法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/205 申请日:20140212
实质审查的生效
2015-12-23
公开
公开
机译: 等离子体腔室中包括静电边缘环卡盘的耦合环组件以及使用等离子体腔室处理半导体基体的方法
机译: 用于使用单频射频功率处理晶片的等离子体处理系统,用于蚀刻晶圆的等离子体处理装置以及用于使用单频射频功率的等离子体处理腔室中的晶片的方法
机译: 控制等离子体处理装置的腔室中的材料的温度的方法,腔室和基质中的材料的安装阶段以及配备有该等离子体处理设备的等离子体处理装置的方法