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一种提高2D-C/SiC复合材料基体开裂应力的方法

摘要

本发明提出一种提高2D-C/SiC复合材料基体开裂应力的方法,对2D-C/SiC复合材料进行2-3个周期的预蠕变处理,预蠕变温度为1400℃-1600℃,在达到预蠕变温度后,保温0.5-1h,保温结束后,对2D-C/SiC复合材料进行加载,加载应力为σ,σ取0.6~1倍的σ

著录项

  • 公开/公告号CN105110808A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西北工业大学;

    申请/专利号CN201510449732.3

  • 申请日2015-07-28

  • 分类号C04B35/80;C04B35/565;

  • 代理机构西北工业大学专利中心;

  • 代理人陈星

  • 地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号

  • 入库时间 2023-12-18 12:35:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-30

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/80 申请公布日:20151202 申请日:20150728

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-12-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/80 申请日:20150728

    实质审查的生效

  • 2015-12-02

    公开

    公开

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