麦克风单元以及设有该麦克风单元的声音输入装置

摘要

本发明涉及一种麦克风单元以及设有该麦克风单元的声音输入装置。麦克风单元(1)的壳体(10)包括安装部(11)，该安装部(11)具有安装表面(11a)，第一振动部(13)和第二振动部(15)安装在该安装表面(11a)上，其中，在安装表面(11a)的背表面(11b)中设置有第一音孔(23)和第二音孔(25)；在壳体(10)中，设置有第一声音通道(41)，该第一声音通道(41)将经由第一音孔(23)输入的声波传输至第一膜片(134)的一个表面，并且还将所述声波传输至第二膜片(154)的一个表面，并且设置有第二声音通道(42)，该第二声音通道(42)将经由第二音孔输入的声波传输至第二膜片(154)的另一个表面。

说明书

本申请是申请日为2011年5月27日、申请号为201180027374.7、发明 名称为“麦克风单元以及设有该麦克风单元的声音输入装置”的发明专利申 请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种具有将输入声音转换成电信号并将该电信号输出的功 能的麦克风单元。本发明还涉及一种包含有这种麦克风单元的声音输入装 置。

背景技术

通常，具有将输入声音转换成电信号并将该电信号输出的功能的麦克风 单元应用于各种类型的声音输入装置(例如，诸如移动电话和收发器之类的 声音通信装置、诸如声音识别系统之类的利用输入声音分析技术的信息处理 系统以及录音装置)。这种麦克风单元例如可能需要抑制背景噪声并且仅接 收近处声音，或者可能需要不仅接收近处声音而且还接收远处声音。

作为并入了麦克风单元的声音输入装置的示例，以下将描述移动电话。 当使用移动电话开始通话时，用户通常手持移动电话，将他的嘴巴靠近麦克 风部并使用它。因此，并入到移动电话中的麦克风通常需要具有抑制背景噪 声并且仅接收近处声音的功能(作为近讲麦克风的功能)。作为如上所述的 麦克风，例如，在专利文献1中描述的差分麦克风是合适的。

然而，在现今的移动电话中，存在具有例如在车辆行驶时不需要手持移 动电话而进行通话的免提功能的移动电话以及具有录像功能的移动电话。当 利用免提功能来使用移动电话时，由于用户的嘴巴是处于离开移动电话的位 置(例如，处于50cm远的位置)，因而麦克风需要具有不仅接收近处声音 而且接收远处声音的功能。在录像过程中，由于需要对进行录像的地点的周 边情况进行录制，因而麦克风需要具有不仅接收近处声音而且接收远处声音 的功能。

换句话说，近年来移动电话已经变得多功能功能化，因而并入到移动电 话中的麦克风需要具有抑制背景噪声而且仅接收近处声音的功能和不仅接 收近处声音而且接收远处声音的功能这两种功能。满足这种要求的一种方式 是在移动电话中单独地并入具有作为近讲麦克风功能的麦克风单元和还能 接收远处声音的全向性麦克风单元。

另一种方式是将例如专利文献2中公开的麦克风单元应用于移动电话 中。在专利文献2中公开的麦克风单元中，能够通过打开/关闭系统系统来使 得用于输入声音的两个开口部之一在打开状态和关闭状态之间切换。当两个 开口部均打开时，专利文献2中公开的麦克风单元用作双向性差分麦克风， 而当两个开口部之一关闭时，该麦克风单元用作全向性麦克风。

当该麦克风单元用作双向性差分麦克风时，由于可以抑制背景噪声而且 仅接收近处声音，因而它适用于用户在手持移动电话的同时使用移动电话的 情况。另一方面，当该麦克风单元用作全向性麦克风时，由于它还可以接收 远处声音，因而它适用于当使用免提功能或录像功能的情况。

相关技术文献

专利文献

专利文献1：JP-A-2009-188943

专利文献2：JP-A-2009-135777

发明内容

本发明要解决的问题

然而，如上所述，当单独地并入具有作为近讲麦克风功能的麦克风单元 和全向性麦克风单元时，需要增大移动电话中其上安装有麦克风单元的安装 基板的面积。由于近年来对于减小移动电话尺寸的需求强劲，因而，如上所 述，不希望增大其上安装有麦克风单元的安装基板的面积。

在专利文献2中，使用机械机构来在作为双向性差分麦克风的功能和作 为全向性麦克风单元的功能之间切换其功能。由于机械机构在掉落时容易受 到冲击，而且还容易被磨损，因而存在对于耐用性方面的担心。

考虑前述问题，本发明的目的是提供一种小尺寸麦克风单元，易于用来 使得声音输入装置多功能化。本发明的另一个目的是提供一种并入了这种 麦克风单元的高质量声音输入装置。

解决问题的方式

为了实现上述目的，根据本发明，提供了一种麦克风单元，包括：第一 振动部，基于第一膜片的振动将声音信号转换成电信号；第二振动部，基于 第二膜片的振动将声音信号转换成电信号；以及壳体，容纳所述第一振动部 和所述第二振动部于其中，并且包括面向外部的第一音孔和第二音孔，其中， 所述壳体包括具有安装表面的安装部，所述第一振动部和所述第二振动部安 装在所述安装表面上，所述第一音孔和所述第二音孔设置在所述安装部的所 述安装表面的背表面中，在所述壳体中，设置有第一声音通道，所述第一声 音通道将经由所述第一音孔输入的声波传输至所述第一膜片的一个表面，并 且还将所述声波传输到所述第二膜片的一个表面，并且设置有第二声音通 道，所述第二声音通道将经由所述第二音孔输入的声波传输至所述第二膜片 的另一个表面，所述第一膜片的另一个表面面向形成在所述壳体内的气密空 间。

通过如上所述配置的麦克风单元，可以通过利用第一振动部来获得作为 不仅能够接收近处声音而且还能够接收远处声音的全向性麦克风的功能，而 且可以通过利用第二振动部来获得作为具有优秀的远处噪声抑制性能的双 向性差分麦克风的功能。因此，容易实现应用了该麦克风单元的声音输入装 置(例如，移动电话)的功能性。作为具体示例，如下的方法是可行的：例 如，在通过移动电话讲话的应用中，利用作为双向性差分麦克风的功能来减 少背景噪声，而在免提应用或者录像应用中，利用作为全向性麦克风的功能。 由于如上所述配置的麦克风单元具有这两种功能，因而不需要单独地安装两 个麦克风单元。因此，可以容地减小声音输入装置的尺寸增大。

优选的是，在如上所述配置的麦克风单元中，所述壳体还包括盖部，所 述盖部覆盖所述安装部，以和所述安装部一起形成用来容纳所述第一振动部 的第一容纳空间和用来容纳所述第二振动部的第二容纳空间，在所述安装表 面中设置有被所述第一振动部覆盖的第一开口部和被所述第二振动部覆盖 的第二开口部，所述第一声音通道是用所述第一音孔、第一开口部、第二开 口部以及形成在所述安装部内并且使得所述第一音孔与所述第一开口部和 所述第二开口部连通的中空空间形成的，所述第二声音通道是用所述第二音 孔和所述第二容纳空间形成的，所述第二音孔是穿过所述安装部的通孔。

在这种配置中，在安装部内形成中空空间来获得声音通道，因而可以容 易地减小具有如上所述两种功能的麦克风单元的厚度。这种配置中，第一容 纳空间形成面向第一膜片另一个表面的气密空间(背室)。由于能够利用例 如设置在该盖部中的凹入空间来形成该气密空间，因而容易实现大容量的背 室。当增大背室容量时，振动部的振动膜容易变化，结果是可以增强振动部 的灵敏度。因此，在这种配置中，增强了当获得作为全向性麦克风的功能时 所利用的第一振动部的灵敏度，因而可以实现具有高SNR(信噪比)的麦克 风单元。

优选的是，在如上所述配置的麦克风单元中，所述壳体还包括盖部，所 述盖部覆盖所述安装部，以和所述安装部一起形成用来容纳所述第一振动部 和所述第二振动部的容纳空间，在所述安装表面中设置有被所述第二振动部 覆盖的开口部，所述第一声音通道是用第一音孔和所述容纳空间形成的，所 述第一音孔是穿过所述安装部的通孔，所述第二声音通道是用所述第二音 孔、所述开口部以及形成在所述安装部内并且使得所述第二音孔与所述开口 部连通的中空空间形成的。

由于在这种配置中还在安装部内形成了中空空间来获得声音通道，因而 可以容易地减小具有如上所述这两种功能的麦克风单元的厚度。

优选的是，如上所述配置的麦克风单元还包括电路部，该电路部安装在 所述安装部上并且处理在所述第一振动部和所述第二振动部中获得的电信 号。在这种情况下，优选的是，所述电路部是用第一电路部和第二电路部形 成的，所述第一电路部处理在所述第一振动部中获得的电信号，所述第二电 路部处理在所述第二电路部中获得的电信号。可以通过一个电路部来处理在 第一振动部和第二振动部中获得的电信号。此外，该电路部可以以单片方式 (monolithically)形成在第一振动部或第二振动部上。优选的是，当将电路 部安装在安装部上时，在安装表面上形成有用于电连接到所述电路部的电 极，此外在所述安装部的背表面上形成有电连接到所述安装表面上的所述电 极的背表面电极焊垫。这样，容易将该麦克风单元安装在声音输入装置中。

优选的是，在如上所述配置的麦克风单元中，在所述安装部的所述安装 表面的所述背表面上，形成有密封部，以当所述密封部被安装到安装基板上 包围所述第一音孔和所述第二音孔的周边时产生气密性。

在这种配置中，当将麦克风单元安装在声音输入装置的安装基板上时， 可以方便地无需额外准备用来防止声音泄漏的垫圈。

为了实现上述目的，根据本发明，提供了一种包括如上所述配置的麦克 风单元的声音输入装置。

在这种配置中，由于麦克风单元具有用作还能够接收远处声音的全向性 麦克风的功能和用作具有优秀的远处噪声抑制性能的双向性差分麦克风的 功能这两种功能，因而可以提供用来根据所使用的模式选择性使用麦克风功 能的高质量声音输入装置。还可以减小这种高质量声音输入装置的尺寸。

本发明的优点

根据本发明，可以提供容易使得声音输入装置多功能化的小尺寸麦克风 单元。而且，根据本发明，可以提供包含有这种麦克风单元的高质量声音输 入装置。

附图说明

图1A是示出从斜向上方向看去根据实施例一的麦克风单元的外形配置 的示意性透视图；

图1B是示出从斜向上方向看去根据实施例一的麦克风单元的外形配置 的示意性透视图；

图2是示出根据实施例一的麦克风单元的配置的分解透视图；

图3是沿着图1A中根据实施例一的麦克风单元的A-A位置截取的示意 性剖视图；

图4A是用来示意并入到根据实施例一的麦克风单元中的安装部的配置 的示意性平面图，是安装部的第一平板的上表面视图；

图4B是用来示意并入到根据实施例一的麦克风单元中的安装部的配置 的示意性平面图，是安装部的第二平板的上表面视图；

图4C是用来示意并入到根据实施例一的麦克风单元中的安装部的配置 的示意性平面图，是安装部的第三平板的上表面视图；

图5A是用来示意并入到根据实施例一的麦克风单元中的盖部的配置的 示意性平面图，是示出第一配置示例的盖部的图；

图5B是用来示意并入到根据实施例一的麦克风单元中的盖部的配置的 示意性平面图，是示出第二配置示例的盖部的图；

图6是示出并入到根据实施例一的麦克风单元中的MEMS芯片的配置 的示意性剖视图；

图7是示出根据实施例一的麦克风单元的配置的框图；

图8是示出从上看去并入到根据实施例一的麦克风单元中的安装部的示 意性平面图，是示出安装了MEMS芯片和ASIC的状态下的图；

图9是示出声压P和到声源的距离R之间的关系的曲线图；

图10A是用来示意根据实施例一的麦克风单元的方向性特性的图；是用 来示意当利用第一MEMS芯片侧时的方向性特性的图；

图10B是用来示意根据实施例一的麦克风单元的方向性特性的图；是用 来示意当利用第二MEMS芯片侧时的方向性特性的图；

图11是用来示意根据实施例一的麦克风单元的麦克风特性的曲线图；

图12是示出麦克风中背室容量和麦克风灵敏度之间的关系的曲线图；

图13是用来示意通过背室容量改变麦克风灵敏度和频率之间的关系的 曲线图；

图14是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第一改型例的剖视图；

图15是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第二改型例的透视图；

图16是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第三改型例的框图；

图17是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第三改型例的配置的图， 是从上看去并入到麦克风单元中的安装部的示意性平面图；

图18是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第三改型例的另一种配 置的图，是从上看去并入到麦克风单元中的安装部的示意性平面图；

图19是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第四改型例的框图；

图20是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第五改型例的框图；

图21是是示出根据实施例二的麦克风单元的配置的示意性剖视图；

图22是示出应用了实施例一的麦克风单元的移动电话实施例的示意性 配置的平面图；

图23是沿着图22的B-B位置截取的示意性剖视图；

图24是安装有在先前申请中公开的麦克风单元的移动电话的示意性剖 视图；

图25是用来示意根据本实施例的声音输入装置的改型例的框图；以及

图26是示出传统麦克风单元的配置的示意性剖视图。

具体实施方式

以下将参照附图详细描述根据本发明的麦克风单元和声音输入装置的 实施例。

(麦克风单元)

首先将描述根据本发明的麦克风单元的实施例。

1、实施例一的麦克风单元

图1A和图1B是示出根据实施例一的麦克风单元的外形配置的示意性透 视图；图1A是从斜向上方向看去的视图，图1B是从斜向下方向看去的视图。 如图1A和图1B所示，实施例一的麦克风单元1包括壳体10，该壳体10是 通过安装部11和覆盖安装部11的盖部12形成的，且形成为基本上是长方 体形状。

图2是示出根据实施例一的麦克风单元的配置的分解透视图。图3是沿 着图1A中根据实施例一的麦克风单元的A-A位置截取的示意性剖视图。如 图2和图3所示，在用安装部11和盖部12形成的壳体10中，容纳有第一 MEMS(微机电系统)芯片13、第一ASIC(专用集成电路)14、第二MEMS 芯片15以及第二ASIC16。以下将详细描述各个部分。

图4A、图4B和图4C是用来示意并入到实施例一的麦克风单元中的安 装部的配置的示意性平面图；图4A是安装部的第一平板的上表面视图；图 4B是安装部的第二平板的上表面视图；图4C是安装部的第三平板的上表面 视图。在图4B和图4C中，为了容易理解形成安装部11的多个平板之间的 关系，通过虚线来表示设置在布置得比每幅图中所示的平板更高的平板中的 通孔。

如图4A、图4B和图4C所示，形成安装部11的三个平板111、112和 113中每一个均形成为从平面图上看基本上具有矩形形状；从平面图上看， 它们的尺寸基本上彼此相等。如图3所示，第三平板113、第二平板112和 第一平板111从下到上依序层叠，这些平板例如通过粘附剂、粘附条等接合， 结果是能够获得该实施例的安装部11。形成安装部11的平板111到113的 材料没有特别的限制；优选地使用用作基板材料的已知材料，例如，使用 FR-4、陶瓷、聚酰亚胺膜等。

如图4A所示，在第一平板111中，在靠近其纵长方向上一个端部处(靠 近图4A的左边)并且靠近其宽度方向上一个端部处(靠近图4A的下边) 形成有从平面图上看形成为基本上具有圆形形状的第一通孔111a。而且，在 第一平板111中，在其纵长方向上另一个端部处(图4A的右侧)与其近似 中心部稍微偏离的位置，形成有从平面图上看形成为基本上具有圆形形状的 第二通孔111b。此外，在第一平板111中，靠近纵长方向上另一个端部处(靠 近图4A的右边)形成有从平面图上看基本上形成为具有矩形形状(体育场 (stadium)形状)的第三通孔111c，使得第一平板111的宽度方向(图4A中 的竖直方向)是第三通孔111c的纵长方向。

如图4B所示，在第二平板112中，在从近似中心部靠近纵长方向上一 个端部处(靠近图4B的左边)形成有从平面图上看基本上形成为具有字母T 形状(准确来讲，是面向侧面的字母T)的第四通孔112a。第四通孔112a 的位置是与形成在第一平板111中的第一通孔111a和第二通孔111b(用虚 线表示)重叠。而且，在第二平板112中，在靠近纵长方向上另一个端部处 (靠近图4B的右边)形成有从平面图上看形成为基本上具有矩形形状的第 五通孔112b，使得第二平板112的宽度方向(图4B的竖直方向)是该第五 通孔112b的纵长方向。第五通孔112b形成为具有与第一平板111的第三通 孔111c相同的形状和尺寸；第五通孔112b整体的位置是重叠在第三通孔 111c上。

如图4C所示，在第三平板113中，在靠近纵长方向上一个端部处(靠 近图4C的左边)形成有从平面图上看基本上形成为具有矩形形状的第六通 孔113a，使得第三平板113的宽度方向(图4C中的竖直方向)是该第六通 孔113a的纵长方向。第六通孔113a的整体位置是重叠在第二平板112的第 四通孔112a上。而且，在第三平板113中，在靠近纵长方向上另一个端部 处(靠近图4C的右边)形成有从平面图上看基本上形成为具有矩形形状的 第七通孔113b，使得第三平板113的宽度方向(图4C中的竖直方向)是该 第七通孔113b的纵长方向。第七通孔113b形成为具有与第二平板112的第 五通孔112b相同的形状和尺寸；第七通孔113b整体的位置是重叠在第五通 孔112b上。

关于如上所述形成的三个平板111到113，如上所述，第三平板113、 第二平板112和第一平板111从下到上依序层叠起来以形成安装部11，因而 在安装部11内形成了以下描述的中空空间。具体而言，如图3所示，在安 装部11内形成中空空间24，从而使得设置在安装部11的上表面11a中的第 一开口部21(第一通孔111a的上表面部)和第二开口部22(第二通孔111b 的上表面部)与设置在安装部11的下表面11b中的第三开口部23(第六通 孔113a的下表面部)连通。当如上所述将三个平板111到113层叠起来形 成安装部11时，使得三个通孔111c、112b和113b连通以形成在厚度方向 上传过安装部11而且从平面图上看形成为基本上具有矩形形状的一个通孔 25(参见图3)。

在安装部11上形成有电极焊垫和电线，后文将描述它们。尽管在本实 施例中通过接合三个平板来获得安装部11，然而本发明不限于这种配置。可 以通过一个平板来形成安装部11，或者可以通过除了三个平板之外的多个平 板来形成安装部11。安装部11不限于平板形状。当安装部11不是用多个构 件形成的平板形状时，在形成安装部11的多个构件中可以包括不是平板形 状的构件。此外，形成在安装部11中的开口21、22和23、中空空间24以 及通孔25的形状不限于本实施例的配置。在需要的时候也可以改变它们。

图5A和图5B是用来示意并入到实施例一的麦克风单元中的盖部的配置 的示意性平面图。图5A示出盖部的第一配置示例，图5B示出盖部的第二配 置示例。图5A和图5B是当从下方看去盖部12的视图。

盖部12的外形形成为基本上具有长方体形状(参见图1A、图1B、图2 和图3)。盖部12纵长方向上(图5A和图5B中的左/右方向)的长度和它 宽度方向上(图5A和图5B中的上/下方向)调整为：当盖部12覆盖安装部 11以形成壳体10时，壳体10的侧面部基本上齐平(flush)。能够使用诸如 LCP(液晶高分子)或者PPS(聚苯硫醚)之类的树脂作为盖部12的材料。 这里，为了使得盖部12的树脂变得导电，可以将诸如不锈钢之类的金属填 充物或者碳与树脂混合并包含在树脂中。可以使用诸如FR-4或陶瓷之类的 基板材料作为盖部12的材料。

如图5A和图5B所示，盖部12包括两个凹部12b和12c，这两个凹部 12b和12c被分隔部12a分开。因此，盖部12覆盖安装部11，从而获得了 彼此独立的两个空间121和122(参见图3)。如后文将描述的，由于使用 这两个空间121和122来作为用来容纳MEMS芯片和ASIC的空间，因而在 以下的描述中将空间121称作第一容纳空间121，并将空间122称作第二容 纳空间122。

如图5A所示，设置在盖部12中的凹部12b和12c每一个均可以形成为 从平面图上看基本上具有矩形形状(基本上具有长方体形状)。优选的是， 将用于形成当盖部12覆盖安装部11时用作声音通道(这一点将在后文描述) 的第二容纳空间122的凹部12c形成为从平面图上看基本上具有字母T的形 状。

通过如图5B所示的形成，在第二容纳空间122中，能够增大用作声音 入口的部分(这里是指连接到通孔25的部分)的开口面积，而且还能够减 小第二容纳空间122的整体容量。因而，可以将第二容纳空间122的声学共 振频率设定到高频侧。在这种情况下，能够使得利用容纳在第二容纳空间122 中的第二MEMS芯片15(参见图3)的麦克风特性令人满意(可以适当地 抑制高频侧的噪声)。

这里，将给出关于共振频率的补充描述。通常，考虑存在第二容纳空间 122和连接到它的声音入口的模型，该模型具有该模型特有的声学共振频率。 该共振频率叫做亥姆霍兹共振(Helmholtzresonance)。在该模型中，从定 性的角度来看，随着声音入口面积S增大和/或第二容纳空间122的容量V 减小，共振频率增大。相反，随着声音入口面积减小和/或第二容纳空间122 的容量V增大，共振频率减小。随着共振频率减小到接近声音频带(到 10kHz)，麦克风的频率特性和灵敏度特性受到了负面的影响。因此，优选 的是，将共振频率设定为尽可能高。

尽管在以上描述中形成第二容纳空间122的凹部12c形成为从平面图上 看基本上具有字母T的形状，然而凹部12c的形状不限于这种形状。优选的 是根据MEMS芯片和ASIC的布置来进行设计，使得第二容纳空间122的容 量V最小化。出于相同的理由，在安装部11中，在三个平板中的第二平板 112中形成从平面图上看形成为基本上具有字母T形状的第四通孔112a。用 作声音入口的部分(连接到第六通孔113a的部分)的开口面积增大，中空 空间24的容量减小，结果是，共振频率设定为高。

如图2和图3所示，在麦克风单元1中，在安装部11上安装有两个MEMS 芯片：第一MEMS芯片13和第二MEMS芯片15。这两个MEMS芯片13 和15每一个都是用硅芯片形成的，而且它们的配置相同。因此，将以第一 MEMS芯片13为例参照图6来描述并入到麦克风单元1中的MEMS芯片的 配置。图6是示出并入到实施例一的麦克风单元中的MEMS芯片的配置的 示意性剖视图。在图6中，加括号的符号是与第二MEMS芯片15相对应的 符号。该MEMS芯片是根据本发明的振动部的实施例。

如图6所示，第一MEMS芯片13包括绝缘的第一基底基板131、第一 固定电极132、第一绝缘层133以及第一膜片134。

在第一基底基板131中，在该基底基板的中部形成有从平面图上看形成 为基本上具有圆形形状的通孔131a。第一固定电极132布置在第一基底基板 131上；在第一固定电极132中，形成有直径较小的多个通孔132a。第一绝 缘层133布置在第一固定电极132上；如同在第一基底基板131中那样，在 第一绝缘层133的中部形成有从平面图上看形成为基本上具有圆形形状的通 孔133a。布置在第一绝缘层133上的第一膜片134是接收声压以振动(在 图6的上/下方向上振动)并且导电以形成电极的一个端部的薄膜。布置为基 本上彼此平行且彼此相对的第一固定电极132和第一膜片134通过由于第一 绝缘层133的存在而形成在它们之间的间隙Gp形成了电容器。

由于存在形成于第一基底基板131中的通孔131a、形成在第一固定电极 132中的通孔132a以及形成在第一绝缘层133中的通孔133a，因而声波不 仅从上方到达第一膜片134，而且还从下方到达第一膜片134。

在如上所述配置为电容器麦克风的第一MEMS芯片13中，当第一膜片 134由于接收到声波而振动时，第一膜片134和第一固定电极132之间的电 容变化。于是，进入第一MEMS芯片13的声波(声音信号)能够被作为电 信号提取出。类似地，在并入有第二基底基板151、第二固定电极152、第 二绝缘层153以及第二膜片154的第二MEMS芯片15中，进入第二MEMS 芯片15的声波(声音信号)能够被作为电信号提取出来。换句话说，第一 MEMS芯片13和第二MEMS芯片15具有将声音信号转换成电信号的功能。

第一MEMS芯片13和第二MEMS芯片15的配置不限于本实施例的配 置；可以根据需要而改变配置。例如，尽管在本实施例中膜片134和154是 布置在固定电极132和152上，然而它们也可以被配置为相反的关系(其中， 固定电极布置在膜片上)。

第一ASIC14是对基于第一MEMS芯片13的电容变化(来源于第一膜 片134的振动)而提取出的电信号进行放大处理的集成电路。第二ASIC16 是对基于第二MEMS芯片15的电容变化(来源于第二膜片154的振动推导 出)而提取出的电信号进行放大处理的集成电路。ASIC是根据本发明的电 路部的实施例。

如图7所示，第一ASIC14包括用来向第一MEMS芯片13施加偏置电 压的电荷泵电路141。电荷泵电路141将电源电压VDD(例如，大约1.5到 3伏)提高(例如，到大约6到10伏)，进而将偏置电压施加到第一MEMS 芯片13。第一ASIC14包括用来检测第一MEMS芯片13的电容变化的放大 器电路142。由放大器电路142放大后的电信号从第一ASIC14输出(OUT1)。 类似地，第二ASIC16包括用来向第二MEMS芯片15施加偏置电压的电荷 泵电路161以及用来通过检测电容变化而将放大后的电信号输出(OUT2) 的放大器电路162。图7是示出根据实施例一的麦克风单元的配置的框图。

现在将主要参照图8来描述麦克风单元1中两个MEMS芯片13和15 与两个ASIC14和16之间的位置关系和电连接关系。图8是从上看去(从 安装表面侧看去)并入到实施例一的麦克风单元中的安装部的示意性平面 图；图8是示出安装了MEMS芯片和ASIC的状态下的图。

两个MEMS芯片13和15安装在安装部11上，使得膜片134和154基 本上平行于安装部11的安装表面(上表面)11a(参见图3)。如图8所示， 靠近安装部11纵长方向上一个端部处(靠近图8的左边)安装有第一MEMS 芯片13和第一ASIC14(靠近图8的左侧)，第一MEMS芯片13和第一 ASIC14在宽度方向上对齐。第二MEMS芯片15安装在安装部11的近似中 心部稍微向纵长方向上另一个端部(图8的右侧)错开的位置。相对于第二 MEMS芯片15，第二ASIC16安装在安装部11上纵长方向上的另一个端部 侧(图8的右侧)。

第一MEMS芯片13安装在安装部11上从而覆盖形成在安装部11的安 装表面(上表面)11a中的第一开口部21(参见图2和图3)。第二MEMS 芯片15安装在安装部11上从而覆盖形成在安装部11的上表面11a中的第 二开口部22(参见图2和图3)。

两个MEMS芯片13和15以及两个ASIC14和16的布置不是旨在限制 于本实施例的配置；而是可以根据需要而变化。例如，对于每一组MEMS 芯片和ASIC，任意一个MEMS芯片和任意一个ASIC均可以在纵长方向上 对齐，或者可以在宽度方向上对齐。

两个MEMS芯片13和15以及两个ASIC14和16通过裸片接合以及引 线接合而安装在安装部11上。具体而言，第一MEMS芯片13和第二MEMS 芯片15使用未示出的裸片接合材料(例如，环氧树脂或硅树脂的粘附剂) 而结合至安装部11的上表面11a上，从而使得在它们的底表面和安装部11 的上表面11a之间没有间隙。如上所述的结合防止声音经由形成在安装部11 的上表面11a与MEMS芯片13和15的底表面之间的间隙进入MEMS芯片 13和15。如图8所示，第一MEMS芯片13通过引线17(优选的是金线) 电连接至第一ASIC14，并且第二MEMS芯片15通过引线17(优选的是金 线)电连接至第二ASIC16。

在两个ASIC14和16每一个中，它们与安装部11的安装表面(上表面) 11a相对的底表面通过未示出的裸片接合材料结合到安装部11的上表面11a 上。如图8所示，第一ASIC14通过引线17电连接至形成在安装部11的上 表面11a上的多个电极端子18a、18b和18c。电极端子18a是用于输入电源 电压(VDD)的电源端子，电极端子18b是第一输出端子，经由该第一输出 端子将在第一ASIC14的放大器电路142中受到放大处理的电信号输出，电 极端子18c是用于接地连接的GND端子。

类似地，第二ASIC16通过引线17电连接至形成在安装部11的上表面 11a上的多个电极端子19a、19b和19c。电极端子19a是用于输入电源电压 (VDD)的电源端子，电极端子19b是第二输出端子，经由该第二输出端子 将在第二ASIC16的放大器电路162中受到放大处理的电信号输出，电极端 子19c是用于接地连接的GND端子。

如图1B和图3所示，在安装部11的上表面11a的背表面(安装部11 的下表面)上，形成有外部连接电极焊垫20。外部连接电极焊垫20包括电 源电极焊垫20a、第一输出电极焊垫20b、第二输出电极焊垫20c以及GND 电极焊垫20d以及密封电极焊垫20e。

设置在安装部11的上表面11a上的电源端子18a和19a经由形成在安装 部11上的未示出的布线(包括穿通布线)电连接到电源电极焊垫20a。设置 在安装部11的上表面11a上的输出端子18b经由形成在安装部11上的未示 出的布线(包括穿通布线)电连接到第一输出电极焊垫20b。设置在安装部 11的上表面11a上的第二输出端子19b经由形成在安装部11上的未示出的 布线(包括穿通布线)电连接到第二输出电极焊垫20c。设置在安装部11的 上表面11a上的GND端子18c和19c经由形成在安装部11上的未示出的布 线(包括穿通布线)电连接到GND电极焊垫20d。能够通过在制造基板时通 常使用的通孔来形成穿通布线。

密封电极焊垫20e用来当将麦克风单元1安装到诸如移动电话之类的声 音输入装置的安装基板上时维持气密性；后文将描述其细节。

尽管在本实施例中两个MEMS芯片13和15以及两个ASIC14和16是 通过引线接合来安装的，然而两个MEMS芯片13和15以及两个ASIC14 和16自然也可以通过倒装芯片方式来安装。在这种情况下，电极形成在 MEMS芯片13和15以及ASIC14和16的底表面上，对应电极布置在安装 部11的上表面上，并且通过形成在安装部11上的布线图案来进行其引线连 接。

盖部12(例如，使用粘附剂或者粘附条)结合到安装有两个MEMS芯 片13和15以及两个ASIC14和16的安装部11(由于在本实施例中是通过 接合基板来形成它的，因而可以将它表述为基板部)上从而实现气密性密封， 结果是获得了包括位于壳体10中的第一MEMS芯片13、第一ASIC14、第 二MEMS芯片15以及第二ASIC16的麦克风单元1。在麦克风单元1中， 如图3所示，第一MEMS芯片13和第二MEMS芯片15容纳在第一容纳空 间121中，第二MEMS芯片15和第二ASIC16容纳在第二容纳空间122中。

在麦克风单元1中，如图3所示，从外部经由第三开口部23输入的声 波穿过中空空间24和第一开口部21到达第一膜片134的底表面，而且还穿 过中空空间24和第二开口部22到达第二膜片154的底表面。从外部经由通 孔25输入的声波穿过第二容纳空间122到达第二膜片154的上表面。由于 第三开口部23和通孔25是用来将声波输入进壳体10中，因而在以下的描 述中，将第三开口部23表述为第一音孔23，将第二通孔25表述为第二音孔 25。

因而，在麦克风单元1中，设置有：第一声音通道41，该第一声音通道 41将经由第一音孔23输入的声波传输到第一膜片134的一个表面(下表面)， 并且还将声波传输到第二膜片154的一个表面(下表面)；以及第二声音通 道42，该第二声音通道42将经由第二音孔25输入的声波传输到第二膜片 154的另一个表面(上表面)。在麦克风单元1中，阻止声波经由第一膜片 134的另一个表面(上表面)输入，因而形成了没有声学泄漏的气密空间(背 室)。

设置在麦克风单元1中的第一音孔23和第二音孔25之间的间隔(中心 之间的距离)优选的是等于或大于3mm但是等于或小于10mm，更优选的是 等于或大于4mm但是等于或小于6mm。设计这种配置来减少以下的问题： 如果两个音孔23和25之间的间隔过宽，则经由音孔23和25输入并到达第 二膜片154的声波之间的相位差增大，因而麦克风特性降低(噪声减少性能 降低)。还设计以上的配置来减少以下的问题：如果两个音孔23和25之间 的间隔过窄，则施加到第二膜片154的上表面和下表面的声压差减小，因而 第二膜片154的幅度减小，结果是从第二ASIC16输出的电信号的SNR(信 噪比)变差。

为了在宽频率范围内获得高的噪声抑制效果，优选的是使得从第一音孔 23穿过第一声音通道41(参见图3)到达第二膜片154的声音传播距离等于 从第二音孔25穿过第二声音通道42(参见图3)到达第二膜片154的声音 传播距离。

尽管在麦克风单元1中，设置在壳体10中的第一音孔23和第二音孔25 形成为长孔形状，然而它们的形状不限于这种配置。例如，它们可以形成为 从平面图上看基本上具有圆形形状。然而，如在如上所述的配置中那样，优 选的是形成为长孔形状，因为例如可以防止麦克风单元1纵长方向上(对应 于图3中的左/右方向)的长度增大，以减小封装尺寸并增大音孔的截面面积。 通过增大音孔的截面面积获得的效果已经描述过了。这是由于随着音孔截面 面积增大，能够提高形成声音通道的空间的共振频率，可以获得作为麦克风 的覆盖宽波带的平坦性能。

用来检测第一MEMS芯片13的电容变化的放大器电路142的放大增益 和用来检测第二MEMS芯片15的电容变化的放大器电路162的放大增益彼 此不同。由于第二MEMS芯片15的第二膜片154是通过施加到两个表面(上 表面和下表面)的声压之间的差而振动，因而振幅小于第一MEMS芯片13 的第一膜片134的振幅。因此，例如，可以使得第二ASIC16的放大器电路 162的放大增益高于第一ASIC14的放大器电路142的放大增益。具体而言， 当两个音孔23和25的中心之间的距离是大约5mm时，优选的是将第二ASIC 16的放大器电路162的放大增益设定为比第一ASIC14的放大器电路142 的放大增益高大约6-14dB。这样，由于能够使得从两个放大器电路142和 162输出的信号的幅度基本上彼此相等，因而可以当用户选择并切换来自两 个放大器的输出时减少出现输出幅度的大范围变化。

现在将描述根据实施例一的麦克风单元1的效果。

当在麦克风单元1外部产生声音时，经由第一音孔23输入的声波经由 第一声音通道41到达第一膜片134的下表面，并且第一膜片134振动。因 而，第一MEMS芯片13的电容产生变化。基于第一MEMS芯片13的电容 变化而提取出的电信号受到由第一ASIC14的放大器电路142进行的放大处 理，并且最终从第一输出电极焊垫20b输出(参见以上已经对图3和图7进 行的描述)。

而且，当麦克风单元1外部产生声音时，经由第一音孔23输入的声波 经由第一声音通道41到达第二膜片154的下表面，并且经由第二音孔25输 入的声波经由第二声音通道42到达第二膜片154的上表面。因此，第二膜 片154由于施加到上表面的声压和施加到下表面的声压之间的差而振动。因 而，第二MEMS芯片15的电容产生变化。基于第二MEMS芯片15的电容 变化而提取出的电信号受到由第二ASIC16的放大器电路162进行的放大处 理，并且最终从第二输出电极焊垫20c输出(参见以上已经对图3和图7进 行的描述)。

如上所述，在麦克风单元1中，通过使用第一MEMS芯片13获取的信 号和通过使用第二MEMS芯片15获取的信号单独地输出到外部。顺便提及， 该麦克风单元1在仅利用第一MEMS芯片13的情况下和仅利用第二MEMS 芯片15的情况下的表现不同。这将在下文详细描述。

在描述之前，将讨论声波的特性。图9是示出声压P和到声源的距离R 之间的关系的曲线图。如图9所示，声波随着在诸如空气之类的介质中传播 而衰减，并且声压(声波的强度和幅度)减小。声压与到声源的距离成反比； 可以用以下公式(1)来表示声压P和距离R之间的关系，其中k是比例常 数。

P＝k/R(1)

如从图9和公式(1)清楚看到的，声压在声源附近(曲线图的左侧) 显著衰减，并且声压随着声音从声源移开(曲线图的右侧)而缓慢衰减。具 体而言，对于在与声源之间的距离之差是Δd的两个位置(R1和R2，R3和 R4)之间传输的声压，在与声源之间的距离短的R1和R2之间大幅衰减 (P1-P2)，但是在与声源之间的距离长的R3和R4之间仅有少许衰减 (P3-P4)。

图10A和图10B是用来示意根据实施例一的麦克风单元的方向性特性的 图；图10A是用来示意当利用第一MEMS芯片13侧时的方向性特性的图， 图10B是用来示意当利用第二MEMS芯片15侧时的方向性特性的图。认为 图10A和图10B中麦克风单元1的姿态与图3中所示的相同。

当从声源到第一膜片134的距离一定时，不管声源处于什么方向，施加 到第一膜片134上的声压也是一定的。具体而言，如图10A所示，当利用第 一MEMS芯片13侧时，麦克风单元1具有全向性特性，均匀地接收从所有 方向输入的声波。

另一方面，当利用第二MEMS芯片15侧时，麦克风单元1不具有全向 性特性，但是具有如图10B所示的双向性特性。如果从声源到第二膜片154 的距离一定时，在声源处于0°或180°方向时，施加到第二膜片154的声 压最高。这是因为声波从第一音孔23传播到第二膜片154的下表面所用的 距离与声波从第二音孔25传播到第二膜片154的上表面所用的距离之间的 差最大。

相反，当声源是处于90°或270°方向时，施加到第二膜片154的声压 最低(为0)。这是因为声波从第一音孔23传播到第二膜片154的下表面所 用的距离与声波从第二音孔25传播到第二膜片154的上表面所用的距离之 间的差几乎为零。换句话说，当利用第二MEMS芯片15侧时，麦克风单元 1对于从0°或180°方向输入的声波的灵敏度高，但是对于从90°或270 °方向输入的声波的灵敏度低(双向性特性)。

图11是用来示意根据实施例一的麦克风单元的麦克风特性的曲线图， 其中，水平轴表示在对数轴上的到声源的距离R，垂直轴表示施加到麦克风 单元的膜片上的声压水平(dB)。在图11中，A表示当利用第一MEMS芯 片13侧时麦克风单元1的麦克风特性，B表示当利用第二MEMS芯片15 侧时麦克风单元1的麦克风特性。

在第一MEMS芯片13中，第一膜片134由于施加到第一膜片134的一 个表面(下表面)的声压而振动，而在第二MEMS芯片15中，第二膜片154 由于施加到两个表面(上表面和下表面)的声压差而振动。在距离衰减特性 中，当利用第一MEMS芯片13侧时，声压水平衰减了1/R，而当利用第二 MEMS芯片15侧时，通过将第一MEMS芯片13的特性相对于距离R进行 微分来获得该特性，声压水平衰减了1/R²。因此，如图11所示，当利用第 二MEMS芯片15侧时与利用第一MEMS芯片13侧的情况相比，振幅相对 于到声源的距离显著下降，而且距离衰减增大。

换句话说，当利用第一MEMS芯片13侧时，与利用第二MEMS芯片 15侧的情况相比，麦克风单元1具有优秀的接收远处声音(声源位于距离麦 克风单元1较远的位置)的功能。另一方面，当利用第二MEMS芯片15侧 时，麦克风单元1具有优秀的有效接收麦克风单元1附近产生的目标声音并 且去除背景噪声(指除了目标声音之外的声音)的功能。

将进一步描述后一种情况。麦克风单元1附近产生的目标声音的声压在 第一音孔23和第二音孔25之间显著衰减；传输到第二膜片154的上表面的 声压和传输到第二膜片154的下表面的声压存在很大差异。另一方面，由于 在背景噪声中，声源位于相较于目标声音更远的位置，因而背景噪声在第一 音孔23和第二音孔25之间几乎没有衰减，结果是，传输到第二膜片154的 上表面的声压和传输到第二膜片154的下表面的声压之间的差显减小。这里， 假设从声源到第一音孔23的距离和从声源到第二音孔25的距离不同。

由于第二膜片154接收到的背景噪声的声压差明显小，因而背景噪声的 声压在第二膜片154内几乎被消除了。相反，由于第二膜片154接收到的目 标声音的声压差大，因而目标声音的声压在第二膜片154内不能被消除。因 此，通过第二膜片154的振动获得的信号被当作从中已经去除了背景噪声的 目标声音的信号。因此，当利用第二MEMS芯片15侧时，麦克风单元1具 有优秀的去除背景噪声并提取麦克风单元1附近生成的目标声音的功能。

如上所述，在麦克风单元1中，从第一MEMS芯片13提取出的信号和 从第二MEMS芯片15提取出的信号被单独地处理(放大处理)并且被单独 地输出到外部。因此，在应用了麦克风单元1的声音输入装置中，根据附近 声源的声音接收或者远处声源的声音接收的目的，在必要时选择使用从 MEMS芯片13和15中输出的信号中的任意一个，因而可以实现声音输入装 置的多功能化。

作为具体示例，描述将麦克风单元1应用于移动电话(声音输入装置的 示例)的情况。当用户通过移动电话进行通话时，用户通常将麦克风单元1 靠近用户的嘴巴来讲话。因此，当用户通过移动电话进行通话时，优选的是 去除背景噪声并且只接收目标声音。因此，例如，在通话时，优选的是使用 从麦克风单元1输出的多个信号中的从第二MEMS芯片15提取出的信号。

如上所述，现今的移动电话具有免提功能和录像功能。当以这种模式使 用移动电话时，需要能够接收距离麦克风单元1较远的声音。因此，例如， 当使用移动电话的免提功能或录像功能时，优选的是，能够使用从麦克风单 元1输出的多个信号中的从第一MEMS芯片13提取出的信号。这里，由于 远处声音的输入声压相对于近处声音的低，因而获得了高的SNR。

如上所述，本实施例的麦克风单元1具有以下两种功能：作为具有优秀 远处噪声抑制性能的双向性差分麦克风的功能(近场声音接收功能)，以及 作为能够接收位置远离麦克风单元1的声源的远处声音的全向性麦克风的功 能(远场声音接收功能)。因此，通过本实施例的麦克风单元1，容易实现 应用了该麦克风单元的声音输入装置的功能性。

在本实施例的麦克风单元1中，第一膜片134的声音通道的一部分和第 二膜片154的声音通道的一部分是共享的，壳体的空间是共享的，因而减小 了封装尺寸。具体而言，在仅具有作为近讲功能麦克风功能的如图26所示 的传统麦克风Z中，在第一音孔Z3和第二音孔Z4(这两个音孔都是形成在 安装部Z1的下表面侧中)之间物理上需要给定距离(例如，5mm)。因此， 在第一音孔Z3的上部，即盖部Z2中，产生声学上没有用到的无用区域。在 本实施例的麦克风单元1中，第一容纳空间121设置在该区域中，布置了第 一MEMS芯片13和第一ASIC14并且该区域被有效利用，结果是减小了麦 克风单元的尺寸。在图26中，符号Z5表示MEMS芯片，符号Z6表示ASIC。

由于本实施例的麦克风单元1具有如上所述的两种功能，因而不需要如 传统中需求的那样单独地安装具有不同功能的两个麦克风。因此，当制造多 功能声音输入装置时，可以减少所使用的构件数量，并且减小(减少声音输 入装置的尺寸增加)麦克风的安装面积。

由于在本实施例的麦克风单元1中通过利用形成在盖部12中的凹部12b 获得了面向第一膜片134的上表面的气密空间(背室)，因而容易增大背室 的容量。这促进强化了麦克风的SNR。

图12是示出麦克风中背室容量和麦克风灵敏度之间的关系的曲线图。 图12示出了，随着背室容量增大，麦克风灵敏度得到了增强，而随着背室 容量减小，灵敏度迅速降低。当使用小尺寸麦克风时，难以充分地获得背室 容量，并且经常将麦克风设计在针对背室容量的灵敏度产生广泛变化的区 域。在这种情况下发现，仅仅通过稍微增大背室容量就可以显著增强麦克风 灵敏度。

图13是用来示意通过背室容量改变麦克风灵敏度和频率之间的关系的 事实的曲线图。图13示出了，随着背室容量增大，麦克风灵敏度得到增强， 而当背室内容量小时，麦克风灵敏度在低频区域内衰减。如上所述的特性是 由膜片的弹簧常数(springconstant)和容纳空间内空气的弹簧常数之间的平 衡来确定的。如上所述，在实施例一的麦克风单元1中，容易增大面向第一 膜片134的上表面的背室的容量，因而容易强化麦克风灵敏度。因此，当使 用第一MEMS芯片13接收位置远离麦克风单元1的声源的远处声音时，可 以提高从麦克风单元1输出的信号的SNR。

在本实施例的麦克风单元1中，除了诸如LCP或PPS之类的树脂材料、 诸如FR-4之类的玻璃环氧材料以及陶瓷材料之外，还能够用诸如铝、黄铜、 铁或铜之类的导电金属材料来形成盖部12。金属部连接到安装部11或者用 户基板的GND部，因而可以获得电磁屏蔽效果。甚至当使用诸如树脂材料、 玻璃环氧材料或者陶瓷材料之类的绝缘材料时，它的表面也进行了导电镀层 处理，因而绝缘材料能够具有与金属相同的电磁屏蔽效果。具体而言，盖部 12的上部和侧部的外壁表面进行导电镀层(金属镀层)，而且导电的电镀部 连接到安装部11或者用户基板的GND部，结果是，可以获得电磁屏蔽效果。

为了减小麦克风的厚度，需要减小单个组件的厚度。然而，当树脂材料 和玻璃环氧材料的厚度是0.2mm或更小时，它们的强度显著减小。因此， 例如，施加到壁表面的外部声压有可能促使外壁振动，而且麦克风自身的声 音接收功能有可能受到反面的影响。在盖部12的外壁表面上形成导电金属 膜，因而可以提高盖部12的机械强度，进而提高对于外部应力的抵抗力； 而且还可以通过减少不必要的振动而实现麦克风自身的声音接收功能。

现在将描述根据实施例一的麦克风单元1的多个改型例。

图14是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第一改型例的剖视图。 图14是类似于图3的剖视图。在麦克风单元1的第一改型例中，在设置于 壳体10的安装部11内的声音通道的内壁表面和盖部12的内壁表面上形成 有涂层43。

例如，当使用诸如FR-4之类的基板材料作为安装部11或盖部12的材 料时，从切割表面(处理过的表面)容易产生纤维性粉尘。例如，当这种粉 尘经由设置在MEMS芯片13和15的固定电极132和152中的通孔132a和 152a(参见图6)进入电极之间的内部部分时，固定电极132和152与膜片 134和154之间的空间被阻挡，因而MEMS芯片13和15出现不利的故障。 从这点来看，作为第一改型例，形成了涂层43，因而可以防止微小粉尘的出 现并且解决如上所述的问题。

可以通过利用在基板制造工艺中经常使用的镀层处理技术来获得涂层 43；更具体而言，例如，可以通过Cu镀层处理或者Cu+Ni镀层处理来获得 涂层43。可以通过在能够进行曝光和显影的抗蚀剂材料上进行涂敷处理来获 得涂层43。涂层43可以形成为多层；例如，在Cu镀层处理之后，进一步 对抗蚀剂材料进行涂敷处理，结果就获得了该涂层。在麦克风单元1中，密 封电极焊垫20e形成在第一音孔23和第二音孔25周围(参见图1B等)。 在这种配置中，当将麦克风单元1安装在诸如移动电话之类的声音输入装置 中时，焊料流入第一音孔23和第二音孔25，因而声音通道变窄而且被阻挡。 防止该问题的一种有效的方式是用阻挡焊料的材料(例如抗蚀剂)来涂敷铜 镀层，以阻止焊料进入。

在如图14所示的第一改型例中，设置在安装部11和盖部12上的涂层 43(以Cu镀层作为具体示例)可以连接到固定电位(GND或电源)。设置 在安装部11上的涂层43能够强化对于来自MEMS芯片13和15下方的外 部电磁场的抵抗力。设置在盖部12上的涂层43能够强化对于来自MEMS 芯片13和15上方的外部电磁场的抵抗力。这样，能够在MEMS芯片13和 15的上侧和下侧这两侧来提供电磁屏蔽，因而可以显著地强化对于外部电磁 场的抵抗力(以防止外部电磁场噪声进入)。

尽管在第一改型例中涂层43是设置在安装部11和盖部12上，然而本 发明不限于这种配置。例如，可以将涂层43仅设置在安装部11上(即，仅 设置在设置于安装部11内的声音通道的壁表面上)。

图15是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第二改型例的透视图。 在麦克风单元1的第二改型例中，设置有屏蔽罩44以覆盖麦克风单元1的 壳体10(用安装部11和盖部12形成)。

由导电材料(金属)形成的屏蔽罩44基本上形成为盒状，从盖部12的 侧部布设以覆盖壳体10，并且连接到固定电位(GND)。通过卷边(crimping) 来将该屏蔽罩44固定到壳体10；卷边区域44a设置在屏蔽罩44中。以这种 方式来用屏蔽罩44覆盖壳体10，因而可以强化对于外部电磁场的抵抗力(以 防止外部电磁场噪声进入)。将金属的厚度设定为大约50到200μm是合适 的。在本改型例中，由于用金属板覆盖整个麦克风壳体，因而可以获得高的 电磁屏蔽效果。

图16是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第三改型例的框图。在 麦克风单元1的第三改型例中，容纳在第一容纳空间121中的第一ASIC14 (图3)和容纳在第二容纳空间122中的第二ASIC16(参见图3)集成在一 起，因而ASIC的数量设定为一个(提供了空间减小效果)。

将在图17中示出该情况下的位于安装部11上的MEMS芯片和ASIC的 布置示例。图17是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第三改型例的配 置的图。图17还是从上看去并入到麦克风单元中的安装部的示意性平面图。 为了容易理解，图17还示出了容纳空间121和122。第一MEMS芯片13和 ASIC45均布置在第一容纳空间121中；第二MEMS芯片15布置在第二容 纳空间122中。在这种配置中，不可能用引线将ASIC45与第二MEMS芯 片15直接连接。因此，例如，优选的是，将从第二MEMS芯片15提取出 的引线连接到安装板11上的电极端子19d，将从ASIC45提取出的引线连接 到安装部11上的电极端子18d，并且电极端子18d和电极端子19d通过形成 在安装部11上的布线图案PW(用虚线表示)连接起来。ASIC45可以布置 在第二容纳空间122中。

将在图18中示出MEMS芯片和ASIC的另一种布置示例。图18是用来 示意根据实施例一的麦克风单元的第三改型例的另一种配置的图；图18还 是从上看去并入到麦克风单元中的安装部的示意性平面图。如图17那样， 图18中也示出了容纳空间121和122。第一MEMS芯片13和ASIC45布置 在第一容纳空间121中；第二MEMS芯片15布置在第二容纳空间122中。 由于在这配置中不可能通过引线将ASIC45与第二MEMS芯片15直接连接， 因而通过倒装芯片方式将第一MEMS芯片13、第二MEMS芯片15和ASIC 14全部安装在安装部11上。在芯片的背表面上设置有电极焊垫，在安装部 11的侧部设置有电极以面向芯片的电极焊垫，而且通过焊接等将二者结合起 来。在安装部11上，设置有用于为这些电极配装布线的布线图案PW(用虚 线表示)。

ASIC45包括用于向第一MEMS芯片13和第二MEMS芯片15施加偏 置电压的电荷泵电路451。该电荷泵电路451将电源电压VDD(例如，大约 是1.5到3伏)提高(例如，到大约6到10伏)，进而将该偏置电压施加到 第一MEMS芯片13和第二MEMS芯片15。该ASIC45包括用来检测第一 MEMS芯片13的电容变化的第一放大器电路452和用来检测第二MEMS芯 片15的电容变化的第二放大器电路453。由第一放大器电路452和第二放大 器电路453放大后的电信号独立地从ASIC45输出。

在第三改型例的麦克风单元1中，基于第一MEMS芯片13的电容变化 提取出电信号由第一放大器电路452放大并最终从第一输出电极焊垫20b输 出。基于第二MEMS芯片15的电容变化提取出电信号由第二放大器电路453 放大并最终从第二输出电极焊垫20c输出。

尽管这里将共同的偏置电压施加到了第一MEMS芯片13和第二MEMS 芯片15，然而本发明不是旨在限制于这种配置。例如，可以设置两个电荷泵 电路，并将偏置电压单独地施加到第一MEMS芯片13和第二MEMS芯片 15。在这种配置中，可以减少在第一MEMS芯片13和第二MEMS芯片15 之间出现串讲的可能性。

可以将两个放大器电路452和453的放大增益设定为彼此不同。这里， 优选的是使得第二放大器电路453的放大增益大于第一放大器电路452的放 大增益。

图19是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第四改型例的图。在第 四改型例的麦克风单元1中，如第三改型例中那样，也将ASIC的数量设定 为一个。然而，第四改型例与第三改型例的不同之处在于以下的方面。具体 而言，在第四改型例的麦克风单元1中，设置有用于输入来自外部(安装了 麦克风单元1的声音输入装置)的切换信号的切换电极焊垫20g(设置在壳 体10外部作为外部连接电极焊垫)。通过经由切换电极焊垫20g馈入的切 换信号，操作设置在ASIC45中的切换电路454。就此而言，第四改型例中 的麦克风单元1与第三改型例中的麦克风单元1是不同的。第四改型例与第 三改型例的不同之处还在于用于输出到外部的输出电极焊垫的数量是一个 (输出电极焊垫20f)。

如图19所示，切换电路454是对于将从第一放大器电路452输出的信 号和从第二放大器电路453输出的信号中的哪一个输出到外部进行切换的电 路。具体而言，在第四改型例的麦克风单元1中，仅仅从第一MEMS芯片 13提取出的信号和从第二MEMS芯片15提取出的信号中的任意一个被经由 输出电极焊垫20f输出到外部。在第四改型例中，在并入了麦克风单元1的 声音输入装置侧，没有必要进行关于使用两个输入声音信号中的哪一个的切 换操作。

在用切换信号进行的切换电路454的切换操作中，例如，优选的是使用 信号的H(高电平)和L(低电平)。尽管在第四改型例中将共同的偏置电 压施加到第一MEMS芯片13和第二MEMS芯片15，然而，本发明不限于 这种配置。也可以采用另一种配置。具体而言，例如，可以使用切换信号和 切换电路来进行关于将第一MEMS芯片13和第二MEMS芯片15中的哪一 个电连接到电荷泵电路451的切换。这样，可以减少在第一MEMS芯片13 和第二MEMS芯片15之间出现串讲的可能性。

图20是用来示意根据实施例一的麦克风单元的第五改型例的框图。在 第五改型例的麦克风单元1中，如在第四改型例中那样，并入了用于从外部 输入切换信号的切换电极焊垫20g以及设置在ASIC45中并且用经由切换电 极焊垫20g馈入的切换信号来进行切换操作的切换电路454。然而，第五改 型例与第四改型例的不同之处在于设置了两个用于输出到外部的输出电极 焊垫(第一输出电极焊垫20b和第二输出电极焊垫20c)。

切换电路454进行关于将第一放大器电路452输出的信号和第二放大器 电路453输出的信号从两个输出电极焊垫20b和20c中哪一个输出的切换。

具体而言，当通过从切换电极焊垫20e输入的切换信号将切换电路454 引入第一模式时，将对应于第一MEMS芯片13的信号从第一输出电极焊垫 20b输出，将对应于第二MEMS芯片15的信号从第二输出电极焊垫20c输 出。另一方面，当通过该切换信号将切换电路454引入第二模式时，将对应 于第二MEMS芯片15的信号从第一输出电极焊垫20b输出，将对应于第一 MEMS芯片13的信号从第二输出电极焊垫20c输出。

当麦克风单元和声音输入装置的制造方彼此不同时，认为存在以下类型 的制造方作为声音输入装置的制造方：

(A)希望将对应于第一MEMS芯片13的信号和对应于第二MEMS芯 片15的信号这两个信号均从麦克风单元输出的一类型制造方。

(B)希望通过切换信号的切换来将对应于第一MEMS芯片13信号和 对应于第二MEMS芯片15的信号中任意一个信号从麦克风单元输出的一类 型制造方。

就此而言，仅第五改型例的麦克风单元1便于满足如上所述(A)和(B) 两种类型制造方的需求。

将描述根据实施例一的麦克风单元的第六改型例。在第六改型例中，使 用密封电极焊垫20e作为例如GND电极焊垫或者用于输入电源电压(VDD) 的电源电极焊垫。存在以下示例作为具体示例：使用两个密封电极焊垫20e 作为GND电极焊垫；两个密封电极焊垫20e中的一个用作GND电极焊垫， 而另一个用作电源电极焊垫。

在这种配置中，可以减少形成在壳体10的外部表面(安装部11的下表 面11b)上的外部连接电极焊垫20的数量。当外部连接电极焊垫20的数量 减少时，由于能够增大设置在壳体10的外部表面上的多个电极焊垫中每一 个的尺寸，因而可以提高多个电极焊垫中每一个结合到声音输入装置(例如 移动电话)的安装表面的强度。在两个密封电极焊垫20e用作GND电极焊 垫的配置中，设置在音孔23和25周围的密封电极焊垫20e被连续地形成从 而到达到音孔23和25内部(在音孔23和25的内壁上进行通孔镀层)，因 而强化了GND，结果是还可以强化对于外部电磁场的抵抗力(以防止外部电 磁场噪声进入)。

第六改型例的配置与在第二改型例中描述的屏蔽罩44覆盖壳体10的配 置(参见图15)相比具有优势。具体而言，当壳体10较小时，难以获得卷 边区域44a。然而，由于在第六改型例中能够减少外部连接电极焊垫20的数 量，因而容易获得卷边区域44a。

2、实施例二的麦克风单元

现在将描述实施例二的麦克风单元。图21是示出根据实施例二的麦克 风单元的配置的示意性剖视图。图21的截取位置与图3相同。与实施例一 的麦克风单元1相同的部件用类似的符号来表示，然后将给出描述。

在实施例二的麦克风单元2中，如实施例一的麦克风单元1那样，第一 MEMS芯片13、第一ASIC14、第二MEMS芯片15和第二ASIC16容纳在 用安装部11和盖部12形成的壳体50中。由于MEMS芯片13和15和ASIC14 和16以及它们之间的位置关系与连接关系与实施例一的麦克风单元1相同， 因而将不再重复其描述。

如同实施例一的麦克风单元1中那样，例如通过接合多个平板来形成安 装部51。

在纵长方向上靠近安装部51的一个端部处(靠近图21的右边)，形成 有通孔61(形成为从平面图上看基本上具有矩形形状)，该通孔61穿过上 面安装有MEMS芯片13和15以及ASIC14和16的安装表面(上表面)51a 以及它的背表面(下表面)51b。由于通孔61是用来将声音输入到壳体10 中的音孔，因而在以下的描述中将其表述为第一音孔61。第一音孔61的形 状和形成第一音孔61的位置与根据实施例一的第二音孔25的相同。

在安装部51的安装表面51a的近似中心部(准确来讲，是在纵长方向 上从中心处稍微靠右)中，设置有开口部62，第二MEMS芯片15覆盖该开 口部62(从平面图上看基本上具有圆形形状)。在安装部51的安装表面51a 的背表面51b中，设置有开口部63(在下文中表述为第二音孔63)，该第 二开口部63形成第二音孔并且形成为从平面图上看基本上具有矩形形状。 在安装部51内，形成有使得开口部62与第二音孔63连通的中空空间64(从 平面图上看基本上具有字母T的形状)。开口部62、第二音孔63以及中空 空间64的形状分别与实施例一的麦克风单元1中的第二开口部22、第一音 孔23以及中空空间24相同。

在安装部51中，形成与根据实施例一的麦克风单元1的安装部11中相 同的布线和电极焊垫(包括密封电极焊垫20e)。

盖部52的外部形状形成为基本上具有长方体形状；将盖部52纵长方向 上(图21中的左/右方向)和宽度方向上(图21中的与平面正交的方向)的 长度调整为：使得当将盖部52覆盖安装部51以形成壳体50时，壳体50的 侧表面部基本上齐平。盖部52与根据实施例一的麦克风单元1的盖部12的 不同之处在于其中没有设置分割部，而且盖部52仅包括一个凹部。因此， 如图21所示，盖部52覆盖安装部51，因而获得了用来容纳两个MEMS芯 片13和15以及两个ASIC14和16的一个容纳空间521。

在如上所述配置的实施例二的麦克风单元2中，如图21所示，经由第 一音孔61输入的声波经由容纳空间521到达第一膜片134的一个表面(上 表面)，而且还到达第二膜片154的一个表面(上表面)。经由第二音孔63 输入的声波经由中空空间64和开口部62到达第二膜片154的另一个表面(下 表面)。

换句话说，在麦克风单元2中，用第一音孔61和容纳空间521形成了 第一声音通道71，该第一声音通道71将经由第一音孔61输入的声波传输到 第一膜片134的一个表面，并且还将该声波传输到第二膜片154的一个表面。 而且，用第二音孔63、中空空间64以及开口部62形成了第二声音通道72， 该第二声音通道72将经由第二音孔63输入的声波传输到第二膜片154的另 一个表面。防止声波经由第一膜片134的另一个表面从外部输入，因而形成 了没有声学泄漏的气密空间(背室)。

当在麦克风单元2外部产生声音时，经由第一音孔61输入的声波经由 第一声音通道71到达第一膜片134的上表面，并且第一膜片134振动。因 而，第一MEMS芯片13的电容产生变化。基于第一MEMS芯片13的电容 变化提取出的电信号受到由第一ASIC14(在图21中未示出，但是存在于关 于第一MEMS芯片13的图的平面背后)的放大器电路142进行的放大处理， 而且最终从第一输出电极焊垫20b输出。

而且，当在麦克风单元2外部产生声音时，经由第一音孔61输入的声 波经由第一声音通道71到达第二膜片154的上表面，而且经由第二音孔63 输入的声波经由第二声音通道72到达第二膜片154的下表面。因此，第二 膜片154由于施加到上表面的声压和施加到下表面的声压之间的差而振动。 因而，第二MEMS芯片15的电容产生变化。基于第二MEMS芯片15的电 容变化提取出的电信号受到由第二ASIC16的放大器电路162进行的放大处 理，并且最终从第二输出电极焊垫20c输出。

与实施例一的麦克风单元1那样，实施例二的麦克风单元2具有以下两 种功能：作为具有优秀远处噪声抑制功能的双向性差分麦克风的功能(通过 使用从第二MEMS芯片15提取出的信号获得)，以及作为能够接收远处声 音的全向性麦克风的功能(通过使用从第一MEMS芯片13提取出的信号获 得)。因此，通过本实施例的麦克风单元2，容易实现应用了该麦克风单元 1的声音输入装置的功能性。

由于实施例二的麦克风单元2具有如上所述的两种功能，因而为了获得 这两种功能，不需要如传统中需求的那样单独地安装具有不同功能的两个麦 克风。因此，当制造多功能声音输入装置时，可以减少所使用的构件数量， 并且减小(减小声音输入装置的尺寸增加)麦克风的安装面积。

实施例一的改型例1到6也可以应用于实施例二的麦克风单元2。

(应用了本发明的麦克风单元的声音输入装置)

现在将描述应用了本发明的麦克风单元的声音输入装置的配置示例。这 里，将以声音输入装置是移动电话的情况为例进行描述。而且，将以麦克风 单元是实施例一的麦克风单元1的情况为例进行描述。

图22是示出应用了实施例一的麦克风单元的移动电话实施例的示意性 配置的平面图。图23是沿着图22中位置B-B截取的示意性截面图。如图 22所示，在移动电话8的壳体81的下部侧设置有两个音孔811和812；用 户的声音经由这两个音孔811和812输入至布置在该壳体81内的麦克风单 元1中。

如图23所示，在移动电话8的壳体81中，并入了其上安装有麦克风单 元1的安装基板82。在安装基板82上，设置有多个电极焊垫，这些电极焊 垫电连接到并入于麦克风单元1中的多个外部连接电极焊垫20(包括密封电 极焊垫20e)。麦克风单元1通过例如用焊料被电连接到安装基板82而被固 定到安装基板82。因而，电源电压施加到麦克风单元1上，而且从麦克风单 元1输出的电信号被馈入到设置在安装基板82上的声音信号处理部(未示 出)。

在安装基板82中，在与设置在移动电话8的壳体81中的两个音孔811 和812相对应的位置处设置有通孔821和822。在移动电话8的壳体81和安 装基板82之间，布置有垫圈83从而维持气密性而不出现声学泄漏。在垫圈 83中，在与设置在移动电话8的壳体81中的两个音孔811和812相对应的 位置处设置有通孔831和832。

麦克风单元1布置为使得第一音孔23重叠在设置于安装基板82中的通 孔821上，且第二音孔25重叠在设置于安装基板82中的通孔822上。当将 麦克风单元1安装到安装基板82上时，布置在第一音孔23和第二音孔25 周围的密封电极焊垫20e通过焊料结合到安装基板82上。因此，在麦克风 单元1和安装基板82之间气密性得以维持而不出现声学泄漏。

由于如上所述配置了移动电话，因而在移动电话8的壳体81外部产生 的声音被经由移动电话8的音孔811输入，经由通孔831(设置在垫圈83中) 和通孔821(设置在安装基板82中)到达麦克风单元1的第一音孔23，并 且进一步穿过第一声音通道41而到达第一MEMS芯片13的第一膜片134 的一个表面(图23中的上表面)并且到达第二MEMS芯片15的一个表面 (图23中的上表面)。而且，在移动电话8的壳体81的外部产生的声音被 经由移动电话的音孔812输入，经由通孔832(设置在垫圈83中)和通孔 822(设置在安装基板82中)到达麦克风单元1的第二音孔25，并且进一步 穿过第二声音通道42而到达第二MEMS芯片15的第二膜片154的另一个 表面(图23中的下表面)。

在本实施例的移动电话8中，如图22所示，设置有模式切换按钮84， 该按钮切换近讲模式和免提模式(可以包括录像模式)。在设置在安装基板 82上的声音信号处理部(未示出)中，当用模式切换按钮84选择了近讲模 式时，进行使用从麦克风单元1输出的多个信号中与第二MEMS芯片15相 对应的信号的处理。当用模式切换按钮84选择了免提模式(或者录像模式) 时，进行使用从麦克风单元1输出的多个信号中与第一MEMS芯片13相对 应的信号的处理。这样，可以在每个模式下进行优选的信号处理。

顺便提及，本申请的申请人已经提交了一专利申请(JP-A-2009-293989)， 该专利申请公开了另一方案的麦克风单元，该麦克风单元能够例如在近讲模 式和免提模式之间切换。图24是安装了在先前申请中公开的麦克风单元的 移动电话的示意性剖视图。在先前申请中公开的麦克风单元X与本申请公开 的麦克风单元的不同之处在于：音孔(第一音孔X5和第二音孔X6)不是形 成在其上安装有MEMS芯片X3和X4等的安装部X1中，而是形成在覆盖 安装部X1的盖部X2中。

在先前申请中公开的麦克风单元X中，形成了第一声音通道P1，该第 一声音通道P1使用形成在盖部X2中的第一音孔X5和通过安装部X1的上 表面上的盖部X2的覆盖而形成的容纳空间X7，进而将经由第一音孔X5输 入的声波传输到第一膜片X31的一个表面(图24中的上表面)，并且还将 该声波传输到第二膜片X41的一个表面(图24中的上表面)。形成了第二 声音通道P2，该第二声音通道P2使用形成在盖部X2中的第二音孔X6、第 一开口部X11、中空空间X12以及形成在安装部X1中的第二开口部X13， 进而将经由第二音孔X6输入的声波传输到第二膜片X41的另一个表面(图 24中的下表面)。声波没有经由第一膜片X31的另一个表面(下表面)从 外部输入，形成了没有声学泄漏的气密空间(背室)。

如图24所示，在先前申请中公开的麦克风单元X安装在设置于移动电 话Y的壳体Y1内的安装基板Y2上。在安装基板Y2上，设置有多个电极焊 垫，这些电极焊垫电连接到并入到麦克风单元X中的多个外部连接电极焊垫 X8。该麦克风单元X例如用焊料电连接到安装基板Y2。因而，电源电压施 加到麦克风单元X上，并且从麦克风单元X输出的电信号被馈入到设置在 安装基板Y2上的声音信号处理部(未示出)。

该麦克风单元X布置为使得第一音孔X5重叠在形成于移动电话Y的壳 体Y1中的音孔Y11上，并且使得第二音孔X6重叠在形成于移动电话Y的 壳体Y1中的音孔Y12上。在移动电话Y的壳体Y1和麦克风单元Y之间布 置有垫圈G，从而维持气密性而不出现声学泄漏。在垫圈G中，形成有通孔 G1从而使得该通孔重叠在移动电话Y的壳体Y1的音孔Y11上，而且形成 有通孔G2从而使得该通孔重叠在移动电话Y的壳体Y1的音孔Y12上。

将描述本发明的麦克风单元1和2(在下文中表示为下孔品(lower-hole item))相对于如上讨论所配置的麦克风单元X(在下文中表示为上孔品 (upper-holeitem))的优点。

由于与上孔品相比，在下孔品中，移动电话的壳体与安装基板之间的间 隙d(参见图23和图24)能够变窄，因而可以容易地减小移动电话的厚度。 当在上孔品中将麦克风单元X连附到安装基板Y2以使得麦克风单元X向安 装基板Y2倾斜时，可以造成使用了垫圈G的不充分气密性。然而，在下孔 品中没有出现这一问题。

当在上孔品中将麦克风单元X安装到安装基板Y2上时，可能在安装基 板Y2平面内的方向上或者在安装基板Y2的厚度方向上产生装配误差 (assemblyerror)。考虑到平面内方向上这种误差的出现，例如，不利的是 需要增大上孔品中设置在垫圈G中的通孔G1和G2的开口面积。当垫圈G 中的通孔G1和G2的开口面积过度增大时，垫圈G和麦克风单元X之间不 能获得充分的接触面积，因而可能导致气密性不充分。由于如上所述当在厚 度方向上产生误差时可能导致气密性不充分，因而需要进行设计以使得垫圈 G的厚度增大。在下孔品中，可以不需要对于如上所述的麦克风单元1和2 的装配误差进行任何考虑而设计垫圈83，因而增强了垫圈83的设计灵活性。

此外，在上孔品中，当将它并入到移动电话Y中时，用具有弹性的垫圈 G来挤压麦克风单元X。因此，向MEMS芯片X3和X4施加了应力，因而 存在MEMS芯片X3和X4的灵敏度变化的可能性。另一方面，由于在下孔 品中在垫圈83和麦克风单元1和2之间存在具有高度刚性的安装基板82， 因而如上所述的应力不可能施加到MEMS芯片13和15。

(其他)

如上所述的根据实施例的麦克风单元1和2以及声音输入装置8是本发 明的简单示例；本发明的范围不限于如上所述的实施例。换句话说，在不脱 离本发明精神的范围内，可以对如上所述的实施例进行各种改型。

例如，尽管在如上所述的实施例中ASIC14和16(电路部)包括在麦克 风单元1和2中，然而该电路部也可以布置在麦克风单元外部。尽管在如上 所述的实施例中MEMS芯片13和15与ASIC14和16形成为单独的芯片， 然而也可以在MEMS芯片13和15的硅基板上以单片方式形成ASIC14和 16的集成电路。

在如上所述的实施例中，还使用第一音孔23和第二音孔25周围的声学 密封部来作为电极焊垫，并且描述了通过焊料结合来实现。在声学密封部的 另一个配置示例中，可以将热塑粘附条粘附到第一音孔23和第二音孔25的 周边从在焊料回流的时候进行密封结合。

尽管在如上所述的实施例中本发明的第一振动部和第二振动部是通过 利用半导体制造技术形成的MEMS芯片13和15，然而本发明并不是旨在限 制于这种配置。例如，第一振动部和/或第二振动部可以是使用驻极体膜 (electretfilm)等的电容器麦克风。

在如上所述的实施例中，作为本发明的第一振动部和第二振动部，采用 了所谓的电容器麦克风。然而，本发明还能够应用于采用了除了电容器麦克 风之外的麦克风的麦克风单元中。例如，本发明还能够应用于采用了电动型 (动电型)、电磁型(磁性)、压电型等类型的麦克风的麦克风单元中。

作为如上所述的根据本实施例的麦克风单元1所安装的声音输入装置 (移动电话8)的改型例，与第一MEMS芯片13相对应的信号和与第二 MEMS芯片15相对应的芯片可以在声音信号处理部85中进行相加、相减或 滤波处理(参见图25)。

进行了这种类型的处理，因而可以控制声音输入装置(例如，移动电话) 的方向性特性，并且接收指定区域的声音。例如，可以实现任意方向性特性， 例如全向性、超心形(hypercardioid)、超级心形(supercardioid)或者单 向性。

尽管这里通过声音输入装置进行用于控制方向性特性的处理，然而也可 以将麦克风单元的ASIC形成为一个芯片，并且可以提供能够进行用来在 ASIC上控制方向行特性的处理的处理部。

麦克风单元的形状不是旨在限制于本实施例的形状，该形状的各种改型 自然也是可行的。

工业应用性

本发明的麦克风单元能够适当地用于例如移动电话。

附图标记说明

1、2麦克风单元

8移动电话(声音输入装置)

10、50壳体

11、51安装部

11a、51a安装表面

11b、51b安装表面的背表面

12、52盖部

13第一MEMS芯片(第一振动部)

14第一ASIC(第一电路部)

15第二MEMS芯片(第二振动部)

16第二ASIC(第二电路部)

18a到18c、19a到19c电极端子(位于安装表面上的电极)

20外部连接电极焊垫(背表面电极焊垫)

20e密封电极焊垫(密封部)

21第一开口部

22第二开口部

23、61第一音孔

24、64中空空间

25、63第二音孔

41、71第一声音通道

42、72第二声音通道

45ASIC(电路部)

65开口部

82安装基板

121第一容纳空间

122第二容纳空间

134第一膜片

154第二膜片

521容纳空间