法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-03
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01Q15/00 申请公布日:20151209 申请日:20150917
发明专利申请公布后的视为撤回
2016-01-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01Q15/00 申请日:20150917
实质审查的生效
2015-12-09
公开
公开
机译: 记忆力铁电RAM单元的区域布置成使矫顽电压和剩余极化不同,从而使电极形成的结构在极化-电压特性曲线中具有磁滞特性
机译: 具有负介电常数,负磁导率和负折射率的平面超材料,包括相同平面超材料的平面超材料结构以及包括相同平面超材料结构的天线系统
机译: 一种用于制造光偏转结构的方法,使用具有这种较轻偏转结构的基板,以及具有这种较轻偏转结构的光偏转单元