一种Co2VGa/PbS界面半金属性制备工艺

摘要

本发明公开一种Co2VGa/PbS界面半金属性制备工艺，包括以下步骤：第一步：构建界面结构；第二步：对上述四种界面进行结构优化；在优化的过程中，为了尽可能的接近实际，允许距离界面最近的5个原子层中的原子进行位置弛豫，其他原子位置固定；第三步：计算优化后的界面结构的态密度、磁矩、表面能等物理量；第四步：分析界面结构的态密度、磁矩、自旋极化及稳定性；第五步：通过对第四步中图形和表格分析和比较，获得具有100%自旋极化且结构稳定的半金属界面薄膜。