方式在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层；

在形成上述树脂层后，剥离上述载体或上述极薄铜层；及

在剥离上述载体或上述极薄铜层后，去除上述极薄铜层或上述载体，由此使形成在上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面的埋没于上述树脂层的电路露出。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：

在本发明的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路；

以埋没上述电路的方式在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层；

在上述树脂层上形成电路；

在上述树脂层上形成电路后，剥离上述载体或上述极薄铜层；及

在剥离上述载体或上述极薄铜层后，去除上述极薄铜层或上述载体，由此使形成在上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面的埋没于上述树脂层的电路露出。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：

将本发明的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面与树脂基板进行积层；

在与上述附载体铜箔的积层有树脂基板的侧为相反侧的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面至少设置1次树脂层和电路此两层；及

在形成上述树脂层及电路此两层后，从上述附载体铜箔剥离上述载体或上述极薄铜层。

本发明在再另一方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其包含以下步骤：

将本发明的附载体铜箔的上述载体侧表面与树脂基板进行积层；

在与上述附载体铜箔的积层有树脂基板的侧为相反侧的极薄铜层侧表面至少设置1次树脂层和电路此两层；及

在形成上述树脂层及电路此两层后，从上述附载体铜箔剥离上述极薄铜层。

通过本发明，可提供一种对极薄铜层的电路形成性良好的附载体铜箔的制造方法。又，提供蚀刻液的润湿性良好的附载体铜箔。

附图说明

图1A～图1C是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例的自曝光-显影至电路镀敷－去除光阻剂为止的步骤中的配线板剖面的示意图。

图2D～图2F是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例的自积层树脂及第2层附载体铜箔至雷射开孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。

图3G～图3I是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例的自形成通孔填充物至剥离第1层载体为止的步骤中的配线板剖面的示意图。

图4J～图4K是使用了本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例的自快速蚀刻至形成凸块－铜柱为止的步骤中的配线板剖面的示意图。

图5：是电路的俯视观察照片，其表示实验例中的自电路上面进行观察而得到的电路下端宽度的最大值与最小值的差(μm)的测定方法。

具体实施方式

＜附载体铜箔的制造方法＞

作为依序具备有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔的使用形态，首先，将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板并进行热压接后，剥离载体。接着，在已和绝缘基板接着的极薄铜层设置特定图案的光阻。接着，利用特定的蚀刻液进行蚀刻处理，通过去除未被光阻所覆盖的部分的极薄铜层，而形成作为目的的导体图案，例如，制作具有特定电路的印刷配线板等。此处，通过特定的蚀刻液来进行蚀刻处理时，若极薄铜层的与树脂基材的界面附近部分对于蚀刻液的润湿性差，则蚀刻液的润湿范围变得不足。在此情形时，在与树脂基材的界面附近部分会产生蚀刻不均匀的部分，而使电路直线性变得不良。

对此，本发明的附载体铜箔的制造方法在一方面中，是在准备依序具备载体、中间层、极薄铜层、包含硅烷偶合处理层的表面处理层的附载体铜箔后，对该附载体铜箔进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理。再者，上述100℃～220℃是表示加热装置内的环境温度。如此，通过进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，由于硅烷偶合处理层中的未反应的氢基会进行脱水缩合反应，因此该处理层除了会变得更牢固而提高与树脂基材的密合性之外，还会使极薄铜层与表面处理层之间的界面附近，及在具有多层表面处理层的情形时该多层之间的界面附近的原子组成不连续部分通过相互扩散而形成为连续的原子组成分布，因此极薄铜层的与树脂基材的界面附近部分对于蚀刻液的润湿性变得良好，在与树脂基材的界面附近部分蚀刻均匀，而使极薄铜层的电路直线性变得良好。再者，典型而言，极薄铜层主要由铜构成。又，表面处理层也可依序具有粗化处理层及/或耐热层及/或防锈层及/或铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层，也可以任意的顺序来具有这些层。粗化处理层优选为主要由合金，例如铜合金或镍合金或钴合金等构成。粗化处理层主要也可由铜构成。铬酸盐处理层优选为主要由金属氧化物构成。硅烷偶合处理层优选为由有机硅化合物构成。

通常，由于将附载体铜箔与树脂基材贴合时进行50～120分钟左右的温度为160～220℃的加热压接，因此虽然在此时上述的相互扩散也会在某种程度上进行，但是视条件也会有相互扩散不足的情形。因此，通过将上述加热处理在与树脂基材接着前进行，可使蚀刻性及其均匀性的提高效果更为确实。

再者，在附载体铜箔的极薄铜层侧表面检测到Si的情形时，可通过XPS等表面分析来判断存在硅烷偶合处理层。

在该加热处理中，在温度未达100℃，或加热时间未达1小时的情形时，各处理层间的界面附近的相互扩散变得不足。又，在该加热处理中，在温度超过220℃，或加热时间超过8小时的情形时，会有可能生成载体与极薄铜箔的剥离强度产生变化，或发生极薄铜层的晶粒成长从而使机械强度下降等其他的问题。在该加热处理步骤中，优选为进行1小时～6小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理，优选为进行1小时～6小时的加热温度为120℃～220℃的加热处理，更优选为进行2小时～4小时的加热温度为160℃～220℃的加热处理。

本发明的附载体铜箔的制造方法在另一方面中，包含下述加热处理步骤：对依序具备载体、中间层、极薄铜层、表面处理层的附载体铜箔，将到达加热温度为止的升温速度设为超过50℃/小时，进行1小时～8小时的加热温度为100℃～220℃的加热处理。此处，该升温速度是从加热开始至第一次到达加热温度为止的升温速度。在升温速度为50℃/小时以下的情形，有加热处理的生产性下降的情况，又，由于加热处理的时间长，因此有附载体铜箔表面被氧化的情况。又，升温速度优选为200℃/小时以下。在升温速度超过200℃/小时的情形，会有因卷芯与附载体铜箔之间的热膨胀率的差异而造成伸长程度不同，从而产生皱折的情形。又，在超过200℃/小时的情形，有附载体铜箔对于蚀刻液的润湿性恶化的情形。其原因并不清楚，但有可能是因为由于附载体铜箔剧烈地膨胀，导致卷成线圈状时接触的表面处理层与载体之间发生摩擦或偏移，或是产生对表面处理层的应力集中，该摩擦/偏移/应力集中等和表面处理层中的部分的移位的产生有所关联，该移位会对表面处理层的元素的扩散状态造成影响。

上述到达加热温度为止的升温速度更优选为70℃/小时～200℃/小时，再更优选为100℃/小时～200℃/小时，再更优选为150℃/小时～200℃/小时。

在本发明的附载体铜箔的制造方法中，在该加热处理步骤中，优选为在不含有会造成载体表面及极薄铜层表面氧化或恶化的氧、水蒸气等气体的环境下进行加热处理，例如优选为在氦、氖、氩、氮等及该等的混合气体的非活性气体环境下进行加热处理。

在本发明的附载体铜箔的制造方法中，在上述加热处理步骤，优选为在将附载体铜箔卷入至金属制的中空管中的状态下进行加热处理。通过在将附载体铜箔卷入至金属制的中空管中的状态下进行加热处理，可利用在导热良好的金属管中通气而也可自内侧来对附载体铜箔进行加热，从而可进行有效地热处理。金属制的中空管并无特别限定，例如优选为碳钢、不锈钢制，作为其大小，可设为外径为7cm～20cm且厚度为0.5cm～3.0cm。

在本发明的附载体铜箔的制造方法中，在上述加热处理步骤中，优选为进行下述加热处理：将把附载体铜箔卷入金属制的中空管中时的张力设为5～100kgf/m。该张力是附载体铜箔的每单位宽度(宽度1m)的张力。通过将该张力设为5kgf/m以上，可抑制氧的卷入从而防止附载体铜箔的氧化。又，通过将该张力设为100kgf/m以下，可防止卷取时所产生的皱折。

该张力更优选为10kgf/m以上，更优选为20kgf/m以上，更优选为20～100kgf/m，再更优选为20～50kgf/m，再更优选为20～30kgf/m。

在本发明的附载体铜箔的制造方法中，在上述加热处理步骤中，优选为在将附载体铜箔卷入至金属制的中空管中的状态下，一边以0.01～600旋转/小时的速度旋转上述中空管一边进行加热处理。通过一边以0.01旋转/小时以上且600旋转/小时以下的相对较低的速度来旋转中空管，一边进行加热处理，可去除被卷入在经卷取的铜箔与铜箔之间的氧，从而防止加热处理中的附载体铜箔的氧化。该中空管的旋转速度更优选为0.01～180旋转/小时，更优选为0.01～120旋转/小时，更优选为0.01～70旋转/小时，更优选为1～70旋转/小时。

在本发明的附载体铜箔的制造方法中，优选为上述加热处理步骤后在常温下所测得的载体的拉伸强度为300MPa以上。通过如上所述般加热处理步骤后在常温下所测得的载体的拉伸强度为300MPa以上，可充分保持极薄铜层发挥作为载体的功能时的刚性。

该载体的拉伸强度更优选为350MPa以上，再更优选为380MPa以上，更典型为350～500MPa，再更典型为380～450MPa。

＜附载体铜箔＞

以下，若未特别说明，则附载体铜箔的实施方案是对本发明的加热处理前进行说明，但是该实施方案对于加热处理后(通过本发明的附载体铜箔的制造方法而制得的附载体铜箔)也同样适用。

本发明的附载体铜箔依序具有载体、中间层、极薄铜层、表面处理层。附载体铜箔本身的使用方法为业者所周知，例如可将极薄铜层的表面贴合于纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布－纸复合基材环氧树脂、玻璃布－玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物膜、氟树脂膜等绝缘基板并进行热压接后剥离载体，将粘合在绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标的导体图案，最终制造印刷配线板。

＜载体＞

可以用于本发明的载体典型而言为金属箔或树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCP膜的形态提供。

可以用于本发明的载体典型而言以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。通常，电解铜箔是使铜从硫酸铜镀浴电解析出到钛或不锈钢的转筒上而制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工和热处理而制造。作为铜箔的材料，除了精铜(JISH3100合金编号C1100)或无氧铜(JISH3100合金编号C1020或JISH3510合金编号C1011)等高纯度铜以外，例如也可以使用掺Sn铜、掺Ag铜、添加了Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加了Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。

另外，作为电解铜箔，可以利用以下电解液组成及制造条件制作。

再者，本说明书中所记载的铜箔的制造、铜箔的表面处理或铜箔的镀敷等中所使用的处理液的剩余部分只要没有特别明示，则为水。

＜电解液组成＞

铜：90～110g/L

硫酸：90～110g/L

氯：50～100ppm

调平剂1(双(3－磺丙基)二硫化物)：10～30ppm

调平剂2(胺化合物)：10～30ppm

上述胺化合物可以使用以下化学式的胺化合物。

(该化学式中，R₁及R₂选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基组成的群)

＜制造条件＞

电流密度：70～100A/dm²

电解液温度：50～60℃

电解液线速度：3～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟

另外，本说明书中将用语“铜箔”单独使用时，也包括铜合金箔在内。

关于可以用于本发明的载体的厚度也没有特别限制，只要适当调整成在发挥作为载体的作用的方面所合适的厚度便可，例如可以设为5μm以上。但若过厚，则生产成本提高，所以通常优选设为35μm以下。因此，载体的厚度典型而言为8～70μm，更典型而言为12～70μm，更典型而言为18～35μm。另外，从降低原料成本的观点来说，载体的厚度小为优选。因此，载体的厚度典型而言为5μm以上且35μm以下，优选为5μm以上且18μm以下，优选为5μm以上且12μm以下，优选为5μm以上且11μm以下，优选为5μm以上且10μm以下。另外，在载体厚度小的情况下，在载体通箔时容易产生皱褶。为了防止产生皱褶，有效的是例如使附载体铜箔制造装置的运送辊平滑，或缩短运送辊和下一个运送辊的距离。另外，在作为印刷配线板的制造方法之一的埋入法(EnbeddedProcess)使用附载体铜箔的情况下，载体的刚性必须为高。因此，在用于埋入法的情况下，载体的厚度优选为18μm以上且300μm以下，优选为25μm以上且150μm以下，优选为35μm以上且100μm以下，进一步更优选为35μm以上且70μm以下。

＜中间层＞

在载体上设置中间层。也可在载体与中间层之间设置其他层。本发明中使用的中间层只要为如下构成则并无特别限定：在附载体铜箔向绝缘基板积层的步骤前极薄铜层不易自载体剥离，另一方面，在向绝缘基板积层的步骤后极薄铜层可自载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层也可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些金属的合金、这些金属的水合物、这些金属的氧化物、有机物所组成的群中的一种或两种以上。又，中间层也可为多层。又，中间层也可设置在载体的两面。

又，例如，中间层可通过如下方式构成：自载体侧形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种元素构成的单一金属层，或者由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种或两种以上的元素构成的合金层，在其上形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种元素构成的单一金属层，或者由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种或两种以上的元素构成的合金层，或者由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种或两种以上的元素的水合物或氧化物或有机物所构成的层。

又，可在载体的单面或双面上设置含Ni的中间层。中间层优选为在载体上依序积层镍或含镍的合金的任1种的层、及含有铬、铬合金、铬的氧化物中的任1种以上的层而构成。并且，优选为在镍或含镍的合金的任1种的层及/或含有铬、铬合金、铬的氧化物中的任1种以上的层中含有锌。此处，所谓含镍的合金，是指由镍与选自由钴、铁、铬、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛所组成的群中的一种以上元素构成的合金。含镍的合金也可为由3种以上的元素构成的合金。又，所谓铬合金，是指由铬与选自由钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛所组成的群中的一种以上元素构成的合金。铬合金也可为由3种以上的元素构成的合金。又，含有铬、铬合金、铬的氧化物中的任1种以上的层也可为铬酸盐处理层。此处，所谓铬酸盐处理层，是指经含有铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液处理的层。铬酸盐处理层也可含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(也可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一种形态)。作为铬酸盐处理层的具体实施例，可列举：纯铬酸盐处理层或铬酸锌处理层等。在本发明中，将经铬酸酐或二铬酸钾水溶液处理的铬酸盐处理层称为纯铬酸盐处理层。又，在本发明中，将经含有铬酸酐或二铬酸钾及锌的处理液处理的铬酸盐处理层称为铬酸锌处理层。

又，中间层优选为在载体上依序积层镍、镍－锌合金、镍－磷合金、镍－钴合金中的任1种的层，及铬酸锌处理层、纯铬酸盐处理层、镀铬层中的任1种的层而构成，中间层进而优选为在载体上依序积层镍层或镍－锌合金层、及铬酸锌处理层而构成，或者依序积层镍－锌合金层、及纯铬酸盐处理层或铬酸锌处理层而构成。镍与铜的接着力高于铬与铜的接着力，因此在剥离极薄铜层时，变成在极薄铜层与铬酸盐处理层的界面剥离。又，对于中间层的镍，期待防止铜成分自载体扩散至极薄铜层的障壁效果。又，优选为不对中间层进行镀铬而形成铬酸盐处理层。镀铬是在表面形成致密的铬氧化物层，因此在利用电镀形成极薄铜箔时，电阻上升，容易产生针孔。形成有铬酸盐处理层的表面是形成有与镀铬相比并不致密的铬氧化物层，因此不易成为利用电镀形成极薄铜箔时的电阻，而可减少针孔。此处，通过形成铬酸锌处理层作为铬酸盐处理层，而使利用电镀形成极薄铜箔时的电阻低于通常的铬酸盐处理层，可进一步抑制针孔的产生。

在使用电解铜箔作为载体的情形时，就减少针孔的观点而言，优选为在光泽面设置中间层。

中间层中的铬酸盐处理层较薄地存在于极薄铜层的界面时，在对绝缘基板进行积层的步骤前极薄铜层不会自载体剥离，另一方面，可获得在对绝缘基板进行积层的步骤后可将极薄铜层自载体剥离的特性，故而优选。在未设置镍层或含镍的合金层(例如镍－锌合金层)而使铬酸盐处理层存在于载体与极薄铜层的交界的情形时，剥离性几乎未提高，在无铬酸盐处理层而直接将镍层或含镍的合金层(例如镍－锌合金层)与极薄铜层积层的情形时，随着镍层或含镍的合金层(例如镍－锌合金层)中的镍量剥离强度过强或过弱，而无法获得适当的剥离强度。

又，若铬酸盐处理层存在于载体与镍层或含镍的合金层(例如镍－锌合金层)的交界，则在剥离极薄铜层时中间层也随之剥离，即在载体与中间层之间发生剥离，故而欠佳。此种状况不仅在与载体的界面设置铬酸盐处理层的情况下会发生，若在与极薄铜层的界面设置铬酸盐处理层时铬量过多，则也会发生。认为其原因在于，由于铜与镍容易固溶，故而若使该等接触，则会因相互扩散而提高接着力，变得不易剥离，另一方面，由于铬与铜不易固溶，不易发生相互扩散，故而在铬与铜的界面接着力较弱，容易剥离。又，在中间层的镍量不足的情形时，在载体与极薄铜层之间仅存微量的铬，故而两者进行密合而变得难以剥离。

中间层的镍层或含镍的合金层(例如镍－锌合金层)例如可通过如电镀、无电解镀敷及浸渍镀敷的湿式镀敷，或如溅镀、CVD及PDV的干式镀敷而形成。就成本的观点而言，优选为电镀。再者，在载体为树脂膜的情形时，可通过如CVD及PDV的干式镀敷或如无电解镀敷及浸渍镀敷的湿式镀敷而形成中间层。

又，铬酸盐处理层例如可由电解铬酸盐或浸渍铬酸盐等形成，但由于可提高铬浓度，使极薄铜层自载体的剥离强度变得良好，故而优选为由电解铬酸盐形成。

本发明的附载体铜箔的中间层也可在载体上依序积层镍层，及含有含氮的有机化合物、含硫的有机化合物及羧酸中的任一者的有机物层而构成。又，本发明的附载体铜箔的中间层也可在载体上依序积层含有含氮的有机化合物、含硫的有机化合物及羧酸中的任一者的有机物层，及镍层而构成。又，作为该含有含氮的有机化合物、含硫的有机化合物及羧酸中的任一者的有机物，可列举BTA(苯并三唑)、MBT(巯基苯并噻唑)等。

又，作为中间层所含的有机物，优选为使用由选自含氮的有机化合物、含硫的有机化合物及羧酸中的1种或2种以上构成者。在含氮的有机化合物、含硫的有机化合物及羧酸之中，含氮的有机化合物包括具有取代基的含氮的有机化合物。作为具体的含氮的有机化合物，优选为使用具有取代基的三唑化合物即1,2,3－苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'－双(苯并三唑基甲基)脲、1H－1,2,4－三唑及3－胺基－1H－1,2,4－三唑等。

含硫的有机化合物优选为使用巯基苯并噻唑、2－巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2－苯并咪唑硫醇等。

作为羧酸，尤其优选为使用单羧酸，其中优选为使用油酸、亚麻油酸及次亚麻油酸等。

上述有机物较佳为含有厚度为25nm以上且80nm以下，更优选为含有30nm以上且70nm以下。中间层也可含有多种(一种以上)上述有机物。

再者，有机物的厚度可以如下方式进行测定。

＜中间层的有机物厚度＞

在将附载体铜箔的极薄铜层自载体剥离后，对露出的极薄铜层的中间层侧表面、与露出的载体的中间层侧表面进行XPS测定，而制成深度分布图。然后，可将自极薄铜层的中间层侧表面至碳浓度最初成为3at％以下的深度设为A(nm)，将自载体的中间层侧表面至碳浓度最初成为3at％以下的深度设为B(nm)，将A与B的合计设为中间层的有机物的厚度(nm)。

将XPS的运转条件示于以下。

·装置：XPS测定装置(ULVAC－PHI公司，型号5600MC)

·极限真空：3.8×10^－7Pa

·X射线：单色AlKα或非单色MgKα、X射线输出300W、检测面积800μmφ、试样与检测器所成的角度45°

·离子束：离子种类Ar⁺、加速电压3kV、扫描面积3mm×3mm、溅镀速率2.8nm/min(SiO₂换算)

关于中间层所含的有机物的使用方法，以下对于载体箔上形成中间层的方法进行叙述并说明。在载体上形成中间层是将上述有机物溶解于溶剂中并使载体浸渍于该溶剂中，或者可对于欲形成中间层的面利用淋浴法、喷雾法、滴下法及电沉积法等而进行，无需采用特别限定的方法。此时，溶剂中的有机系溶剂的浓度在上述全部有机物中，优选为浓度0.01g/L～30g/L、液温20～60℃的范围。有机物的浓度并无特别限定，原本浓度较高或较低均无问题。再者，存在如下倾向：有机物的浓度越高，又，载体对溶解上述有机物的溶剂的接触时间越长，中间层的有机物厚度越大。并且，在中间层的有机物厚度较厚的情形时，有抑制Ni向极薄铜层侧扩散的有机物的效果变大的倾向。

＜极薄铜层＞

在中间层上设置极薄铜层。也可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、胺基磺酸铜、氰化铜等的电解浴的电镀而形成，就可在高电流密度下形成铜层的方面而言，优选为硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常薄于载体，例如为12μm以下。典型为0.5～12μm，更典型为1～5μm，进而更典型为1.5～5μm，进而更典型为2～5μm。再者，极薄铜层也可设置在载体的两面。

＜粗化处理及其它表面处理＞

可以通过在极薄铜层的表面例如为了使和绝缘基板的密合性良好等而实施粗化处理，从而设置粗化处理层。粗化处理例如可以通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理也可以微细。粗化处理层可以是由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或含有任一种以上的合金构成的层等。又，在利用铜或铜合金形成粗化粒子后，还可以进一步利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等进行设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。然后，也可以利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层及/或防锈层，也可进一步在其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。或者也可以不进行粗化处理而利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进一步在其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。也就是说，可以在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层，也可以在极薄铜层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。再者，上述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层分别可以形成多层(例如2层以上、3层以上等)。此处所谓的铬酸盐处理层，可以是上述铬酸盐处理层，也可为其他的铬酸盐处理层。

再者，上述硅烷偶合处理层，在上述本申请发明的另一方面的附载体铜箔的制造方法中，如上所述为必要的构成要件，又，该本申请发明的另一方面的附载体铜箔的制造方法是包含下述加热处理步骤者：对于依序具备有载体、中间层、极薄铜层、表面处理层的附载体铜箔，将到达加热温度为止的升温速度设为超过50℃/小时，然后在100℃～220℃进行1小时～8小时的加热处理。

作为耐热层、防锈层，可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层也可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素的层，也可为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素构成的金属层或合金层。又，耐热层及/或防锈层也可含有包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素的氧化物、氮化物、硅化物。又，耐热层及/或防锈层也可为含有镍－锌合金的层。又，耐热层及/或防锈层也可为镍－锌合金层。上述镍－锌合金层可为除不可避免的杂质以外，含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％者。上述镍－锌合金层的锌及镍的合计附着量为5～1000mg/m²，优选为10～500mg/m²，优选也可为20～100mg/m²。又，上述含有镍－锌合金的层或上述镍－锌合金层的镍附着量与锌附着量之比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选为1.5～10。又，上述含有镍－锌合金的层或上述镍－锌合金层的镍附着量优选为0.5mg/m²～500mg/m²，更优选为1mg/m²～50mg/m²。在耐热层及/或防锈层为含有镍－锌合金的层的情形时，通孔(throughhole)或通路孔(viahole)等的内壁部与除胶渣(desmear)液接触时铜箔与树脂基板的界面难以被除胶渣液腐蚀，铜箔与树脂基板的密合性会提升。

例如耐热层及/或防锈层可为将附着量为1mg/m²～100mg/m²、优选为5mg/m²～50mg/m²的镍或镍合金层，与附着量为1mg/m²～80mg/m²、优选为5mg/m²～40mg/m²的锡层依序积层而成，上述镍合金层也可由镍－钼、镍－锌、镍－钼－钴中的任一种构成。又，耐热层及/或防锈层的镍或镍合金与锡的合计附着量优选为2mg/m²～150mg/m²，更优选为10mg/m²～70mg/m²。又，耐热层及/或防锈层优选为[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选为0.33～3。若使用该耐热层及/或防锈层，则将附载体铜箔加工成印刷配线板以后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等会变得良好。

再者，硅烷偶合处理所使用的硅烷偶合剂可使用公知的硅烷偶合剂，例如可使用胺系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂、巯基系硅烷偶合剂。又，硅烷偶合剂也可使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ－甲基丙烯氧基丙基三甲氧基硅烷(γ－methacryloxypropyltrimethoxysilane)、γ－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(γ－glycidoxypropyltrimethoxysilane)、4－环氧丙基丁基三甲氧基硅烷、γ－胺基丙基三乙氧基硅烷、N－β(胺基乙基)γ－胺基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－胺基丙氧基)丁氧基)丙基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ－巯基丙基三甲氧基硅烷等。

上述硅烷偶合处理层也可使用环氧系硅烷、胺系硅烷、甲基丙烯氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶合剂等而形成。再者，此种硅烷偶合剂也可将两种以上混合使用。其中，优选为使用胺系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂所形成者。

此处所谓的胺系硅烷偶合剂也可为选自由如下物质所组成的群者：N－(2－胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、胺基丙基三甲氧基硅烷、N－甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－(3－丙烯氧基－2－羟基丙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、4－胺基丁基三乙氧基硅烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N－(2－胺基乙基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、N－(2－胺基乙基－3－胺基丙基)三(2－乙基己氧基)硅烷、6－(胺基己基胺基丙基)三甲氧基硅烷、胺基苯基三甲氧基硅烷、3－(1－胺基丙氧基)－3,3－二甲基－1－丙烯基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、3－胺基丙基三甲氧基硅烷、ω－胺基十一烷基三甲氧基硅烷、3－(2－N－苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、(N,N－二乙基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N－二甲基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、N－甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、γ－胺基丙基三乙氧基硅烷、N－β(胺基乙基)γ－胺基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－胺基丙氧基)丁氧基)丙基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷。

硅烷偶合处理层较理想为以硅原子换算设为0.05mg/m²～200mg/m²、优选为0.15mg/m²～20mg/m²、优选为0.3mg/m²～2.0mg/m²的范围。在上述范围的情形时，可使基材树脂与表面处理铜箔的密合性更加提升。

又，可对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶合处理层或铬酸盐处理层的表面进行下述专利所记载的表面处理：国际公开编号WO2008/053878、日本特开2008－111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013－19056号。

再者，也可在极薄铜层的一表面或两表面设置选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层，也可设置表面处理层。表面处理层也可为选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。

又，附载体铜箔也可在上述粗化处理层上具备一层以上选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的层。

又，在上述粗化处理层上也可具备耐热层、防锈层，在上述耐热层、防锈层上也可具备铬酸盐处理层，在上述铬酸盐处理层上也可具备硅烷偶合处理层。

又，上述附载体铜箔也可在上述极薄铜层上，或上述粗化处理层上，或上述耐热层、防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层上具备树脂层。上述树脂层也可为绝缘树脂层。

又，附载体铜箔可在载体上具备粗化处理层，也可在载体上具备一层以上选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的层。上述粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层可利用公知的方法而设置，也可通过本申请说明书、权利要求、图式中记载的方法而设置。在将载体自具有上述粗化处理层等的表面侧积层在树脂基板等支持体的情形时，在载体上设置一层以上选自上述粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层中的层的情况具有载体与支持体不易剥离的优点。

上述树脂层可为接着剂，也可为接着用半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。半硬化状态(B阶段状态)包含下述状态：即便用手指触摸其表面也无粘着感，可将该绝缘树脂层重迭而保管，若进一步进行加热处理，则会引起硬化反应。

又，上述树脂层可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。又，上述树脂层也可含有热塑性树脂。上述树脂层也可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。又，上述树脂层例如可使用如下文献中所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成，该文献是国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11－5828号、日本特开平11－140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000－43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002－179772号、日本特开2002－359444号、日本特开2003－304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003－249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004－82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004－349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005－262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005－53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006－257153号、日本特开2007－326923号、日本特开2008－111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009－67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009－173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011－14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013－19056号。

又，上述树脂层的种类并无特别限定，作为优选为，例如可列举含有选自如下成分的群中的一种以上的树脂：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、顺丁烯二酰亚胺化合物、聚顺丁烯二酰亚胺化合物、顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、胺酯(urethane)树脂、聚醚砜(也称为polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚砜(也称为polyethersulphone、polyethersulfone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶变性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈－丁二烯树脂、聚苯醚、双顺丁烯二酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯酯系树脂、羧酸的酸酐、多元羧酸的酸酐、具有可交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2－双(4－氰酸酯基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、环烷酸锰、2,2－双(4－环氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚－氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰酯树脂、膦腈系树脂、橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子环氧树脂、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰酯树脂。

又，上述环氧树脂系分子内具有2个以上环氧基者，并且只要为可用于电性、电子材料用途，则可尤其无问题地使用。又，上述环氧树脂优选为使用分子内具有2个以上环氧丙基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。又，可将选自由如下成分所组成的群中的1种或2种以上混合而使用：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、环氧丙胺型环氧树脂、异氰尿酸三环氧丙酯、N,N－二环氧丙基苯胺等环氧丙胺化合物、四氢邻苯二甲酸二环氧丙酯等环氧丙酯化合物、含磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂，或者可使用上述环氧树脂的氢化体或卤化体。

可使用公知的含有磷的环氧树脂作为上述含磷的环氧树脂。又，上述含磷的环氧树脂优选为例如分子内具备2个以上环氧基的以自9,10－二氢－9－氧杂－10－磷杂菲－10－氧化物的衍生物的形式获得的环氧树脂。

(树脂层含有介电体(介电体填料)的情况)

上述树脂层也可含有介电体(介电体填料)。

在在上述任一种树脂层或树脂组成物中含有介电体(介电体填料)的情形时，可用于形成电容器层的用途，而增大电容器电路的电容。该介电体(介电体填料)是使用BaTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr－Ti)O₃(通称PZT)、PbLaTiO₃·PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi₂Ta₂O₉(通称SBT)等具有钙钛矿(Perovskite)结构的复合氧化物的介电体粉。

介电体(介电体填料)也可为粉状。在介电体(介电体填料)为粉状的情形时，该介电体(介电体填料)的粉体特性优选为粒径为0.01μm～3.0μm、优选为0.02μm～2.0μm的范围。再者，利用扫描型电子显微镜(SEM)对介电体拍摄照片，在在该照片上的介电体的粒子上引直线的情形时，将横切介电体的粒子的直线长度为最长的部分的介电体的粒子长度设为该介电体的粒子直径。并且，将测定视野内的介电体的粒子直径的平均值设为介电体的粒径。

使上述树脂层中所含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N－甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基溶纤素、N－甲基－2－吡咯啶酮、N,N－二甲基乙酰胺、N,N－二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，通过例如辊式涂布法等将其涂布于上述附载体铜箔的极薄铜层侧表面，继而视需要进行加热干燥，去除溶剂而成为B阶段状态。干燥例如只要使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃、优选为130～200℃即可。可使用溶剂溶解上述树脂层的组成物，而制成树脂固形物成分3wt％～70wt％、优选为3wt％～60wt％、优选为10wt％～40wt％、更优选为25wt％～40wt％的树脂液。再者，就氛围的观点而言，现阶段最佳为使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂进行溶解。再者，溶剂优选为使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。

又，上述树脂层优选为依据MIL标准中的MIL－P－13949G进行测定时的树脂流动量为5％～35％的范围的半硬化树脂膜。

在本申请说明书中，所谓树脂流动量，是指依据MIL标准中的MIL－P－13949G，自使树脂厚度为55μm的附树脂的表面处理铜箔采取4片10cm见方试样，在使该4片试样重迭的状态(积层体)下，在压制温度171℃、压制压力14kgf/cm²、压制时间10分钟的条件下进行贴合，根据测定此时的树脂流出重量所得的结果，基于数1而算出的值。

[数学式1]

具备上述树脂层的表面处理铜箔(附树脂的表面处理铜箔)是以如下方面使用：将该树脂层与基材重迭后将整体热压接而使该树脂层热硬化，继而在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情形时，剥离载体而露出极薄铜层(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧表面)，自与表面处理铜箔的粗化处理侧相反之侧的表面形成特定配线图案。

若使用该附树脂的表面处理铜箔，则可减少制造多层印刷配线基板时的预浸体材料的使用片数。而且，即便将树脂层的厚度设为可确保层间绝缘的厚度，或完全不使用预浸体材料，也可制造覆铜积层板。又，此时，也可将绝缘树脂底漆涂布于基材的表面而进一步改善表面的平滑性。

再者，在不使用预浸体材料的情形时，可节约预浸体材料的材料成本，又，积层步骤也变得简略，因此在经济上较为有利，而且有如下优点：仅制造预浸体材料的厚度程度的多层印刷配线基板的厚度变薄，而可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。

该树脂层的厚度优选为0.1～120μm。

若树脂层的厚度薄于0.1μm，则有如下情况：接着力降低，在不介存预浸体材料将该附树脂的表面处理铜箔积层在具备内层材料的基材上时，难以确保内层材料与电路之间的层间绝缘。另一方面，若树脂层的厚度厚于120μm，则有如下情况：难以在1次涂布步骤中形成目标厚度的树脂层，而需要多余的材料费及步骤数，故而在经济上变得不利。

再者，在将具有树脂层的表面处理铜箔用于制造极薄的多层印刷配线板的情形时，将上述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更优选为0.5μm～5μm、更优选为1μm～5μm时，可缩小多层印刷配线板的厚度，故而优选。

进而，通过在印刷配线板上搭载电子零件类，而完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”也包括如此搭载有电子零件类的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。

又，可使用该印刷配线板而制作电子机器，可使用搭载有该电子零件类的印刷电路板而制作电子机器，也可使用搭载有该电子零件类的印刷基板而制作电子机器。以下，表示若干使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例子。

本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；及以使极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、改进半加成法、部分加成法及减成法中的任一种方法形成电路。绝缘基板也可设为内层电路入口。

在本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或铜箔晶种层上进行较薄的无电解镀敷，形成图案后，利用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。

因此，使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含下述步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将剥离上述载体而露出的极薄铜层完全去除；

在通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的上述树脂上设置通孔或/及盲孔；

对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在含有上述树脂及上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层上设置光阻剂；

对上述光阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的光阻剂；

在去除了上述光阻剂的上述形成有电路的区域设置电解镀敷层；

去除上述光阻剂；及

通过快速蚀刻等去除位于除了上述形成有电路的区域以外的区域的无电解镀敷层。

使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案包含下述步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与上述绝缘树脂基板上设置通孔或/及盲孔；

对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将剥离上述载体而露出的极薄铜层完全去除；

在含有由利用蚀刻等去除上述极薄铜层而露出的上述树脂及上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层上设置光阻剂；

对上述光阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的光阻剂；

在去除了上述光阻剂的上述形成有电路的区域设置电解镀敷层；

去除上述光阻剂；及

通过快速蚀刻等去除位于除了上述形成有电路的区域以外的区域的无电解镀敷层。

使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案包含下述步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与上述绝缘树脂基板上设置通孔或/及盲孔；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将剥离上述载体而露出的极薄铜层完全去除；

对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在含有通过利用蚀刻等去除上述极薄铜层而露出的上述树脂及上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层上设置光阻剂；

对上述光阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的光阻剂；

在去除了上述光阻剂的上述形成有电路的区域设置电解镀敷层；

去除上述光阻剂；及

通过快速蚀刻等去除位于除了上述形成有电路的区域以外的区域的无电解镀敷层。

使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案包含下述步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将剥离上述载体而露出的极薄铜层完全去除；

在通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的上述树脂的表面设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层上设置光阻剂；

对上述光阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的光阻剂；

在去除了上述光阻剂的上述形成有电路的区域设置电解镀敷层；

去除上述光阻剂；及

通过快速蚀刻等去除位于除了上述形成有电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层。

在本发明中，所谓改进半加成法，是指在绝缘层上积层金属箔，通过光阻剂保护非电路形成部，通过电解镀敷增厚电路形成部的铜厚后，去除抗蚀剂，利用(快速)蚀刻去除上述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路的方法。

因此，使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含下述步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；

对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在上述含有通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置光阻剂；

在设置上述光阻剂后，通过电解镀敷形成电路；

去除上述光阻剂；及

利用快速蚀刻去除通过去除上述光阻剂而露出的极薄铜层。

使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案包含下述步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层上设置光阻剂；

对上述光阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的光阻剂；

在去除了上述光阻剂的上述形成有电路的区域设置电解镀敷层；

去除上述光阻剂；及

通过快速蚀刻等去除位于除了上述形成有电路的区域以外的区域的极薄铜层。

在本发明中，所谓部分加成法，是指在设置导体层而成的基板、视需要穿过通孔或辅助孔用孔而成的基板上赋予催化核，进行蚀刻形成导体电路，视需要设置阻焊剂或光阻剂后，在上述导体电路上通过无电解镀敷处理(视需要进一步进行电解镀敷处理)对通孔或辅助孔等进行增厚，由此制造印刷配线板的方法。

因此，使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含下述步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；

对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在上述含有通孔或/及盲孔的区域赋予催化核；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂；

对上述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案；

利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述催化核，而形成电路；

去除上述蚀刻阻剂；

在利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述催化核而露出的上述绝缘基板表面，设置阻焊剂或光阻剂；及

在未设置上述阻焊剂或光阻剂的区域设置无电解镀敷层。

在本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等将覆铜积层板上的铜箔的不需要的部分选择性地去除，而形成导体图案的方法。

因此，使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案包含下述步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；

对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在上述含有通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；

在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂；

对上述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案；

利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述无电解镀敷层及上述电解镀敷层，而形成电路；及

去除上述蚀刻阻剂。

使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案包含下述步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；

对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在上述含有通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在上述无电解镀敷层的表面形成遮罩；

在未形成遮罩的上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；

在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂；

对上述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案；

利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述无电解镀敷层，而形成电路；及

去除上述蚀刻阻剂。

也可不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤。

本发明的印刷配线板的制造方法也可包含下述步骤：在本发明的附载体铜箔的上述表面处理层侧表面或上述载体侧表面形成电路的步骤、以上述电路埋入的方式在上述附载体铜箔的上述表面处理层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层的步骤、在上述树脂层上形成电路的步骤、在上述树脂层上形成电路之后，将上述载体或上述极薄铜层剥离的步骤、及剥离上述载体或上述极薄铜层之后，通过去除上述极薄铜层或上述载体，而使形成在上述表面处理层侧表面或上述载体侧表面的埋入在上述树脂层的电路露出的步骤。又，印刷配线板的制造方法也可包含下述步骤：在本发明的附载体铜箔的上述表面处理层侧表面或上述载体侧表面形成电路的步骤、以上述电路埋入的方式在上述附载体铜箔的上述表面处理层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层的步骤、将上述载体或上述极薄铜层剥离的步骤、及剥离上述载体或上述极薄铜层之后，通过去除上述极薄铜层或上述载体，而使形成在上述表面处理层侧表面或上述载体侧表面的埋入在上述树脂层的电路露出的步骤。

此处，利用图式详细地说明使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体实施例。再者，此处，以具有形成有粗化处理层来作为表面处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限于此，使用该表面处理层并非为粗化处理层的附载体铜箔，也可同样地进行下述印刷配线板的制造方法。

首先，如图1A所示，准备具有表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。

其次，如图1B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影而将抗蚀剂蚀刻为特定形状。

其次，如图1C所示，通过在形成电路用镀层后去除抗蚀剂，而形成特定形状的电路镀层。

其次，如图2D所示，以被覆电路镀层的方式(以埋没电路镀层的方式)在极薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，继而自极薄铜层侧接着另一附载体铜箔(第2层)。

其次，如图2E所示，自第2层的附载体铜箔剥离载体。

其次，如图2F所示，在树脂层的特定位置进行雷射开孔，使电路镀层露出而形成盲孔。

其次，如图3G所示，在盲孔中埋入铜，形成通孔填充物。

其次，如图3H所示，在通孔填充物上，以上述图1－B及图1－C的方式形成电路镀层。

其次，如图3I所示，自第1层的附载体铜箔剥离载体。

其次，如图4J所示，通过快速蚀刻去除两表面的极薄铜层，使树脂层内的电路镀层的表面露出。

其次，如图4K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。如此制作使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板。

上述另一附载体铜箔(第2层)可使用本发明的附载体铜箔，可使用先前的附载体铜箔，进而也可使用通常的铜箔。又，可在图3H所示的第2层电路上进一步形成1层或多层电路，可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法而形成该等电路。

又，上述第1层中使用的附载体铜箔也可在该附载体铜箔的载体侧表面具有基板。通过具有该基板，第1层中使用的附载体铜箔得到支持，变得不易产生皱褶，因此有生产性提高的优点。再者，只要上述基板发挥支持上述第1层中使用的附载体铜箔的效果，则可使用全部基板。例如，可使用本申请说明书中记载的载体、预浸体、树脂层或公知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔作为上述基板。

在载体侧表面形成基板的时间点并无特别限制，但必须在剥离载体前形成。尤其是，优选为在在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤前形成，更优选为在在附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面形成电路的步骤前形成。

再者，埋入树脂(resin)可使用公知的树脂、预浸体。可使用例如BT(双顺丁烯二酰亚胺三嗪)树脂或含浸BT树脂的玻璃布即预浸体、AjinomotoFine－Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。又，上述埋入树脂可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。又，上述埋入树脂也可含有热塑性树脂。上述埋入树脂的种类并无特别限定，作为优选者，例如可列举：包括环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、顺丁烯二酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩乙醛树脂、胺酯树脂、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂等在内的树脂，或者纸基材酚系树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布－纸复合基材环氧树脂、玻璃布－玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物膜、氟树脂膜等。

又，本发明的印刷配线板的制造方法也可为包含下述步骤的印刷配线板的制造方法(无芯法)：将本发明的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；在与上述和树脂基板积层的表面处理层侧表面或上述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面至少设置1次树脂层和电路此两层的步骤；及在形成上述树脂层及电路此两层后，从上述附载体铜箔剥离上述载体或上述极薄铜层的步骤。关于上述无芯法，作为具体的例子，首先，将本发明的附载体铜箔的表面处理层侧表面或载体侧表面和树脂基板进行积层。然后，在与和树脂基板积层的表面处理层侧表面或上述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。也可以在形成在载体侧表面或表面处理层侧表面的树脂层从载体侧或表面处理层侧进而积层另一片附载体铜箔。在此情况下，成为如下构成：以树脂基板为中心，在上述树脂基板的两表面侧以载体/中间层/极薄铜层/表面处理层的顺序或以表面处理层/极薄铜层/中间层/载体的顺序积层附载体铜箔。也可以在两端的表面处理层或载体所露出的表面设置另一树脂层，并进而设置铜层或金属层，然后对上述铜层或金属层进行加工，由此形成电路。也可以进而将另一树脂层以填埋上述电路的方式设置在上述电路上。又，也可以将此种电路及树脂层的形成进行1次以上(增层法)。并且，关于以上述方式形成的积层体(以下也称为积层体B)，可以将各附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。另外，在制作上述无芯基板时，也可以使用2个附载体铜箔，制作下述具有表面处理层/极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层/表面处理层的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层表面处理层/表面处理层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/表面处理层/载体/中间层/极薄铜层/表面处理层的构成的积层体，并将上述积层体用于中心。可以在这些积层体(以下也称为积层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面设置1次以上树脂层及电路此两层，在设置1次以上树脂层及电路此两层后，将各附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。上述积层体在表面处理层的表面、表面处理层与极薄铜层之间、载体的表面、载体与载体之间、表面处理层与表面处理层之间、极薄铜层与载体之间也可以具有其它层。另外，本说明书中，“表面处理层的表面”、“表面处理层侧表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”，当表面处理层、载体、积层体在表面处理层表面、载体表面、积层体表面具有其它层的情况下，是设为包含上述其它层的表面(最表面)的概念。又，积层体优选具有表面处理层/极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层/表面处理层的构成。这是由于：在使用上述积层体制作无芯基板时，因为在无芯基板侧配置极薄铜层，所以易于使用改进半加成法而在无芯基板上形成电路。又，是由在：因为极薄铜层的厚度薄，所以容易去除上述极薄铜层，去除极薄铜层后易于使用半加成法而在无芯基板上形成电路。

另外，在本说明书中，没有特别记载成“积层体A”或“积层体B”的“积层体”表示至少包含积层体A及积层体B的积层体。

再者，在上述无芯基板的制造方法中，通过利用树脂覆盖附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部，在利用增层法制造印刷配线板时，可以防止化学溶剂渗入到中间层或构成积层体的一片附载体铜箔和另一片附载体铜箔之间，可以防止由化学溶剂的渗入所导致的极薄铜层和载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，可以提升良率。作为此处所使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可以使用能够用于树脂层的树脂。又，在上述无芯基板的制造方法中，在对附载体铜箔或积层体进行俯视时，附载体铜箔或积层体的积层部分(载体和极薄铜层的积层部分、或一片附载体铜箔和另一片附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分可以由树脂或预浸体覆盖。另外，利用上述无芯基板的制造方法所形成的积层体(积层体A)也可以是使一对附载体铜箔相互以可分离的方式接触而构成。又，在对上述附载体铜箔进行俯视时，也可以由树脂或预浸体覆盖附载体铜箔或积层体的积层部分(载体和极薄铜层的积层部分、或一片附载体铜箔和另一片附载体铜箔的积层部分)的外周整体。通过设为此种构成，在俯视附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分由树脂或预浸体覆盖，可以防止其它部件从此部分的侧向、也就是相对于积层方向为横向的方向碰撞，结果，可以减少操作中载体和极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。又，通过以不露出附载体铜箔或积层体的积层部分的外周的方式利用树脂或预浸体进行覆盖，可以防止如上所述化学溶剂处理步骤中化学溶剂向上述积层部分的界面的渗入，可以防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。再者，在从积层体的一对附载体铜箔分离一片附载体铜箔时，或分离附载体铜箔的载体和铜箔(极薄铜层)时，必须通过切断等去除利用树脂或预浸体覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体和极薄铜层的积层部分、或一片附载体铜箔和另一片附载体铜箔的积层部分)。

也可以将本发明的附载体铜箔从载体侧或表面处理层侧积层在另一片本发明的附载体铜箔的载体侧或表面处理层侧而构成积层体。又，也可为下述积层体：上述一片附载体铜箔的上述载体侧表面或上述表面处理层侧表面和上述另一片附载体铜箔的上述载体侧表面或上述表面处理层侧表面，视需要经由接着剂直接积层而获得者。又，也可将上述一片附载体铜箔的载体或表面处理层和上述另一片附载体铜箔的载体或表面处理层接合。又，也可以被树脂覆盖该积层体的端面的一部分或全部。

载体彼此的积层除了单纯地重迭以外，例如可以利用以下方法进行。

(a)冶金接合方法：焊接(电弧焊接、TIG(tungsteninertgas，钨－惰性气体)焊接、MIG(metalinertgas，金属－惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超音波焊接、摩擦搅拌焊接)、软焊；

(b)机械接合方法：敛缝、利用铆钉的接合(利用自冲铆的接合、利用铆钉的接合)、装订机；

(c)物理接合方法：接着剂、(双面)胶带

通过将一载体的一部分或全部和另一载体的一部分或全部使用上述接合方法进行接合，可以制造将一载体和另一载体积层，使载体彼此以可分离的方式接触而构成的积层体。若一载体和另一载体较弱地连接，则在将一载体和另一载体积层的情况下，即使不去除一载体和另一载体的连接部，也可以将一载体和另一载体分离。另外，在一载体和另一载体较强地连接的情况下，通过将一载体和另一载体连接的部位利用切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等去除，可以分离一载体和另一载体。

又，可以通过实施如下步骤而制作印刷配线板：在以上述方式构成的积层体至少设置1次树脂层和电路此两层的步骤；及在至少形成1次上述树脂层及电路此两层后，从上述积层体的附载体铜箔剥离上述极薄铜层或载体的步骤。再者，也可以在该积层体的一个表面或两个表面设置树脂层和电路此两层。

[实施例]

以下，基于实验例进行说明。再者，本实验例仅为一例，并不仅限制于该例。

1.附载体铜箔的制造

利用以下的顺序，制作附载体铜箔。

首先，准备表1所记载的厚度的长电解铜箔或压延铜箔来作为载体。

电解铜箔利用下述条件来制造。

(电解浴组成)

Cu：80～120g/L

H₂SO₄：80～120g/L

Cl：20～80mg/L

清漆：0.1～6.0mg/L

(电解条件)

液温：55～65℃

电流密度：100A/dm²

电解液流速：1.5m/秒

压延铜箔在例9、12是使用精铜(JISH3100C1100所规定的精铜)，在例10、11是使用无氧铜(JISH3100C1020所规定的无氧铜)。表1的载体的种类栏的“压延铜箔(Ag180ppm)”是指在精铜中添加有180质量ppm的Ag。

＜实施例的中间层＞

对上述铜箔的光泽面(shinysurface)利用以下条件在辊对辊型的连续镀敷线上，通过电镀而形成中间层。

·Ni层

硫酸镍：250～300g/L

氯化镍：35～45g/L

乙酸镍：10～20g/L

柠檬酸三钠：15～30g/L

光泽剂：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠：30～100ppm

pH：4～6

浴温：50～70℃

电流密度：3～15A/dm²

附着量：4000μg/dm²

在水洗及酸洗后，接着于辊对辊型的连续镀敷线上，利用以下条件通过电解铬酸盐处理而使附着量为10μg/dm²的Cr层附着于Ni层上。

·电解铬酸盐处理

液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L

pH：3～4

液温：50～60℃

电流密度：0.1～2.6A/dm²

库伦量：0.5～30As/dm²

＜实施例的极薄铜层＞

接着，在辊对辊型的连续镀敷线上，利用以下条件通过电镀而在中间层上形成厚度3μm的极薄铜层，从而制得附载体铜箔。

·极薄铜层

铜浓度：30～120g/L

H₂SO₄浓度：20～120g/L

电解液温度：20～80℃

电流密度：10～100A/dm²

＜实施例的表面处理层＞

利用以下的表面处理条件而对上述极薄铜层的表面进行表面处理。将通过该表面处理而形成的表面处理层的层构成示于表1。

在一部份的实施例中，对上述极薄铜层的表面以下述条件进行选自Cu－W合金镀敷、Cu－P合金镀敷、Cu－Co－Ni合金镀敷中的一种镀敷来作为粗化处理。

·Cu－W合金镀敷(例1、2、15、16)

液体组成：Cu15g/公升、硫酸100g/公升、W5mg/公升

温度：25℃

(第一阶段)

电流密度(D_k)：90A/dm²

时间：1.5秒

(第二阶段)

电流密度(D_k)：20A/dm²

时间：3秒

·Cu－P合金镀敷(例3、4)

液体组成：Cu30g/公升、硫酸100g/公升、P500mg/公升

温度：30℃

(第一阶段)

电流密度(D_k)：140A/dm²

时间：0.6秒

(第二阶段)

电流密度(D_k)：20A/dm²

时间：2.0秒

·Cu－Co－Ni合金镀敷(例5、6、14)

液体组成：Cu15g/公升、Co8g/公升、Ni8g/公升

pH：1～3

温度：40℃

(第一阶段)

电流密度(D_k)：45A/dm²

时间：0.6秒

(第二阶段)

电流密度(D_k)：30A/dm²

时间：0.8秒

接着，依序进行选自以下的耐热处理、防锈处理、铬酸盐处理、硅烷偶合处理中的至少一种以上的处理。在进行各处理前进行表面的水洗净。

·耐热处理(形成耐热层)

液体组成：Co1～8g/公升、Ni10～20g/公升

pH：2～3

温度：40℃

电流密度(D_k)：5A/dm²

时间：1.0秒

·防锈处理(形成防锈层)

液体组成：Ni15～30g/公升、Zn1～10g/公升

pH：2～4

温度：40℃

电流密度(D_k)：5A/dm²

时间：1.0秒

·电解铬酸盐处理(形成铬酸盐处理层)

液体组成：K₂Cr₂O₇：1～10g/公升、Zn：0～5g/公升

pH：2～4

温度：40℃

电流密度(D_k)：1A/dm²

时间：1.0秒

·硅烷偶合处理(形成硅烷偶合处理层)

通过在被处理面喷涂1.0体积％的3－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷水溶液而进行硅烷偶合剂涂布处理后，在70℃以上200℃以下的环境中进行2秒钟以上的干燥，从而去除表面的水分。

·树脂层(例13、14、15)

树脂层的涂布是使用凹版涂布法将硬化前的树脂涂布在极薄铜层侧表面后，使用刮刀将树脂涂膜的厚度调整为10μm，在200℃的干燥环境中一边使溶剂挥发一边使树脂成分硬化。再者，所使用的树脂是使用环氧树脂(DIC股份有限公司制造的双酚A型环氧树脂)。

再者，在例16中，也对与极薄铜层侧为相反侧的载体表面进行上述粗化处理(Cu－W合金镀敷)、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层的表面处理。

－加热处理－

接着，对各附载体铜箔进行下述加热处理来作为加热处理：在具有99.9％以上的纯度的氮气环境下，利用表2～4所记载的条件来进行加热处理。表2～4的升温速度是至初次到达热处理条件中所记载的温度(加热温度)为止的升温速度。热处理后的至常温为止的冷却时间为1～6小时。

又，关于例1～16，是在将附载体铜箔卷入至不锈钢制的中空管(外径11cm、厚度0.5cm)中的状态下进行加热处理。

又，关于例1～16，是将卷入该中空管时的张力分别设为表2～4所记载的设定而进行加热处理。

又，将该中空管的旋转速度分别设为表2～4所记载的设定而进行加热处理。

2.附载体铜箔的评价

针对以上述方式制得的例1～16的附载体铜箔在加热处理前及加热处理后分别进行以下的评价试验。将评价结果示于表2～4。再者，关于表2～4的加热后的实验例的编号的记载，例如，“例1－1”～“例1－50”是表示分别将加热前的试样即“例1”进行加热后的试样。

－蚀刻液的润湿性评价－

在水平面上以极薄铜箔侧的表面处理层在上面的方式来放置附载体铜箔(除了具备树脂层者以外)，使用吸量管在一个部位滴加30μL具有硫酸24重量％－过氧化氢15重量％(剩余部分为水)的组成的蚀刻液，放置30秒后擦掉蚀刻液。由于硫酸－过氧化氢系蚀刻液会一边溶解表面处理层及其基底的极薄铜层而一边使润湿变大，因此可判断为若液滴的痕迹接近正圆则表面附近的蚀刻液的润湿性均匀，若为椭圆形则为不均匀。又，液滴的痕迹的最大直径愈大则蚀刻液的润湿愈好，可说是利用蚀刻液的去除性良好。

·润湿均匀性

此处，测定液滴的痕迹的最大直径与最小直径，若最大直径与最小直径的差在10mm以下，则评价为蚀刻液的润湿性十分均匀(表2～4：润湿均匀性的栏“○”)，若在5mm以下，则评价为更进一步地均匀(表2～4：润湿均匀性的栏“◎”)。又，在液滴的痕迹的最大直径与最小直径的差比10mm大的情形时，评价为蚀刻液润湿性不够均匀(表2～4：润湿均匀性的栏“×”)。此处，表2～4的“润湿均匀性最大－最小”是利用“液滴的痕迹的最大直径(mm)－液滴的痕迹的最小直径(mm)”来算出。

·润湿性

测定液滴的痕迹的最大直径，若最大直径为25mm以上，则评价为蚀刻液润湿性够良好(表2～4：润湿性的栏“○”)，若为35mm以上，则评价为更优选地良好(表2～4：润湿性的栏“◎”)。又，在最大直径未达25mm的情形，评价为蚀刻液润湿性不足(表2～4：润湿性的栏“×”)。此处，表2～4的“润湿性最大直径”是设为“液滴的痕迹的最大直径(mm)”。

再者，在上述的“润湿均匀性”与“润湿性”的评价中，将包围住液滴的痕迹的圆的最小直径设为“液滴的痕迹的最大直径”，将液滴的痕迹中所含有的圆的最大直径设为“液滴的痕迹的最小直径”。

－载体的拉伸强度的评价－

以下述方式来测定在加热处理步骤后在常温下所测定的载体的拉伸强度。

首先，对所制得的附载体铜箔剥离载体。接着，针对该载体根据JISZ2241并利用拉伸试验来求得抗拉强度(拉伸强度)。

－电路直线(电路形成性)的评价－

通过热压接将附载体铜箔的极薄铜箔侧贴合在双顺丁烯二酰亚胺三嗪树脂预浸体后，剥离载体而将其去除，接着，以L/S＝21μm/9μm的方式在露出的极薄铜层表面形成宽度21μm的图案镀铜层(极薄铜层与图案镀铜层的厚度合计为16.5μm)，再来，通过以下的蚀刻条件，对图案镀铜层进行快速蚀刻直至形成为电路上端的宽度为12～15μm的镀铜层从而形成电路。接着，如图5所示般，测定从电路上面观测到的电路下端的宽度的最大值与最小值的差(μm)，求出测定5个部位而得的平均值。若最大値与最小値的差在2μm以下，则判断为具有良好的电路直线性，评价为◎。又，当该最大値与最小値的差超过2μm且在4μm以下时，则评价为〇。又，当该最大値与最小値的差超过4μm时，评价为×。

(蚀刻条件)

·蚀刻形式：喷雾蚀刻

·喷嘴：实心圆锥型

·喷压：0.10MPa

·蚀刻液温度：30℃

·蚀刻液组成：

H₂O₂18g/L

H₂SO₄92g/L

Cu8g/L

添加剂：JCU股份有限公司制造的FE－830IIW3C适量

－皱褶的观察－

目视观察各实验例的加热处理后的极薄铜层表面在长度5m的范围下有无皱褶。可确认到长度10cm以上的皱褶的部位为0个部位时，评价为◎，为1个部位时评价为〇，为2个部位时评价为△，为3个部位以上时评价为×。

－氧化程度－

对于各实验例，在加热处理后，将1卷卷开，对第2卷的长度为1m的试样以目视进行观察。此时，氧化所导致的变色面积为5％以下者评价为◎，氧化所导致的变色面积超过5％且在10％以下者评价为○○，氧化所导致的变色面积超过10％且在15％以下者评价为〇，氧化所导致的变色面积超过15％且在20％以下者评价为△，氧化所导致的变色面积超过20％者评价为×。

将试验条件及评价结果示于表1～4。

(评价结果)

例1－1～例1－48、例2－1～例2－3、例3－5～例3－13、例4－1～例16－1其电路直线性(电路形成性)皆良好。关于例1～例4、例7～例10、例14～例16，了解到：在加热处理前虽然电路直线性(电路形成性)不良，但是通过适当的加热处理，电路直线性(电路形成性)被改善。

再者，关于例1－1～例1－48、例2－1～例2－6、例3－5～例3－13、例4－1～例8－1、例11－1及例16－1，其蚀刻液的润湿性也皆良好。

例1－49其加热处理的温度低，电路直线性(电路形成性)为不良。

例1－50其加热处理的时间短，电路直线性(电路形成性)为不良。

例2－4其加热处理的时间长，晶粒粗大化导致电路直线性(电路形成性)变得不良。

例2－5及2－6其加热处理的温度高，晶粒粗大化导致电路直线性(电路形成性)变得不良。

例3－1～例3－4其加热处理的升温速度小，电路直线性(电路形成性)为不良。