一种制备氧化锌薄膜的方法和氧化锌薄膜

摘要

本发明涉及一种制备氧化锌薄膜的方法，属于薄膜制备领域，包括以下步骤：(1)将衬底置于基片台上；在氧压≥0.2Pa，衬底温度在100℃-400℃的条件下，使用氧化锌靶材，采用脉冲激光溅射的方法，在衬底上溅射沉积氧化锌薄膜,氧化锌靶材的纯度为99.99％。实验证明，氧压0.2Pa，衬底温度300℃的条件下制备的ZnO薄膜微观结构最优、导电性和透过率最佳。该薄膜具有高度c轴取向，半高宽FWHM仅为0.2°，电阻率为0.004Ω·cm、平均可见光透过率超过80％，随着氧分压和衬底温度的增大，薄膜的电阻率加大，呈现半导体性质，从而达到了制备不同电阻率薄膜的效果。