首页> 中国专利> 一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案

一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案

摘要

本发明公开了一种解决供电电压变化导致芯片和MOS损坏的设计方案,当芯片的VCC电压达到5V之后,就会驱动电压控制芯片开始工作,电压控制芯片通过发出MOS开关信号来实现上下MOS分别打开和关闭,通过电感的作用来输出稳定电压,其特征在于:在电压控制芯片的VCC管脚处,添加一颗电阻和一颗电容,其中电阻串联于VCC电压输入端和电压控制芯片的VCC管脚之间,电容连接于GND和电压控制芯片的VCC管脚之间。

著录项

  • 公开/公告号CN105242765A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浪潮电子信息产业股份有限公司;

    申请/专利号CN201510691398.2

  • 发明设计人 张锋;曹先帅;

    申请日2015-10-23

  • 分类号G06F1/26;

  • 代理机构济南信达专利事务所有限公司;

  • 代理人张靖

  • 地址 250101 山东省济南市高新区浪潮路1036号

  • 入库时间 2023-12-18 13:28:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-02

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F1/26 申请公布日:20160113 申请日:20151023

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-02-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F1/26 申请日:20151023

    实质审查的生效

  • 2016-01-13

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号