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一种高灵敏度单芯片推挽式TMR磁场传感器

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本发明涉及一种高灵敏度单芯片推挽式TMR磁场传感器，包括衬底、位于衬底上的形成叉指结构的两个梳状软磁通量集中器，两个梳状软磁通量集中器分别包括N和N-1个矩形梳齿，N为大于1的整数，及各自对应的梳座，一个梳状软磁通量集中器的梳齿与另一个梳状软磁通量集中器的梳座沿X方向形成gap间隙，相邻梳齿沿+Y方向形成标号为2m-1的奇space间隙和2m的偶space间隙，m为整数且0

著录项

公开/公告号CN105259518A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-20

原文格式PDF
申请/专利权人江苏多维科技有限公司;
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申请/专利号CN201510736394.1
发明设计人詹姆斯·G·迪克;周志敏;
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申请日2015-11-03
分类号G01R33/04;
代理机构广州三环专利代理有限公司;
代理人郝传鑫
地址 215634 江苏省苏州市张家港保税区广东路7号
入库时间 2023-12-18 13:47:49

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-15

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R33/04 申请公布日:20160120 申请日:20151103

发明专利申请公布后的驳回
2016-02-17

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R33/04 申请日:20151103

实质审查的生效
2016-01-20

公开

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