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一种在硅表面制备钛/类金刚石纳米多层薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在硅表面制备钛/类金刚石纳米多层薄膜的方法。具体包括下列步骤:将预先化学清洗的单晶硅基片烘干,放置于阴极电弧装置的旋转样品台上;抽真空,通入氩气到真空室,通过离子源对硅基片表面进行溅射清洗;以高纯的金属钛和石墨作为靶材,采用直流和脉冲双激发源阴极等离子体放电技术,分别制备钛纳米功能层和类金刚石薄膜;根据需要进行后期真空退火处理。该方法制备工艺简单,可用于制备不同表面结构的类金刚石纳米多层复合薄膜。本发明制备的钛/类金刚石纳米多层薄膜具有高硬度、低应力和减摩耐磨损性能。

著录项

  • 公开/公告号CN105132878A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 太原理工大学;

    申请/专利号CN201510577451.6

  • 发明设计人 周兵;刘竹波;

    申请日2015-09-11

  • 分类号C23C14/46(20060101);

  • 代理机构14101 太原市科瑞达专利代理有限公司;

  • 代理人申艳玲

  • 地址 030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号

  • 入库时间 2023-12-18 12:30:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/46 申请公布日:20151209 申请日:20150911

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-01-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/46 申请日:20150911

    实质审查的生效

  • 2015-12-09

    公开

    公开

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