层叠陶瓷电容器的方向识别方法、层叠陶瓷电容器的方向识别装置及层叠陶瓷电容器的制造方法

摘要

层叠陶瓷电容器的方向识别方法包括：将多个层叠陶瓷电容器(1)在磁发生装置(31)及磁通密度测量仪(32)各自的前面排列成一列地传送的工序；在多个层叠陶瓷电容器(1)分别通过磁通密度测量仪(32)的前面时，利用磁通密度测量仪(32)来测量磁通密度的工序；以及基于在测量上述磁通密度的工序中所测量得到的磁通密度来识别层叠陶瓷电容器(1)的层叠方向的工序。

说明书

技术领域

本发明涉及层叠陶瓷电容器的方向识别方法、层叠陶瓷电容器的方向 识别装置及层叠陶瓷电容器的制造方法

背景技术

层叠陶瓷电容器具有沿着一个方向层叠的多个内部电极。因此，对于 层叠陶瓷电容器，存在要识别内部电极的层叠方向的需求。然而，例如， 在层叠陶瓷电容器为正四棱柱状的情况下，难以通过外观来识别层叠陶瓷 电容器中的内部电极的层叠方向。

例如，在日本专利特开平7-115033号公报(专利文献1)中记载了一种能 不依靠外观来识别层叠陶瓷电容器中的内部电极的层叠方向的方法。具体 而言，在专利文献1中公开了如下一种方法，即，对未引出有内部电极层的 一个面施加一定的磁场，并测量层叠陶瓷电容器的磁通密度，通过磁化强 度来识别内部电极层的方向。该方法是利用以下原理的方法，即，在将电 容器配置在内部电极与磁通大致平行(作为电容器，内部电极相对于底面为 垂直方向)的方向的状态、以及将电容器配置在与磁通大致垂直(作为电容 器，内部电极相对于底面为水平方向)的方向的状态下测量得到的磁通密度 互不相同。

然而，在内部电极的层叠方向与磁通的方向为平行的情况、以及内部 电极的层叠方向与磁通的方向为垂直的情况下测量得到的磁通密度的差非 常小。此外，测量得到的磁通密度受磁体、传感器探针及电容器各自的位 置关系的影响较大。尤其是，对于小型的层叠陶瓷电容器，磁体、传感器 探针及电容器各自的位置关系对测量得到的磁通密度所产生的影响极大。

这样，在层叠方向不同的情况下测量得到的磁通密度的差较小，且测 量得到的磁通密度因测量时电容器的位置而产生较大的差异，因此，在专 利文献1记载的方法中，难以准确地识别层叠陶瓷电容器的层叠方向。

对该问题进行更具体的说明。例如，设想以下的情况：对于长度尺寸 为1mm、宽度尺寸为0.5mm、高度尺寸为0.5mm、静电电容为4.7μF的层叠 陶瓷电容器，在某一测定条件下测量了磁通密度。该层叠陶瓷电容器的、 内部电极的层叠方向与磁通的方向平行时的最大磁通密度约为53.6mT。另 一方面，该层叠陶瓷电容器的、内部电极的层叠方向与磁通的方向垂直时 的最大磁通密度约为52.3mT。因此，对于该层叠陶瓷电容器，内部电极的 层叠方向与磁通的方向平行时和垂直时，磁通密度的最大值仅相差1.3mT。 因此，在内部电极的层叠方向与磁通的方向平行和垂直时两者之间的磁通 密度的最大值之差，相对于内部电极的层叠方向与磁通的方向平行时的磁 通密度的最大值仅为2.4％。

此外，在层叠陶瓷电容器的测量位置偏离层叠陶瓷电容器的中心位置 0.3mm时的、内部电极的层叠方向与磁通的方向平行时的层叠陶瓷电容器的 磁通密度约为52.3mT，与内部电极的层叠方向与磁通的方向垂直时的层叠 陶瓷电容器的磁通密度的最大值(在测定位置为层叠陶瓷电容器的中心位 置的情况下)大致相等。由此，在层叠陶瓷电容器的测量位置有可能发生 0.3mm以上的变化的情况下，难以进行层叠陶瓷电容器的方向识别。层叠陶 瓷电容器越是小型化，例如，各个尺寸越是小于长度尺寸为1mm、宽度尺 寸为0.5mm、高度尺寸为0.5mm的情况，就越难将测量位置确定在中心位置， 因此，该问题尤为显著。

此外，在专利文献1记载的方法中，需要将磁发生装置和磁传感器配置 成隔着电容器相对。因此，在专利文献1记载的方法中，磁发生装置和磁传 感器在配置上存在限制。因此，专利文献1记载的电容器的方向识别装置存 在装置的设计自由度较低这样的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种能准确地识别层叠陶瓷电容器的方向 的方法。

基于本发明的层叠陶瓷电容器的方向识别方法是对具备层叠的多个内 部电极的层叠陶瓷电容器的层叠方向进行识别的方法。层叠陶瓷电容器的 方向识别方法包括：将多个层叠陶瓷电容器在磁发生装置及磁通密度测量 仪各自的前面排列成一列地传送的工序；在多个层叠陶瓷电容器分别通过 磁通密度测量仪的前面时，利用磁通密度测量仪来测量磁通密度的工序； 以及基于在测量上述磁通密度的工序中所测量得到的磁通密度来识别上述 层叠方向的工序。

在本发明的一个实施方式中，在识别上述层叠方向的工序中，基于在 测量上述磁通密度的工序中测量得到的磁通密度来计算出磁通密度的积分 值，并基于该磁通密度的积分值来识别上述层叠方向。

在本发明的一个实施方式中，磁发生装置与磁通密度测量仪彼此相对。 在测量上述磁通密度的工序中，在多个层叠陶瓷电容器分别通过磁发生装 置与磁通密度测量仪之间时，利用磁通密度测量仪来测量从磁发生装置产 生的磁通的密度。

在本发明的一个实施方式中，磁发生装置配置在相比磁通密度测量仪 要更靠近多个层叠陶瓷电容器的传送方向的上游侧。在测量上述磁通密度 的工序之前，还具备使多个层叠陶瓷电容器分别磁化的工序。

在本发明的一个实施方式中，在传送上述所述多个层叠陶瓷电容器的 工序中，传送多个层叠陶瓷电容器以使多个层叠陶瓷电容器通过直线传送 路径。在测量上述磁通密度的工序中，在多个层叠陶瓷电容器通过直线传 送路径并通过磁通密度测量仪的前面时，利用磁通密度测量仪来测量磁通 密度。

在本发明的一个实施方式中，在传送上述多个层叠陶瓷电容器的工序 中，将多个层叠陶瓷电容器以分别收纳在沿着圆形的转子的外周设置的多 个收纳部中的状态进行传送。在测量上述磁通密度的工序中，在多个层叠 陶瓷电容器以分别收纳在多个收纳部中的状态通过磁通密度测量仪的前面 时，利用磁通密度测量仪来测量磁通密度。

在本发明的一个实施方式中，在传送上述多个层叠陶瓷电容器的工序 中，将多个层叠陶瓷电容器以分别收纳在设置在包装体上的多个空腔中的 状态进行传送。在测量上述磁通密度的工序中，在多个层叠陶瓷电容器以 分别收纳在多个空腔中的状态通过磁通密度测量仪的前面时，利用磁通密 度测量仪来测量磁通密度。

基于本发明的层叠陶瓷电容器带的制造方法包括：利用上述任一项所 述的层叠陶瓷电容器的方向识别方法来识别上述层叠方向的工序；以及将 上述层叠方向相一致的多个层叠陶瓷电容器分别收纳到设置在包装体上的 多个空腔中的工序。

基于本发明的层叠陶瓷电容器的方向识别装置是对具备层叠的多个内 部电极的层叠陶瓷电容器的层叠方向进行识别的方向识别装置。层叠陶瓷 电容器的方向识别装置包括：磁发生装置；磁通密度测量仪；传送装置， 该传送装置将多个层叠陶瓷电容器在磁发生装置及磁通密度测量仪各自的 前面排列成一列地传送；以及方向识别部，该方向识别部与磁通密度测量 仪相连接，并基于利用磁通密度测量仪测量得到的磁通密度来识别上述层 叠方向。

在本发明的一个实施方式中，方向识别部基于利用磁通密度测量仪测 量得到的磁通密度来计算出磁通密度的积分值，并基于该磁通密度的积分 值来识别上述层叠方向。

在本发明的一个实施方式中，磁发生装置与磁通密度测量仪彼此相对。 在由传送装置传送的多个层叠陶瓷电容器分别通过磁发生装置与磁通密度 测量仪之间时，磁通密度测量仪测量从磁发生装置产生的磁通的密度。

在本发明的一个实施方式中，磁发生装置配置在相比磁通密度测量仪 要更靠近多个层叠陶瓷电容器的传送方向的上游侧。在磁通密度测量仪测 量磁通密度之前，磁发生装置分别使多个层叠陶瓷电容器磁化。

在本发明的一个实施方式中，传送装置包含将层叠陶瓷电容器直线传 送的直线传送路径。磁通密度测量仪设于直线传送路径。

在本发明的一个实施方式中，传送装置包含将层叠陶瓷电容器沿着圆 弧传送的圆形的转子。转子包含沿着转子的外周设置的、一个一个地收纳 多个层叠陶瓷电容器的多个收纳部。磁通密度测量仪设于转子。

在本发明的一个实施方式中，传送装置传送包装体，该包装体包含一 个一个地收纳多个层叠陶瓷电容器的多个空腔。包装体通过磁通密度测量 仪的前面。

在本发明的一个实施方式中，转子以一定间隔重复旋转运动和停止。 多个收纳部在转子旋转运动时分别通过磁通密度测量仪的前面，并在不与 磁通密度测量仪重合的位置停止。

根据本发明，能提供一种能准确地识别层叠陶瓷电容器的方向的方法。

本发明的这些及其它目的、特征、形态及优点将会通过下面结合附图 能很好理解的有关本发明的的详细的说明而得以清晰。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的示意侧 视图。

图2是本发明的实施方式1的层叠陶瓷电容器带的简要剖视图。

图3是本发明的实施方式1的层叠陶瓷电容器带的简要俯视图。

图4是本发明的实施方式1的层叠陶瓷电容器的简要立体图。

图5是图4的线V-V处的简要剖视图。

图6是在磁发生装置与磁通密度测量仪之间不存在层叠陶瓷电容器时 的磁力线的示意图。

图7是层叠陶瓷电容器位于磁发生装置与磁通密度测量仪之间以使内 部电极相对于磁通的方向垂直(作为电容器，内部电极相对于底面为水平方 向)时的磁力线的示意图。

图8是层叠陶瓷电容器位于磁方式装置与磁通密度测量仪之间以使内 部电极相对于磁通的方向水平(作为电容器，内部电极相对于底面为垂直方 向)时的磁力线的示意图。

图9是表示水平品及垂直品的磁通密度的示意曲线图。

图10是表示水平品及垂直品的磁通密度的积分值的示意曲线图。

图11是表示实施方式2的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的主要部分 的示意侧视图。

图12是表示实施方式3的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的主要部分 的示意侧视图。

图13是表示实施方式4的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的示意侧视 图。

图14是表示实施方式5的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的示意侧视 图。

图15是实验例1的磁通密度的最大值的直方图。

图16是实验例1的磁通密度的积分值的直方图。

图17是实施方式6的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的示意俯视图。

图18是图17的方向识别装置的主要部分的剖视图。

图19是本发明的实施方式7的层叠陶瓷电容器带的制造装置的示意俯 视图。

图20是本发明的实施方式7的层叠陶瓷电容器带的简要剖视图。

图21是表示内部电极相对于磁通密度测量仪平行时的层叠陶瓷电容器 的磁通线的示意图。

图22是表示内部电极相对于磁通密度测量仪垂直时的层叠陶瓷电容器 的磁通线的示意图。

图23是表示实施方式8的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的主要部分 的示意俯视图。

图24是表示实施方式9的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的主要部分 的示意俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。不过，下面叙述的 实施方式仅是例示。本发明并不限于下面叙述的实施方式。

此外，对于实施方式等中所参照的各附图，利用相同的标号来参照实 质上具有相同功能的构件。此外，在实施方式等中所参照的附图是示意性 记载的图。有时在附图中所绘制的物体的尺寸的比例等与现实的物体的尺 寸的比例等不同。附图彼此之间也存在物体的尺寸比例等互不相同的情况。 具体的物体的尺寸比例等应该参考下面的说明来判断。

(实施方式1)

在本实施方式中，对图4及图5所示的层叠陶瓷电容器1的方向识别方法 进行说明。首先，对于成为识别对象的层叠陶瓷电容器1的结构进行说明。

(层叠陶瓷电容器1的结构)

如图4及图5所示，层叠陶瓷电容器1具备陶瓷坯体10。陶瓷坯体10呈近 似长方体状。具体而言，陶瓷坯体10呈正四棱柱状。陶瓷坯体10具有第1及 第2主面10a、10b、第1及第2侧面10c、10d、第1及第2端面10e、10f(参照图 5)。第1及第2主面10a、10b分别沿着长度方向L及宽度方向W延伸。第1主 面10a与第2主面10b彼此平行。第1及第2侧面10c、10d分别沿着长度方向L 及厚度方向T延伸。第1侧面10c与第2侧面10d彼此平行。第1及第2端面10e、 10f分别沿着宽度方向W及厚度方向T延伸。第1端面10e与第2端面10f彼此平 行。

陶瓷坯体10的沿着长度方向L的尺寸优选为0.4mm以上2.0mm以下，更 优选为0.6mm以上1.0mm以下。陶瓷坯体10的沿着宽度方向W的尺寸优选为 0.2mm以上1.2mm以下，更优选为0.3mm以上0.5mm以下。陶瓷坯体10的沿 着厚度方向T的尺寸优选为0.2mm以上1.2mm以下，更优选为0.3mm以上 0.5mm以下。优选为沿着长度方向L的尺寸为1.0mm以下、沿着宽度方向W 及厚度方向T的尺寸为0.5mm以下的理由在于，在这样的尺寸以下的小型品 的情况下，磁通密度的测定位置特别容易从层叠陶瓷电容器的中心位置发 生变化。此外，优选为沿着长度方向L的尺寸为0.6mm以上、沿着宽度方向 W的尺寸及沿着厚度方向T的尺寸分别为0.3mm以上的理由在于，内部电极 的密度越高，利用磁通密度的方向识别就越容易。同样的理由，本发明适 合于静电电容为1μF以上的层叠陶瓷电容器。

陶瓷坯体10例如能由以电介质陶瓷为主要成分的材料来构成。作为电 介质陶瓷的具体示例，例如，可以列举BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃、或CaZrO₃ 等。对陶瓷坯体10例如也可以适当添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、 Co化合物、Ni化合物、及稀土类化合物等至少一种副成分。

另外，“近似长方体”包含对角部或棱线部进行了倒角的长方体、以 及对角部或棱线部进行了倒圆角的长方体。

如图5所示，在陶瓷坯体10的内部设有多个内部电极11、12。多个内部 电极11和12沿着厚度方向T层叠。各内部电极11、12与长度方向L及宽度方 向W平行地设置。在陶瓷坯体10的内部，沿着厚度方向T交替地设有内部电 极11和内部电极12。在厚度方向T上相邻的内部电极11和内部电极12之间配 置有陶瓷部15。即，在厚度方向T上相邻的内部电极11与内部电极12隔着陶 瓷部15相对。

内部电极11引出到第1端面10e。在第1端面10e上设有外部电极13。外 部电极13与内部电极11电连接。内部电极12引出到第2端面10f。在第2端面 10f上设有外部电极14。外部电极14与内部电极12电连接。内部电极11、12 能由Ni等磁性材料构成。外部电极13、14例如能由Ni、Cu、Ag、Pd、Au、 或Ag-Pd合金等适当的导电材料构成。

如图2及图3所示，层叠陶瓷电容器1构成层叠陶瓷电容器带2。层叠陶 瓷电容器带2具有编带20。编带20具有沿着长边方向空开间隔地设置的长方 体状的多个收纳室21。层叠陶瓷电容器1分别收纳在多个收纳室21中。俯视 时，收纳室21大于层叠陶瓷电容器1。因此，在收纳室21内，层叠陶瓷电容 器1能在面方向上位移。如果收纳室21内的层叠陶瓷电容器1的位置在每个 收纳室21发生变化，则在测量磁通密度时相对于层叠陶瓷电容器的中心位 置的变化量也在每个收纳室21发生变化。

另外，层叠陶瓷电容器1除了图4所示那样的二端子型的层叠陶瓷电容 器以外，也可以是具备侧面电极的三端子至多端子型的层叠陶瓷电容器。

(层叠陶瓷电容器的方向识别装置3的结构)

层叠陶瓷电容器的方向识别装置3是用于识别层叠陶瓷电容器1中的多 个内部电极11、12的层叠方向的装置。以下，在本说明书中，将“层叠陶 瓷电容器1中的多个内部电极11、12的层叠方向”记载为“层叠陶瓷电容器 1的层叠方向”，或者简洁地记载为“层叠方向”。

如图1所示，方向识别装置3具备磁发生装置31和磁通密度测量仪32。 磁通密度测量仪32配置成能检测出磁发生装置31中产生的磁通的密度。磁 通密度测量仪32测量从磁发生装置31产生的磁通的密度。详细而言，磁通 密度测量仪32以10kHz以上100kHz以下程度的间隔连续地测定磁通密度。

方向识别装置3还具备传送装置35。传送装置35使层叠陶瓷电容器1通 过磁发生装置31和磁通密度测量仪32之间。具体而言，传送装置35具有第1 辊33和第2辊34。在第1辊33上卷绕有层叠陶瓷电容器带2，层叠陶瓷电容器 带2从该第1辊33送出。通过了磁发生装置31和磁通密度测量仪32之间的层 叠陶瓷电容器带2被第2辊34卷绕。

磁通密度测量仪32至少在层叠陶瓷电容器1通过磁通密度测量仪32的 前面时测量磁通密度。磁通密度测量仪32将测量结果输出到方向识别部36。 方向识别部36基于从磁通密度测量仪32输出的磁通密度的测量结果来识别 层叠陶瓷电容器1的层叠方向。方向识别部36对层叠陶瓷电容器带2中相互 空开间隔配置成一列的多个层叠陶瓷电容器1依次进行该层叠方向的识别。

在制造层叠陶瓷电容器带2时，首先，制作层叠陶瓷电容器1。接下来， 将所制成的层叠陶瓷电容器1收纳到编带20内，从而制成层叠陶瓷电容器带 2。接下来，识别收纳在层叠陶瓷电容器带2中的层叠陶瓷电容器1的层叠方 向。其结果是，例如，确认层叠陶瓷电容器1的对齐率，或者在检测到不希 望的层叠方向的层叠陶瓷电容器1的情况下，对该层叠陶瓷电容器1附加标 记，或者将该层叠陶瓷电容器1除去。

(方向识别方法)

接下来，对方向识别部36所进行的层叠陶瓷电容器1的方向识别方法进 行说明。另外，在下面的说明中，将层叠方向与磁通的方向垂直的层叠陶 瓷电容器1设为“水平品”(由于作为层叠陶瓷电容器，其内部电极相对于 收纳室21的底面为水平方向)，将层叠方向与磁通的方向平行的层叠陶瓷电 容器1设为“垂直品”(由于作为层叠陶瓷电容器，其内部电极相对于收纳 室21的底面为垂直方向)。

首先，参照图6～图8对本实施方式的方向识别方法的原理进行说明。 例如，如图6所示，在层叠陶瓷电容器1不处于磁发生装置31和磁通密度测 量仪32之间的状态时，通过磁通密度测量仪32的磁力线Lm的间隔最宽，换 言之，单位面积的磁力线Lm的根数减少，磁通密度成为较低的值。

如图7及图8所示，在层叠陶瓷电容器1位于磁发生装置31和磁通密度测 量仪32之间时，与层叠陶瓷电容器1不在其之间时相比，通过磁通密度测量 仪32的磁力线Lm的间隔变窄。在层叠陶瓷电容器1位于磁发生装置31和磁 通密度测量仪32之间时，与层叠陶瓷电容器1不在其之间时相比，单位面积 的磁力线Lm的根数增加。图8所示的层叠方向与磁通的方向平行(作为电容 器，其内部电极相对于底面为垂直方向)时，与图7所示的层叠方向与磁通 的方向垂直(作为电容器，其内部电极相对于底面为水平方向)时相比，通过 磁通密度测量仪32的磁力线Lm的间隔更窄。图8所示的层叠方向与磁通的 方向平行时，单位面积的磁力线Lm的根数更多。

因此，如图9所示，在层叠方向与磁通的方向平行时，与层叠方向与磁 通的方向垂直时相比，测量得到的磁通密度更高。此外，如图10所示，在 层叠方向与磁通的方向平行时，与层叠方向与磁通的方向垂直时相比，测 量得到的磁通密度的积分值更高。

因此，例如，基于测量得到的磁通密度的最大值，能识别层叠陶瓷电 容器1的层叠方向。例如，基于测量得到的磁通密度的积分值，能识别层叠 陶瓷电容器1的层叠方向。

出于更准确地识别层叠陶瓷触发器1的层叠方向的观点，优选为基于测 量得到的磁通密度的积分值来识别层叠方向。与水平品的最大磁通密度D1 与垂直品的最大磁通密度D2之差△d1(D2-D1)(参照图9)相比，水平品的磁 通密度的积分值D3与垂直品的磁通密度的积分值D4之差△d2(D4-D3)(参照 图10)更大。因此，与基于△d1来识别层叠陶瓷电容器1的方向的方法相比， 基于△d2来识别层叠陶瓷电容器1的方向的方法更能提高识别精度。例如， 即使在因检测层叠陶瓷电容器1时的位置发生偏差而使磁通密度的最大值 产生偏差的情况下，也能通过使用磁通密度的积分值来准确地识别层叠陶 瓷电容器1的层叠方向。

此外，在使用磁通密度的积分值来识别层叠陶瓷电容器1的层叠方向 时，无需检测磁通密度的最大值。因此，能扩大磁发生装置31与磁通密度 测量仪32之间的距离。因此，能抑制在测量层叠陶瓷电容器1的磁通密度时 层叠陶瓷电容器1的位置偏差所伴随的方向识别精度的下降。

尤其是，在内部电极11、12的层叠片数较少的情况下，△d1容易变小， △d2与△d1之差(△d2-△d1)容易变大。因此，在内部电极11、12的层叠片 数较少的情况下，与使用磁通密度的最大值的方法相比，优选为使用磁通 密度的积分值来识别层叠方向。具体而言，使用磁通密度的积分值来识别 层叠方向的方法更适合于内部电极11、12的层叠片数为100片以下的层叠陶 瓷电容器1。

以下，对本发明的优选实施方式的另一示例进行说明。在下面的说明 中，利用共用的标号来参照实质上具有共用的功能的构件，不重复说明。

(实施方式2)

在实施方式1中，对相对于收纳在层叠陶瓷电容器带2中的层叠陶瓷电 容器1进行磁通密度测量的工序的示例进行了说明。不过，本发明并不限于 此。

例如，也可以如图11所示，一边利用传送装置41将未被收纳在编带中 的层叠陶瓷电容器1在磁发生装置31与磁通密度测量仪32之间传送一边识 别其层叠方向。使层叠陶瓷电容器1通过磁发生装置31和磁通密度测量仪32 之间，然后，既可以旋转层叠陶瓷电容器1使层叠方向对齐，也可以将不希 望的层叠方向的层叠陶瓷电容器1除去。

(实施方式3)

图12是表示实施方式3的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的主要部分 的示意侧视图。在本实施方式中，在传送路径42设有磁发生装置31和磁通 密度测量仪32。利用直线送料器等送料器将多个层叠陶瓷电容器1排成一列 (沿着一个方向)地提供给传送路径42。利用从吹风孔43喷出的气体将层叠方 向判断为不合适的层叠陶瓷电容器1从传送路径42吹到传送路径44。将吹走 的层叠陶瓷电容器1经由传送路径44进行回收或废弃。

对于在传送路径42上传送的层叠陶瓷电容器1，例如可以利用编带收纳 机收纳到编带中，例如可以利用安装机安装到安装基板等上。

(实施方式4)

图13是表示实施方式4的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的示意侧视 图。实施方式4的方向识别装置构成编带端子元器件带的制造装置的一部 分。

在本实施方式中，在编带电子元器件带的制造装置中设有球状送料器 50。在球状送料器50中收纳有多个层叠陶瓷电容器1。球状送料器50通过振 动将电子元器件依次提供给直线送料器51。

直线送料器51对通过振动所提供的层叠陶瓷电容器1进行传送。直线送 料器51将层叠陶瓷电容器1提供给传送装置52。传送装置52将层叠陶瓷电容 器1传送到载带53。传送装置52具有以中心轴C为中心进行旋转的圆板状的 传送盘54。

具体而言，在本实施方式中，作为圆形送料器的传送盘54以中心轴C 为中心顺时针旋转。传送盘54具备多个凹部(收纳部)54a。多个凹部54a设置 成沿着圆形的转子的外周相互空开间隔地排列成一列。在位置P1，层叠陶 瓷电容器1从直线送料器51送入传送盘54的凹部54a中。通过传送盘54的旋 转，将在位置P1送入凹部54a的层叠陶瓷电容器1以中心轴C为中心沿着周向 传送。

将层叠陶瓷电容器1传送到位置P3。在位置P3，将层叠陶瓷电容器1从 传送盘54收容到载带53的收纳室53a中。在传送路径上的位于位置P1与位置 P3之间的位置P2设有方向识别装置55。方向识别装置55具备磁发生装置31 和磁通密度测量仪32。

在该方向识别装置55识别层叠陶瓷电容器1的层叠方向。使层叠陶瓷电 容器1通过磁发生装置31和磁通密度测量仪32之间，然后，既可以旋转层叠 陶瓷电容器1使层叠方向对齐，也可以将不希望的层叠方向的层叠陶瓷电容 器1除去。在本实施方式中也能在将层叠陶瓷电容器1收纳到编带中之前识 别层叠陶瓷电容器1的层叠方向。

(实施方式5)

图14是表示实施方式5的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的示意侧视 图。图14所示的方向识别装置例如也可以包括隔着用于安装到安装基板61 上的插装机70配置的磁发生装置31和磁通密度测量仪32。在此情况下，能 在安装之前判断层叠陶瓷电容器1的层叠方向。另外，插装机70例如也可以 具备吸嘴。

(实验例1)

准备了150个具有下述设计参数的层叠电容器。然后，在设为水平品的 状态下，测定了磁通密度的最大值，然后，在设为垂直品之后，测定了磁 通密度的最大值。图15示出了其结果。在设为水平品的状态下，测量了磁 通密度的积分值，然后，在设为垂直品之后，测定了磁通密度的积分值。 图16示出了其结果。另外，在图15及图16中，纵轴分别表示频度，横轴分 别表示磁通密度。

从图15所示的结果可知，在测量磁通密度的最大值时，有时不易产生 水平品与垂直品的磁通密度的差异。另一方面，可知在测量磁通密度的积 分值时，容易产生水平品与垂直品的磁通密度的差异。从该结果可知，使 用磁通密度的积分值能准确地识别层叠陶瓷电容器的方向。

在本实验例中，将层叠陶瓷电容器的大小设为1mm×0.5mm×0.5mm， 将内部电极设为以镍为主要成分的电极，将内部电极的层叠片数设为40片， 将层叠陶瓷电容器的静电电容设为0.1μF。

(实施方式6)

图17是表示实施方式6的层叠陶瓷电容器1的方向识别装置的示意俯视 图。

如图17所示，直线送料器51将层叠陶瓷电容器1提供给旋转式的传送装 置52。传送装置52将层叠陶瓷电容器1传送到载带53。传送装置52包括以中 心轴C为中心进行旋转的圆板状的传送盘54、以及配置传送盘54的传送台 71(参照图18)。如图17所示，在直线送料器51上设有产生磁性的磁发生装置 60，使层叠陶瓷电容器1通过该磁发生装置60的前面，从而使层叠陶瓷电容 器1磁化。磁发生装置60利用磁力使层叠陶瓷电容器1旋转，从而兼有使内 部电极11、12的方向对齐的功能。

传送盘54在外周面具备多个凹部54a，多个凹部54a沿着传送盘54的周 向等间隔地设置。多个凹部54a分别从传送盘54的外周面朝着中心轴C延伸， 并且从传送盘54的一个主面贯通到另一个主面。如图18所示，传送盘54设 置在传送台71上，凹部54a的下侧被该传送台71堵塞。

如图17所示，在位于从位置P11到位置P16的传送路径的位置P12配置有 静电电容测定部75。在该静电电容测定部75测定收纳在凹部54a中的层叠陶 瓷电容器1的静电电容。测定得到的层叠陶瓷电容器1的静电电容输出到控 制部73。

在位于位置P12与位置P16之间的位置P13设有构成方向识别装置55的 磁通密度测量部。为了识别层叠陶瓷电容器1的层叠方向，磁通密度测量部 对层叠陶瓷电容器1通过时的磁通密度进行测量。如图18所示，磁通密度测 量部具有磁发生装置55a和磁通密度测量仪55b。磁发生装置55a与磁通密度 测量仪55b相对。由传送装置52传送的层叠陶瓷电容器1通过磁发生装置55a 和磁通密度测量仪55b之间。传送层叠陶瓷电容器1的传送盘54和传送台71 位于磁发生装置55a和磁通密度测量仪55b之间。

在层叠方向相对于磁发生装置55a和磁通密度测量仪55b的排列方向垂 直时和平行时，从磁发生装置55a通过层叠陶瓷电容器1而到达磁通密度测 量仪55b的磁通的密度不同。因此，利用磁通密度测量仪55b对层叠陶瓷电 容器1通过磁发生装置55a和磁通密度测量仪55b之间时的磁通密度进行检 测，能识别层叠陶瓷电容器1的层叠方向。磁通密度测量仪55b将检测到的 磁通密度输出到作为方向识别部的控制部73。控制部73对测定得到的磁通 密度进行适当的运算处理，例如，求出上述磁通密度的积分值。

出于更准确地识别层叠陶瓷电容器1的层叠方向的观点，传送盘54优选 为由不锈钢、铝、塑料、或陶瓷等非磁性体构成。此外，传送台71优选为 由不锈钢、铝、塑料、或陶瓷等非磁性体构成。其中，传送盘54及传送台 71更优选为分别由耐磨损性也优异的氧化锆构成。在此情况下，能更高精 度地测定通过层叠陶瓷电容器1的磁通的密度。

如图17所示，在传送路径上的位于位置P13和位置P16之间的位置P14 设有拍摄部72。拍摄部72从上方对层叠陶瓷电容器1进行拍摄。拍摄到的图 像输出到控制部73。

在传送路径上的位于位置P14和位置P16之间的位置P15设有分选部74。 分选部74与控制部73相连接，并基于控制部73的指示来分选层叠陶瓷电容 器1。具体而言，控制部73判断从静电电容测定部75输出的静电电容是否在 预先确定的静电电容的范围(静电电容的标准)内。此外，控制部73判断基于 磁通密度所确定的层叠方向是否与预先确定的方向相一致。控制部73基于 从拍摄部72输出的图像来判断层叠陶瓷电容器1是否存在外观不良。控制部 73将只要不满足上述三个条件中的一个条件的层叠陶瓷电容器1认定为不 良品而除去。

对于本实施方式中的静电电容测定部75、磁通密度测量部(方向识别装 置55)、拍摄部72、及分选部74各自的配置进行更具体的说明。传送盘54以 一定的间隔重复进行旋转运动和停止，即进行所谓的间歇动作。静电电容 测定部75、拍摄部72、及分选部74各自的位置与传送盘54停止时的凹部54a 的位置重合。另一方面，磁通密度测量部的位置与传送盘54旋转运动时凹 部54a通过的位置重合。

即，在静电电容测定部75、拍摄部72、及分选部74各自的位置分别与 凹部54a的位置重合时，磁通密度测量部(方向识别装置55)的位置不与凹部 54a的位置重合。相反，在磁通密度测量部(方向识别装置55)的位置与凹部 54a的位置重合时，静电电容测定部75、拍摄部72、及分选部74各自的位置 不与凹部54a的位置重合。

另外，所谓的静电电容测定部75、拍摄部72、分选部74、及磁通密度 测量部各自的位置与凹部54a的位置重合，是指在传送盘54的圆周方向上， 静电电容测定部75、拍摄部72、分选部74、及磁通密度测量部各自的中心 与某一凹部54a的一部分重合。

例如，N个凹部54a等间隔地配置在传送盘54上，在传送盘54重复(360/N) 度的旋转运动和停止时，静电电容测定部75、拍摄部72、及分选部74各自 的位置彼此相对于传送盘54的旋转中心偏差(360/N)度的整数倍。另一方面， 磁通密度测量部的位置与相对于静电电容测定部75、拍摄部72、及分选部 74各自的配置偏差(360/N)度的整数倍的位置不同。

到现在为止进行了说明的实施方式1至实施方式6中的任一种方式中， 相邻的层叠陶瓷电容器1的间隔均影响到层叠方向的识别精度。通过捕捉 层叠陶瓷电容器1通过磁通密度测量部时的磁通密度来识别层叠方向。因 此，若相邻的层叠陶瓷电容器1的间隔过于狭窄，则磁通密度受到相邻的层 叠陶瓷电容器1的影响，层叠方向的识别精度下降。

因此，优选为将相邻的层叠陶瓷电容器1的间隔设为层叠陶瓷电容器1 的通过方向上的磁发生装置55a的尺寸的1/2以上。或者，优选为将相邻的层 叠陶瓷电容器1的间隔设为层叠陶瓷电容器1的通过方向上的层叠陶瓷电容 器1的尺寸以上。

到现在为止进行了说明的实施方式1至实施方式6中，磁发生装置31与 磁通密度测量仪32相对配置，并使层叠陶瓷电容器1通过它们之间，但在下 面说明的实施方式7中，磁发生装置31及磁通密度测量仪32的配置不同。

(实施方式7)

如图19所示，在直线送料器51设有产生磁性的磁发生装置60。使层叠 陶瓷电容器1通过该磁发生装置60的前面来使层叠陶瓷电容器1磁化。所谓 的使层叠陶瓷电容器1磁化是指使层叠陶瓷电容器成为带磁性的状态。

此外，磁发生装置60兼有使由直线送料器51传送的层叠陶瓷电容器1 中的内部电极11、12的方向对齐的功能。例如，在层叠陶瓷电容器1中的内 部电极11、12的层叠方向与水平方向平行时，通过从磁发生装置60产生的 磁力使层叠陶瓷电容器1旋转90°，以使内部电极11、12的层叠方向与上下 方向平行。由此，使在设有磁发生装置60的部分通过的层叠陶瓷电容器1的 方向对齐。不过，未必需要使所有的层叠陶瓷电容器1的方向对齐。

在传送路径上的位于位置P1与位置P3之间的位置P2配置有磁发生装置 55a。通过该磁发生装置55a使层叠陶瓷电容器1进一步磁化。因此，在层叠 陶瓷电容器带2中收纳有进行了磁化的层叠陶瓷电容器1。另外，在本实施 方式中，对设有磁发生装置55a和磁发生装置60这两个磁发生装置的示例进 行了说明。不过，本发明并不限于该结构。也可以仅设置一个磁发生装置。

如图20所示，在层叠陶瓷电容器带2的下方设有用于测量磁通密度的磁 通密度测量仪32。详细而言，磁通密度测量仪32以10kHz以上100kHz以下 程度的间隔连续地测定磁通密度。

在本实施方式中，利用磁发生装置55a、60使层叠陶瓷电容器1磁化(磁 化工序)。接下来，使用磁通密度测量仪32对从进行了磁化的层叠陶瓷电容 器1产生的磁通密度进行测量(磁通密度的测量工序)。在磁通密度的测量工 序中，优选为对进行了磁化的层叠陶瓷电容器1通过磁通密度测量仪32前面 时的磁通密度进行测量。

接下来，利用方向识别部36基于磁通密度的测量结果来识别层叠陶瓷 电容器1中的内部电极11、12的层叠方向(层叠方向的识别工序)。能基于此 时测量得到的磁通密度的最大值或积分值来识别层叠陶瓷电容器1的方向。 其结果是，例如，确认层叠陶瓷电容器1的对齐率，或者在检测到层叠陶瓷 电容器1的方向与所希望的方向不同的层叠陶瓷电容器1的情况下，对该层 叠陶瓷电容器1附加标记，或者将该层叠陶瓷电容器1除去。

参照图21及图22对本实施方式的方向识别方法的原理进行说明。在磁 通密度测量仪32的前面不存在层叠陶瓷电容器1时，无法利用磁通密度测量 仪32实质上测量得到磁通。另一方面，如图21及图22所示，在进行了磁化 的层叠陶瓷电容器1位于磁通密度测量仪32的前面时，来自层叠陶瓷电容器 1的磁力线通过磁通密度测量仪32。因此，能利用磁通密度测量仪32测量得 到磁通。其结果是，如图9、图10所示，磁通密度的最大值及积分值因层叠 陶瓷电容器1的层叠方向的不同而不同。

在本实施方式中，未必要为了预先使层叠陶瓷电容器1磁化而预先将磁 发生装置55a、60与磁通密度测量仪32相对配置。因此，磁发生装置55a、 60和磁通密度测量仪32的配置自由度较高，从而减少对于方向识别装置及 制造装置的结构上的限制。因此，例如，能使方向识别装置及制造装置小 型化。另外，也可以在对层叠陶瓷电容器1进行方向识别之后，对进行了磁 化的层叠陶瓷电容器1进行退磁处理。

(实施方式8及实施方式9)

图23是表示实施方式8的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的主要部分 的示意俯视图。图24是表示实施方式9的层叠陶瓷电容器的方向识别装置的 主要部分的示意俯视图。

在实施方式7中说明了利用磁通密度测量仪32对收纳在层叠陶瓷电容 器带2中的层叠陶瓷电容器1的方向进行识别的示例。不过，本发明并不限 于此。

例如，也可以如图23所示，将磁通密度测量仪32设于传送装置52。具 体而言，在实施方式8中，磁通密度测量仪32配置在传送装置52的位置P4。 此外，例如，也可以如图24所示的实施方式9那样，将磁通密度测量仪32设 于直线送料器51。因此，能在收纳到层叠陶瓷电容器带2中之前，在传送装 置52的传送中识别层叠陶瓷电容器1的方向。

也可以在实施方式8及实施方式9中，进一步在位置P4与位置P3之间设 置分选部及对齐部，其中，所述分选部分选出层叠陶瓷电容器1的方向不是 所希望的层叠方向的层叠陶瓷电容器1，所述对齐部使层叠陶瓷电容器1旋 转以成为所希望的层叠方向。分选部也可以将内部电极11、12的层叠方向 为不希望的方向的层叠陶瓷电容器1除去。

(实验例2)

(实施例1)

准备了6个具有下述设计参数的层叠陶瓷电容器。如图19所示，仅利用 由隔着直线送料器51相对的一对永磁体构成的磁发生装置60进行层叠陶瓷 电容器的磁化。另外，6个样品中，3个样品将内部电极配置成与磁通密度 测量仪平行，在此状态下测定了磁通密度，剩下的3个样品将内部电极配置 成与磁通密度测量仪垂直，在此状态下测定了磁通密度。表1示出了测量得 到的磁通密度的最大值。在表1中，记载为“水平”的样品是将内部电极配 置成与磁通密度测量仪平行、在此状态下测定了磁通密度的样品。在表1中， 记载为“垂直”的样品是将内部电极配置成与磁通密度测量仪垂直、在此 状态下测定了磁通密度的样品。

(实施例2)

对实施例1中使用过的6个层叠陶瓷电容器进行层叠陶瓷电容器的退 磁，以使磁通密度为0.05mT以下，然后，在本实施例2中再次用作样品。在 实施例2中，利用具有与实施例1相同结构的磁发生装置60、以及设于传送 装置52并由永磁体构成的磁发生装置55a这两个磁发生装置使层叠陶瓷电 容器磁化。6个样品中，3个样品将内部电极配置成与磁通密度测量仪平行， 在此状态下测定了磁通密度，剩下的3个样品将内部电极配置成与磁通密度 测量仪垂直，在此状态下测定了磁通密度。表1示出了测量得到的磁通密度 的最大值。表1示出了测量得到的磁通密度的最大值。

在本实验例中，将层叠陶瓷电容器的大小设为1.15mm×0.65mm× 0.65mm，将内部电极设为以镍为主要成分的电极，将内部电极的层叠片数 设为430片，将层叠陶瓷电容器的静电电容设为10μF。

[表1]

磁通密度的最大值(mT) 实施例1 实施例2 样品1(水平) 0.108 0.309 样品2(水平) 0.134 0.317 样品3(水平) 0.134 0.316 样品1(垂直) 0.268 0.416 样品2(垂直) 0.238 0.420 样品3(垂直) 0.216 0.414

从表1所示的结果可知，通过对预先进行了磁化的层叠陶瓷电容器的磁 通密度进行测量，能识别层叠陶瓷电容器的方向。此外，如实施例2那样进 行两次磁化，层叠陶瓷电容器的磁通密度的测量值(最大值及积分值)增大， 能更容易地识别方向。

对本发明的实施方式进行了说明，但在此公开的实施方式应视作在所 有方面均为例示而并非限制。本发明的范围由权利要求的范围来表示，本 发明的范围还包括与权利要求的范围等同的意思及范围内的所有变更。