法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-18
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H02P23/00 申请公布日:20151202 申请日:20150924
发明专利申请公布后的驳回
2015-12-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H02P23/00 申请日:20150924
实质审查的生效
2015-12-02
公开
公开
机译: 半导体器件采用至少一种调制掺杂量子阱结构和一个或多个蚀刻停止层来实现相同的精确接触形成和制造方法
机译: 一种由无线发送/接收单元(WTRU)实现以获得跳过模式序列(SH)的方法,一种采用这种方法的无线发送/接收单元(WTRU),即无线发送/接收单元(WTRU)长期演进(LTE)一种通过无线传输/接收(WTRU)长期演进(LTE)使用所述单元的方法以及长期演进(LTE)的基站
机译: 一种借助声光光学调制来稳定激光器的频率的方法以及一种借助于声光光学调制来实现激光器的频率稳定的装置