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大入射角磁光子晶体宽带光隔离器

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摘要

本发明是一种大入射角一维磁光子晶体宽带光隔离器。其中光隔离器结构是由磁光介质层(1)、高折射率电介质层(2)和低折射率电介质层(3)沿Z轴周期性排列的一维结构，磁光介质层为Ce:YIG，高折射率电介质层为Si，低折射率电介质层为SiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-12

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02F1/09 申请公布日:20151125 申请日:20150731

发明专利申请公布后的驳回
2015-12-23

实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/09 申请日:20150731

实质审查的生效
2015-11-25

公开

公开

1. 大入射角磁光子晶体宽带光隔离器 [P] . 中国专利： CN105093571A . 2015-11-25
2. 一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体 [P] . 中国专利： CN103123421A . 2013-05-29
3. Device for producing three dimensional photonic crystals made from silicon comprises producing a two dimensional photonic macrophotonic macropore crystals with built-in defects, and etching a microporous sequence of layers [P] . 德国专利： DE10014723A1 . 2001-09-27

机译：用于生产由硅制成的三维光子晶体的装置包括：生产具有内置缺陷的二维光子大光子大孔晶体，以及蚀刻层的微孔序列
4. Method of amplifying magnetooptical Kerr effect by means of photon crystal structures and photon crystal with amplified magnetooptical Kerr effect method of fabricating the photon crystal [P] . 韩国专利： KR101967247B1 . 2019-04-09

机译：利用光子晶体结构和光子晶体放大磁光克尔效应的方法及制造光子晶体的放大磁光克尔效应的方法
5. Method of amplifying magneto-optical kerr effect by using photon crystal structures, and photon crystal having amplified magneto-optical kerr effect, method of fabricating photon crystal [P] . 美国专利： US9110316B2 . 2015-08-18

机译：通过使用光子晶体结构来放大磁光克尔效应的方法，以及具有放大的磁光克尔效应的光子晶体，制造光子晶体的方法