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一种具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法

摘要

本发明属于热释电薄膜材料领域和太赫兹探测领域,提供一种具有β晶相的聚偏氟乙烯(PVDF)纳米薄膜的制备方法,首先将氧化石墨烯和聚偏氟乙烯溶于有机溶剂中,超声并磁力搅拌得到分散均匀的制膜溶液;再将制膜溶液静置脱泡;再采用旋涂法制备湿膜;最后在大气环境下热处理使薄膜干燥并结晶,即制备得具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜。本发明一方面通过掺杂GO提高PVDF中β晶相的含量,另一方面采用旋涂工艺制备PVDF纳米薄膜;制备工艺简单易于控制、设备要求低、成本低廉,能在普通大气条件下制备,制备的PVDF薄膜均匀、平整、致密性好、热释电性能稳定,为薄膜材料热释电太赫兹探测器的研制提供有力支持。

著录项

  • 公开/公告号CN105037761A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201510392607.3

  • 发明设计人 王军;谢盼云;唐荣;陈沛丞;苟君;

    申请日2015-07-06

  • 分类号C08J5/18;C08L27/16;C08K3/04;

  • 代理机构电子科技大学专利中心;

  • 代理人李明光

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-18 11:52:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-28

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C08J5/18 申请公布日:20151111 申请日:20150706

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-12-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08J5/18 申请日:20150706

    实质审查的生效

  • 2015-11-11

    公开

    公开

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