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公开/公告号CN105144624A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-12-09
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201480016925.3
发明设计人 S·森戈库;J·张;G·A·威利;
申请日2014-03-20
分类号H04L7/033(20060101);H03K5/153(20060101);H03K3/017(20060101);H03L7/081(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人唐杰敏
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 12:45:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-31
授权
2016-01-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H04L7/033 申请日:20140320
实质审查的生效
2015-12-09
公开
机译: 多线漏极开路链路,具有基于数据符号转换的时钟
机译: 具有基于数据符号转换的时钟的多线漏极开路链路
机译:用于高带宽DRAM的FullV片上电流控制的漏极开路输出驱动器
机译:具有双线圈传输方案的0.55 V 10 fJ / bit电感耦合数据链路和0.7 V 135 fJ /周期时钟链路
机译:GaN-on-Si高电子迁移率晶体管具有5μm栅极-漏极间距的出色稳定性,该栅极漏极间距在200 V和200℃的创纪录漏极电压下在截止状态下进行了测试
机译:漏极开路驱动器配置的独特栅极控制概念
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:多设备开路故障下基于降阶最优控制策略的ANPC三电平逆变器容错控制
机译:现场可编程互连网络中的漏极开路双向通信接口
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。