一种以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构及其制备方法

摘要

一种以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构及其制备方法，以镓液滴作为缓冲层外延GaN的结构，自下而上依次设置有衬底、缓冲层和GaN层，所述缓冲层为镓液滴层，镓液滴层生长在衬底上，镓液滴层上外延GaN层。其制备方法是采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上进行镓液滴沉积，制备镓液滴层，在镓液滴层上生长GaN层。本发明通过采用镓液滴层作为衬底与GaN外延层之间的缓冲层，以获得低应力、高质量的GaN外延层，降低LED器件的次品率，提高LED器件的质量，延长使用周期，生长的GaN外延层具有较低密度的位错，降低器件的漏电流，提升抗静电能力，有效地缓解了衬底层与GaN层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题。