法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-19
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C25C3/20 申请公布日:20151223 申请日:20151101
发明专利申请公布后的驳回
2016-01-20
实质审查的生效 IPC(主分类):C25C3/20 申请日:20151101
实质审查的生效
2015-12-23
公开
公开
机译: 高压金属氧化物半导体场效应晶体管具有中间漏极连接区,作为多晶硅栅板中接近中断处的体槽和漏极延伸之间的桥梁
机译: 用于产生栅极引起的漏极泄漏电流槽或开关FET的源路径的方法和设备
机译: 槽漏